z0高频电路用电路板设计技术探索文档格式.docx

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z0高频电路用电路板设计技术探索文档格式.docx

3.決定高頻電路單元與信號處理單元的封裝位置。

基本上高頻電路單元與類比/數位信號處理單元必需分開封裝,分割方式有兩種分別如下:

(a).將電路板正面與反面的的高頻電路單元與數位信號處理單元分開,

‧主要原因是數位電路的噪訊很容易流入高頻電路單元,

‧高頻電路單元的背面設置數位電路時,必需避免兩者的封裝在相同角落上。

(b).將電路板對分成高頻電路單元與數位信號處理單元各占一半的場合,

高頻電路單元的控制信號線迴繞長度如果過過長時,很容易受到數位電路噪訊的影響

4.電路板設置電子元件。

元件設置作業對設計高頻電路板而言具有決定性的影響,尤其是包含groundvia與連接via的面積,以及如何確保電子元件之間的space等設計非常的重要,例如電子元件之間的space設計不當的話,將招致無法設置groundvia,以及無法連接via等嚴重後果,也就是說電子元件的配置是否適宜,會使高頻電路的性能產生重大變化。

5.設計配線

除了印刷pattern的配線之外,同時還需要調整line的阻抗(impedance),並設置groundvia。

6.檢查配線

完成電路板data之後必需檢查設計規範(rule),尤其是檢查printout的配線是否有任何設計上的疏失,如果電路板有正、反面辨識上的需求時,可提出數據資料要求廠商製作。

設計高頻電路板的四大要訣

 

(一).利用印刷pattern取代被動電子元件的功能

照片1是1.5GHzRF增幅器電路板封裝後的外觀;

圖1是RF增幅器的電路layout圖。

該電路的噪訊值為0.6~0.7dB,電路板中央部位附近設有富士通編號為FHC30FA的HEMT(HighElectronMobilityTransistor)電子元件。

圖1中的MS元件是表示microstrip,由於電容與線圈的功能可利用microstrip實現,因此該電路並未使用被動電子元件。

例如照片1之中與HEMTgate垂直延伸的印刷pattern(簡稱為openstub),就可發揮電容的功能。

此外基於增幅器的穩定性必需取得等化,因此input電路整合ГOPT(NF最小點),output電路的阻抗(impedance)則作50Ω的設計整合。

由於整合用的device也是用印刷pattern形成,所以實際設計電路板時必需將長度與寬度作嚴謹的配合。

照片1高頻電路板利用印刷pattern,取代被動電子元件設計實例

圖1照片1的1.5GHzRF增幅器電路圖

 

(二).電子元件沿著信號傳輸方向排列,降低配線長度

照片2是800MHzRF增幅器電路板封裝後的外觀;

圖2是RF增幅器的電路layout圖。

圖2中的低噪訊Transistor電子元件使用NEC的2SC5185,由可知照片2電子元件沿著信號傳輸方向排列,藉此降低配線長度。

照片2電子元件沿著信號傳輸方向排列,降低配線長度的設計實例

圖2照片2的800MHzRF增幅器電路圖

(三).Emitter端子附近設置groundvia

如照片2所示高頻Transistor元件2SC5185兩個Emitter具有四隻腳(pin),由照片可看見Emitter端子,pad的附近設有groundvia,此種結構一般稱為minimodeltype。

如果via遠離pad,增幅器的特性就會產生巨大變化,嚴重時甚至無法獲得模擬分析預期的等化與阻抗(impedance)特性。

從Emitter端子到via的配線,可因microstripline的結構而產生元件特性,有關它的影響力將在後述章節中會以模擬分析方式深入探討。

總而言之在高頻電路板,電子元件ground的處理非常重要。

(四).發熱電子元件可利用ground面與金屬筐體散熱

照片3是800MHzRF送信機後段電路板封裝後的外觀,由照片可看見FET的source端子附近設有許多與ground層連接的via,這些via除了可以用低阻抗與ground層連接之外,還可將高頻電路的送信單元產生的熱能排除進而獲得散熱效果。

