版高考化学一轮总复习限时训练第十二章第40讲限时训练有解析Word文档格式.docx

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C.晶胞是晶体结构的基本单元,晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列

D.晶体尽可能采取紧密堆积方式,以使其变得较稳定

解析:

含有金属阳离子的晶体不一定是离子晶体,如氯化铝含有金属阳离子但属于分子晶体。

答案:

B

2.下列说法中正确的是(  )

A.离子晶体中每个离子周围均吸引着6个带相反电荷的离子

B.金属导电的原因是在外电场作用下金属产生自由电子,电子定向运动

C.分子晶体的熔、沸点很低,常温下都呈液态或气态

D.原子晶体中的各相邻原子都以共价键相结合

A项,离子晶体中每个离子周围不一定吸引6个带相反电荷的离子,如CsCl晶体中每个Cs+吸引8个Cl-;

B项,金属晶体中的自由电子不是因为外电场作用产生的;

C项,分子晶体不一定是液态或气态,可能为固态,如I2、S8等。

D

3.下列各物质中,按熔点由高到低的顺序排列正确的是(  )

A.CH4>

SiH4>

GeH4>

SnH4

B.KCl>

NaCl>

MgCl2>

MgO

C.Rb>

K>

Na>

Li

D.金刚石>

SiO2>

A项中均为分子晶体且结构相似,相对分子质量越大,溶、沸点越高;

B项均为离子晶体,离子半径越小,电荷越多,离子键就越强;

C项均为金属晶体,金属键强弱与金属原子半径成反比,与价电子数成正比。

4.下列各物质熔化时,所克服的粒子间作用力相同的是(  )

A.Na2O和SO3   B.Mg和Si

C.NaOH和NaClD.AlCl3和MgCl2

Na2O、NaOH、NaCl、MgCl2熔化时破坏离子键;

SO3和AlCl3熔化时克服分子间作用力;

Mg熔化时克服金属键;

Si熔化时克服共价键。

C

5.下面有关晶体的叙述中,不正确的是(  )

A.金刚石网状结构中,由共价键形成的碳原子环中,最小的环上有6个碳原子

B.氯化钠晶体中,每个Na+周围距离相等的Na+共有6个

C.氯化铯晶体中,每个Cs+周围紧邻8个Cl-

D.干冰晶体中,每个CO2分子周围紧邻12个CO2分子

氯化钠晶体中,每个Na+周围距离相等的Na+共12个。

每个Na+周围距离相等且最近的Cl-共有6个。

6.氮氧化铝(AlON)属原子晶体,是一种超强透明材料,下列描述错误的是(  )

A.AlON和石英的化学键类型相同

B.AlON和石英晶体类型相同

C.AlON和Al2O3的化学键类型不同

D.AlON和Al2O3晶体类型相同

AlON与石英(SiO2)均为原子晶体,所含化学键均为共价键,故A、B项正确;

Al2O3是离子晶体,晶体中含离子键,不含共价键,故C项正确、D项错误。

7.下列关于CaF2的表述正确的是(  )

A.Ca2+与F-间仅存在静电吸引作用

B.F-的离子半径小于Cl-,则CaF2的熔点高于CaCl2

C.阴、阳离子比为2∶1的物质,均与CaF2晶体构型相同

D.CaF2中的化学键为离子键,因此CaF2在熔融状态下能导电

Ca2+与F-之间既有静电引力作用,也有静电排斥作用,A错误;

离子所带电荷相同,F-的离子半径小于Cl-,所以CaF晶体的晶格能大,熔点高,B错误;

晶体构型还与离子的大小有关,所以阴、阳离子比为2∶1的物质,不一定与CaF晶体构型相同,C错误;

CaF2中的化学键为离子键,CaF2在熔融状态下发生电离,因此CaF2在熔融状态下能导电,D正确。

二、非选择题(本题包括4个小题,共58分)

8.(2016·

全国Ⅲ卷)(14分)砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。

回答下列问题:

(1)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因

_______________________________________________________

______________________________________________________。

(2)GaAs的熔点为1238℃,密度为ρg·

cm-3,其晶胞结构如图所示。

该晶体的类型为________,Ga与As以________键相结合。

Ga和As的摩尔质量分别为MGag·

mol-1和MAsg·

mol-1,原子半径分别为rGapm和rAspm,阿伏加德罗常数值为NA,则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为_________________________。

