半导体器件基础习题三Word文档下载推荐.docx
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解:
由
先计算
故
再计算
代入
可得
2,已知硅栅N沟MOSFET的P型衬底掺杂浓度
NA=1.5×
1015atoms/cm3,栅氧化层厚度dsio2=1000Å
多晶硅中掺入磷的浓度
1018atoms/cm3
求MOSFET的阈值电压。
根据给出的数据,可以算出
3,硅栅N沟MOSFET场区氧化层厚度dsio2=104Å
氧化层中固定正电荷密度
QSS/q=1011atoms/cm2
如果在场区增加掺杂浓度
NA=5×
1015atoms/cm3
试求厚膜场区的阈值电压。
这时因为有
根据数据可得
4.铝栅N沟MOSFET的P型衬底掺杂浓度
NA=2.0×
1015atoms/cm3
氧化层厚度
dsio2=1500Å
铝的功函数
Wm=4.20eV
P型硅掺杂浓度为NA=1.5×
1016atoms/cm3时的功函数
Wsi=4.97eV
试求氧化层中固定正电荷密度分别为
QSS/q=5×
1010atoms/cm2
1011atoms/cm2
时的阈值电压。
考虑功函数差UMS和氧化层中的电荷QSS:
功函数差
UMS=4.20V-4.97V=-0.77V
计算
阈值电压
UT
=-0.77V–0.47V+0.1V+0.66V
=-0.48V
5.试问图示MOSFET处于饱和状态还是非饱和状态?
图(a)是P沟MOSFET,衬底接地,
因为
|UDS|>|UGS|-|UT|
即
8V>(5-3)V,
所以处于饱和工作状态。
图(b)是N沟MOSFET,衬底也接地
由于
UDS>UGS–UT
即
9V>(8-2)V
也处于饱和工作状态。
图(c)是衬底接负偏压的N沟MOSFET,
UDS<UGS–UT
8V<(12-2)V
将处于非饱和工作状态。
图(d)是饱和工作状态的MOSFET,沟道端电压(沿沟道的电压降)固定在
18-3V=15V
出师表
两汉:
诸葛亮
先帝创业未半而中道崩殂,今天下三分,益州疲弊,此诚危急存亡之秋也。
然侍卫之臣不懈于内,忠志之士忘身于外者,盖追先帝之殊遇,欲报之于陛下也。
诚宜开张圣听,以光先帝遗德,恢弘志士之气,不宜妄自菲薄,引喻失义,以塞忠谏之路也。
宫中府中,俱为一体;
陟罚臧否,不宜异同。
若有作奸犯科及为忠善者,宜付有司论其刑赏,以昭陛下平明之理;
不宜偏私,使内外异法也。
侍中、侍郎郭攸之、费祎、董允等,此皆良实,志虑忠纯,是以先帝简拔以遗陛下:
愚以为宫中之事,事无大小,悉以咨之,然后施行,必能裨补阙漏,有所广益。
将军向宠,性行淑均,晓畅军事,试用于昔日,先帝称之曰“能”,是以众议举宠为督:
愚以为营中之事,悉以咨之,必能使行阵和睦,优劣得所。
亲贤臣,远小人,此先汉所以兴隆也;
亲小人,远贤臣,此后汉所以倾颓也。
先帝在时,每与臣论此事,未尝不叹息痛恨于桓、灵也。
侍中、尚书、长史、参军,此悉贞良死节之臣,愿陛下亲之、信之,则汉室之隆,可计日而待也
。
臣本布衣,躬耕于南阳,苟全性命于乱世,不求闻达于诸侯。
先帝不以臣卑鄙,猥自枉屈,三顾臣于草庐之中,咨臣以当世之事,由是感激,遂许先帝以驱驰。
后值倾覆,受任于败军之际,奉命于危难之间,尔来二十有一年矣。
先帝知臣谨慎,故临崩寄臣以大事也。
受命以来,夙夜忧叹,恐托付不效,以伤先帝之明;
故五月渡泸,深入不毛。
今南方已定,兵甲已足,当奖率三军,北定中原,庶竭驽钝,攘除奸凶,兴复汉室,还于旧都。
此臣所以报先帝而忠陛下之职分也。
至于斟酌损益,进尽忠言,则攸之、祎、允之任也。
愿陛下托臣以讨贼兴复之效,不效,则治臣之罪,以告先帝之灵。
若无兴德之言,则责攸之、祎、允等之慢,以彰其咎;
陛下亦宜自谋,以咨诹善道,察纳雅言,深追先帝遗诏。
臣不胜受恩感激。
今当远离,临表涕零,不知所言。