這種散熱方法尤其是對不易將發熱元件的熱能排除時,可透過電路板的ground銅箔面,將熱能導至金屬筐體協助散熱,如果祇是為了散熱,銅箔必需有70~100μm的厚度才能發揮預期的散熱效果,因此電路板上的銅箔被視為有效的散熱對策之一。

照片3800MHzRF送信機後段,電路板增加散熱用via的設計實例

波長對pattern長度的依存性

‧波長與波長的關係

圖4是12GHzmicrostripedgecoupleBPF電路板封裝後的外觀,類似如此超高頻的印刷pattern重合部位,不論是長度、寬度與間隔都需作高精度的要求,如果是圖2所示的電路板封裝方式,基本上不可能獲得預期的高頻特性。

主要原因是兩電路板處理的信號頻率差異,使得電路板的layout方式也截然不同。

假設空氣中或是真空中的波長為λ(mm),頻率為f(GHZ)時,兩者的關係式如下:

表1是利用式

(1)試算波長與頻率的結果。

頻率(GHZ)

真空中的(mm)

1

300

2.4

125

5.6

53.6

12

25

表1空氣中或的波長與頻率的關係

照片412GHz的microstripedgecoupleBPF電路板的設計實例

‧印刷電路板上的波長比真空中的波長短

在比誘電率為的電路板上的信號波長會變短,這種現象稱為波長縮短率,波長縮短率可用下式表示:

例如G10玻璃環氧樹脂(glassepoxy)的為4.8,如果將該值夜代入式

(2)便可求得波長縮短率:

假設800MHz的信號,空間波長為375nm,則玻璃環氧樹脂電路板上的波長會縮短為:

375×

0.456=171nm

‧實際波長可用實效比誘電率計算

實際電路板若是由microstripline構成的場合,由於電界會外漏至誘電體電路板外面臨造成誘電率下降,該誘電率稱為實效比誘電率。

電路板上的縮短率SPCB可用下式表示:

表2是1GHz常用的CEM-3與12GHzBSconverter常用的PPO,利用MEL的SNAP高頻模擬器計算兩者實效比誘電率的結果;

表3是根據實效比誘電率的計算結果,計算1GHz與12GHz信號在印刷電路板上的波長。

根據模擬分析結果顯示傳至印刷pattern的高頻信號波長,對電路板的材質具有很高的依存性。

誘電體的厚度(t=mm)

實效比誘電率(εr)

特性阻抗Zo(Ω)

Line寬度W(mm)

0.6

3.246

50.07

1.143

3.256

50.08

1.92

(a)CEM-3,εr=4.3,銅箔厚度18μm,頻率1GHz

 誘電體的厚度(t=mm)

2.591

50.06

1.396

2.669

2.289

(b)PPO,εr=3.2,銅箔厚度18μm,頻率10GHz

表2典型的兩種印刷電路板的實效比誘電率

 頻率

空間波長(λair)

電路板上的波長

(GHz)

SPCB(mm)

SPCB/4(mm)

166.5

41.6

15.5

3.9

表3電路板上與空氣中的波長差異

microstripline的長度與阻抗變化

‧0Ω終端Zin=∞,無終端Zin=0Ω

圖3是模擬電路利用SNAP模擬儀分析,當波長為λ=4的microstripline,從IN端子觀察的阻抗特性S11。

模擬分析時使用0Ω與47kΩ兩種終端阻抗,假設0Ω為ground與passcontrol連接;

47Ω則是利用microstripline提供transistor偏壓(bias)電流。

圖4是根據模擬分析結果作成的Smithchart,由圖4(a)的分析結果顯示負載端一旦作短路,從圖3的IN端子觀察,阻抗幾乎呈現無限大,這意味著電路變成開放狀態。