(1)GaF3的熔点高于1000℃,GaCl3的熔点为77.9℃,其原因是GaF3是离子晶体,GaCl3是分子晶体,而离子晶体的熔点高于分子晶体。

(2)GaAs的熔点为1238℃,其熔点较高,据此推知GaAs为原子晶体,Ga与As原子之间以共价键相结合。

分析GaAs的晶胞结构,4个Ga原子处于晶胞体内,8个As原子处于晶胞的顶点、6个As原子处于晶胞的面心,结合“均摊法”计算可知,每个晶胞中含有4个Ga原子,含有As原子个数为8×

1/8+6×

1/2=4(个),Ga和As的原子半径分别为rGapm=rGa×

10-10cm,rAspm=rAs×

10-10cm,则原子的总体积为V原子=4×

π×

[(rGa×

1010cm)3+(rAs×

10-10cm)3]=

×

10-30(r

+r

)cm3。

又知Ga和As的摩尔质量分别为MGag·

mol-1,晶胞的密度为ρg·

cm-3,则晶胞的体积为V晶胞=

cm3,故GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为

100%=

100%。

(1)GaF3为离子晶体,GaCl3 分子晶体

(2)原子晶体 共价  

100%

9.(2016·

全国Ⅰ卷)(际法4分)锗(Ge)是典型的半导体元素,在电子、材料等领域应用广泛。

(1)Ge与C是同族元素,C原子之间可以形成双键、三键,但Ge原子之间难以形成双键或三键。

从原子结构角度分析,原因是

(2)比较下列锗卤化物的熔点和沸点,分析其变化规律及原因

项目

GeCl4

GeBr4

GeI4

熔点/℃

-49.5

26

146

沸点/℃

83.1

186

约400

(3)Ge单晶具有金刚石型结构,其中Ge原子的杂化方式为______________,微粒之间存在的作用力是____________________。

(4)晶胞有两个基本要素:

①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置。

下图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为(0,0,0);

B为

C为

则D原子的坐标参数为________。

②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。

已知Ge单晶的晶胞参数a=565.76pm,其密度为____________g·

cm-3(列出计算式即可)。

(1)锗虽然与碳为同族元素,但比碳多了两个电子层,因此锗的原子半径大,原子间形成的σ单键较长,pp轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键。

(2)由锗卤化物的熔、沸点由Cl到I呈增大的趋势且它们的熔、沸点较低可判断出它们均为分子晶体,而相同类型的分子晶体,其熔、沸点取决于相对分子质量的大小,因为相对分子质量越大,分子间的作用力就越大,熔、沸点就越高。

(3)Ge单晶为金刚石型结构,金刚石中碳原子的杂化方式为sp3,因此Ge原子的杂化方式也为sp3。

微粒之间存在的作用力为共价键。

(4)①根据题给图示可知,D原子的坐标参数为

②每个晶胞中含有锗原子8×

+6×

+4=8(个),每个晶胞的质量为

,晶胞的体积为(565.76×

10-10cm)3,所以晶胞的密度为

(1)Ge原子半径大,原子间形成的σ单键较长,pp轨道肩并肩重叠程度很小或几乎不能重叠,难以形成π键

(2)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸点依次增高。

原因是分子结构相似,分子量依次增大,分子间相互作用力逐渐增强

(3)sp3 共价键

(4)①

 ②

107

10.(2015·

全国Ⅱ卷)(15分)A、B、C、D为原子序数依次增大的四种元素,A2-和B+具有相同的电子构型;

C、D为同周期元素,C核外电子总数是最外层电子数的3倍;

D元素最外层有一个未成对电子。

(1)四种元素中电负性最大的是________(填元素符号),其中C原子的核外电子排布式为____________。

(2)单质A有两种同素异形体,其中沸点高的是______(填分子式),原因是_____________________________________________;

A和B的氢化物所属的晶体类型分别为________和________。

(3)C和D反应可生成组成比为1∶3的化合物E,E的立体构型为________,中心原子的杂化轨道类型为________。

(4)化合物D2A的立体构型为________,中心原子的价层电子对数为________,单质D与湿润的Na2CO3反应可制备D2A,其化学方程式为________________________________。

(5)A和B能够形成化合物F,其晶胞结构如图所示,晶胞参数a=0.566nm,F的化学式为__________;

晶胞中A原子的配位数为________;

列式计算晶体F的密度(g·

cm-3)_____________________。

C核外电子总数是最外层电子数的3倍,则C为P元素。

A、B的原子序数小于C,且A2-和B+具有相同的电子构型,则A为O元素,B为Na元素。

C、D为同周期元素,且D元素最外层有一个未成对电子,则D为Cl元素。

(1)O、Na、P和Cl四种元素中,O元素的电负性最大。

P原子核外有15个电子,其基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p3或[Ne]3s23p3。