由圖4(b)的分析結果顯示,一旦將負載開放從圖3的IN端子觀察,阻抗則變成0,這意味著電路變成短路狀態。

圖3為量測λ=4microstripline阻抗特性的模擬電路

圖4不同的終端阻抗造成λ=4 

microstripline阻抗特性差異(Smithchart)

‧各λ=4時Zin變成∞Ω或是0Ω

如圖3所示microstripline的input阻抗Zin各λ=4時會變成0Ω(短路狀態),或是∞Ω(開放狀態),顯示高頻line具有switch效應,而該現象也成為設計高頻電路板非常重要的基礎事項。

高頻波長的影響

根據表3的數據顯示1GHz時的λpub/4(為41.6mm,10GHz時的λpub/4為3.9mm,因此接著要探討波長對電路特性的影響。

圖5是使用高頻Transistor的LAN用低雜訊增幅器電路圖,由圖可知它是利用λ/4microstripline(MS1)在Tr1設置偏壓(bias),MS1的一端為passcontrol(Cp),該Cp基於高頻特性與ground連接,

當信號(波長為λ的頻率)通過A點時,MS1的電源端會因Cp形成高頻性短路,因此從A點觀之阻抗(impedance)呈開放狀(Z=∞Ω),換句話說通過A點的信號流動不會受到任何妨害,不過的長度增大二倍時,會形成相當於的microstripline,此時從Ⓐ點觀之阻抗(impedance)則變成0Ω,因此信號無法通過A點。

處理的信號如果是1GHz左右,由於λ=2為83.2mm所以即使長度有若干差異,基本上還不會構成問題,然而12GHz的λ=2為7.8mm,所以即使長度有數mm的不同,就有可能無法使信號作預期性的增幅,有鑑於此處理的頻率越高,越需要高精度印刷pattern加工。

圖5microstripline的長度影響增幅器特性的實例

Groundvia的位置對高頻特性的影響

圖6是為了量測870~890MHz高頻增幅電路的特性,特別設計的模擬分析用電路,具體而言它在誘電體厚度為1.0mm,εr=4.3的CEM-3印刷電路板上進行封裝,測試如何才能獲得10dB以上的等化,以及1.1以下的VSWR(VoltagestandingWaveRatio)特性。

‧groundvia盡可能靠近pad

如圖6的電路可知Transistor的emitter端子與ground之間插入microstriplinemodel,當作emitter的pad至groundvia之間印刷pattern,藉此測試印刷pattern的長度,亦即emitter的pad至groundvia之間的距離對高頻特性的影響。

等化特性、輸出入阻抗特性(impedance)的測試結果分別如下所述:

等化特性

圖7是emitter直接與ground連接,以及emitter的pad至groundvia之間相隔2.0mm時,兩者的通過特性模擬分析結果。

圖7(a)是配合模擬分析將LX設定為1μm的結果;

表4是上述兩者等化的差異結果。

由圖可知即使是800MHz領域由於插入2.0mm的pad,等化大約會降低3.4~4.4dB。

頻率

等化(dB)

等化差異

(MHz)

Emitter直接與ground連接

LX=2.0mm時

(dB)

800

14.5816

10.1609

-4.4207

880

16.1218

12.1539

-3.9679

900

15.5556

12.1961

-3.3595

表4emitter的pad至groundvia之間的距離造成等化的差異結果

圖6870~890MHz高頻增幅器的電路(模擬分析用電路)

圖7Emitter的pad至groundvia的距離造成通過特性的差異

輸出入阻抗特性

圖8的Smithchart是emitter直接與ground連接,以及emitter的pad至groundvia之間相隔2.0mm時,Transistor(Tr1)的輸出入阻抗(S11,S22)頻率特性模擬分析結果。

由Smithchart可知圖中有S11與S22兩條特性曲線,它的中心是50Ω阻抗(impedance),VSWR是圖中1.0的點。

從Smithchart的中心(50Ω)描繪的兩個同心圓表示VSWR,內側圓的VSWR為1.5,外側圓的VSWR為2.0。

由圖8(a)可知emitter直接與ground連接的場合,880MHz的輸入阻抗S11與輸出阻抗S22幾乎都是50Ω,由此可知兩者接近一致(matching)。

groundpad在2.0(LX=2.0mm)的位置時,880MHz的輸出入阻抗是在VSWR=2.0圓的外側上,大幅偏離50Ω的整合條件。

(a)emitter直接與ground連接時的阻抗特性

(b)距離emitterpad2mm設有groundvia時的阻抗特性

圖8Emitter的pad至groundvia的距離造成阻抗特性的差異

根據以上模擬分析結果可知為了獲得良好的高頻電路特性,因此高頻電子元件的groundvia必需設在pad的近傍。

‧大直徑via較有利

圖6的Transistoremitterpad分別設有直徑0.4mm與0.2mm的via,如果與圖9的電路作增幅特性差異比較,此處假設via直徑以外的條件,例如模擬分析手法與圖6設有via完全相同,且為0.001mm。

根據以上測試條件獲得如圖10所示的通過特性,需注意的是圖10的via直徑分別是0.4mm與0.2mm;

表5是兩者的等化差異,由表5可知不同的via直徑會造成-0.5~-0.6dB的等化差異,

如果與表5的「emitter直接與ground連接時的通過特性」比較時,via直徑0.4mm的等化值為-1.3~-1.9dB;

via直徑0.2mm的等化值為-1.8~-2.5dB。

圖11是via直徑為0.4mm與0.2mm時的輸出入阻抗特性,由圖11可知via直徑為0.4mm的VSWR為1.4;

via直徑為0.2mm的VSWR為1.6,也就是說直徑為0.4mm的via對整合狀態的影響比較小。

圖9870~890MHz高頻增幅器的電路(模擬分析用電路)

圖10不同的groundvia直徑離造成通過特性的差異

groundvia直徑0.4mm

groundvia直徑0.2mm

12.715

12.0742

-0.6408

14.5017

13.9251

-0.5766

14.2372

13.7487

-0.4885

表5不同的groundvia直徑造成等化的差異(模擬分析)

圖11不同的groundvia直徑造成等化的差異(Smithchart)

印刷電路板的安全規範

設計高電壓刷電路板的pattern時,通常導體pattern的間隙必需比設計基準最小值大20%,主要原因是為了減少突發狀況對電路的傷害。

不過值得注意是有安全規範認證需求的場合則與設計基準無關,尤其是50V以上電壓系統的電路板,必需嚴守安全規範規定的導體pattern間隙,設計電路板的pattern。

‧將製作誤差列入考慮

實際設計刷電路板pattern時需將製作誤差列入考慮,尤其是導體pattern間隙必需低於設計基準值,因為實際製作過程不可能沒有製作誤差,亦即:

‧典型的導體pattern間隙

表6~8是典型的導體pattern間隙,雖然並非所有的印刷電路板都使用與典型導體pattern間隙相同條件,不過事前的規格調查作業卻非常重要。

表6日本地區有關導體pattern間隙的電氣用品安全規格值

電壓

大於50V,小於150V

大於150V,小於300V

沿面/空間

沿面(mm)

空間(mm)

Resistcoating

一次端

安全規格

2.5

1.5

3

2

製品規格

2.9

1.6

3.4

2.1

設計基準

1.7

3.5

2.2

二次端

接地端

--

0.25

表7將製品規格值與設計基準值列入考慮時的導體pattern間隙值(日本地區)

圖12導體pattern的間隙(日本地區)

 電壓

一次端⇔一次端

4.8

3.2

一次端⇔二次端

一次端⇔接地端

二次端⇔接地端

表8有關導體pattern間隙的電氣用品安全規格值(北美地區)

4

表9有關導體pattern間隙的電氣用品安全規格值(歐洲地區)

圖13導體pattern的間隙(歐洲地區)

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