(2)O元素形成O2和O3两种同素异形体,固态时均形成分子晶体,而分子晶体中,相对分子质量越大,分子间作用力越大,物质的沸点越高,故O3的沸点高于O2。

O元素形成的氢化物有H2O和H2O2,二者均能形成分子晶体。

Na元素形成的氢化物为NaH,属于离子晶体。

(3)P和Cl元素形成的组成比为1∶3的化合物E为PCl3,中心原子P形成3个σ键且含有1对未成键的孤电子对,故P原子采取sp3杂化,分子构型为三角锥形。

(4)化合物D2A为Cl2O,其中O原子形成2个σ键且含有2对未成键的孤电子对,则O原子采取sp3杂化,故Cl2O为V形结构,中心原子O的价层电子对数为4。

Cl2与湿润的Na2CO3反应可生成Cl2O,据氧化还原反应规律可知,还生成还原产物NaCl,反应的化学方程式为2Cl2+2Na2CO3+H2O===2NaCl+Cl2O+2NaHCO3(或2Cl2+Na2CO3===Cl2O+CO2+2NaCl)。

(5)O2-半径大于Na+半径,由F的晶胞结构可知,大球代表O2-,小球代表Na+,每个晶胞中含有O2-个数为8×

=4,含有Na+个数为8,故O2-、Na+离子个数之比为4∶8=1∶2,从而推知F的化学式为Na2O。

由晶胞结构可知,每个O原子周围有8个Na原子,故O原子的配位数为8。

晶胞参数a=0.566nm=0.566×

10-7cm,则晶胞的体积为(0.566×

10-7cm)3,从而可知晶体F的密度为

=2.27g·

cm-3。

(1)O 1s22s22p63s23p3(或[Ne]3s23p3)

(2)O3 O3相对分子质量较大,范德华力大 分子晶体 离子晶体

(3)三角锥形 sp3

(4)V形 4 2Cl2+2Na2CO3+H2O===Cl2O+2NaHCO3+2NaCl(或2Cl2+Na2CO3===Cl2O+CO2+2NaCl)

(5)Na2O 8 

cm-3

11.(2016·

海南卷)(15分)M是第四周期元素,最外层只有1个电子,次外层的所有原子轨道均充满电子。

元素Y的负一价离子的最外层电子数与次外层的相同。

(1)单质M的晶体类型为________,晶体中原子间通过________作用形成面心立方密堆积,其中M原子的配位数为________。

(2)元素Y基态原子的核外电子排布式为__________,其同周期元素中,第一电离能最大的是________(写元素符号)。

元素Y的含氧酸中,酸性最强的是________(写化学式),该酸根离子的立体构型为________。

(3)M与Y形成的一种化合物的立方晶胞如图所示。

①该化合物的化学式为____________,已知晶胞参数a=0.542nm,此晶体的密度为______________g·

cm-3(写出计算式,不要求计算结果,阿伏加德罗常数的值为NA)。

②该化合物难溶于水但易溶于氨水,其原因是______________。

此化合物的氨水溶液遇到空气则被氧化为深蓝色,深蓝色溶液中阳离子的化学式为____________。

根据题给信息推断M为铜元素,Y为氯元素。

(1)单质铜的晶体类型为金属晶体,晶体中微粒间通过金属键作用形成面心立方密堆积,铜原子的配位数为12。

(2)氯元素为17号元素,位于第三周期,根据构造原理知其基态原子的核外电子排布式为1s22s22p63s23p5,同周期元素由左向右元素原子

的第一电离能逐渐增大,故其同周期元素中,第一电离能最大的是Ar。

氯元素的含氧酸中,酸性最强的是HClO4,该酸根离子中氯原子为sp3杂化,没有孤对电子,立体构型为正四面体形。

(3)①根据晶胞结构利用切割法分析,每个晶胞中含有铜原子个数为8×

1/2=4,氯原子个数为4,该化合物的化学式为CuCl;

则1mol晶胞中含有4molCuCl,1mol晶胞的质量为4×

99.5g,又晶胞参数a=0.542nm,此晶体的密度为

②该化合物难溶于水但易溶于氨水,其原因是Cu+可与氨形成易溶于水的配位化合物。

该溶液在空气中Cu+被氧化为Cu2+,故深蓝色溶液中阳离子的化学式为[Cu(NH3)4]2+。

(1)金属晶体 金属键 12

(2)1s22s22p63s23p5 Ar HClO4 正四面体

(3)①CuCl 

②Cu+可与氨形成易溶于水的配位化合物(或配离子) [Cu(NH3)4]2+

 

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