化合物半导体.ppt

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信号与系统信号与系统化合物半导体材料主讲：

申慧11信号与系统信号与系统在这个堪称最高水平的精密制造产业，中国正在爆发！

.集成电路产业是中国产业升级的重中之重，汽车是人类第一大工业，绝大多数的外资车企，在中国销售的车辆都是在中国制造;在中国集成电路的设计、制造、封装三大环节之中，制造目前是最弱小，差距最大的部分。

在世界集成电路制造领域，总的来说台湾最为强大。

2016年，全球排名前十的芯片代工厂商如下:

1.台积电:

市场占有率为59%,2.美国格罗方德,市场占有率为11%,3.台湾联华电子,4.中国大陆中芯国际,5.台湾力晶科技,6.美国TowerJazz,7.世界先进积体电路,8.中国华虹半导体,9.韩国DongbuhiTek10.德国X-Fab2信号与系统信号与系统.中国在集成电路制造领域，最先进规模最大的就是中芯国际，华虹宏力的最高水平制程，只有90纳米，华虹是全球最大的智能卡（包括第二代居民身份证、社保卡、手机SIM卡、奥运会门票、世博会门票、金融IC卡等）IC的代工厂。

下图中国最大的十家集成电路制造商，除开在中国大陆设厂的外资企业以外，只有5家：

中芯国际，华润微电子，华虹宏力，华力微电子，西安微电子技术研究所。

上海华力微电子目前是国家重点扶持的集成电路制造企业，华力微电子二期第二座12英寸晶圆厂也在2016年投资347亿元动工，设计工艺为28-20-14nm，3信号与系统信号与系统uSi为代表的，第一代半导体材料uGaAs为代表的，第二代半导体材料uSiC及GaN为代表的宽禁带材料，第三代半导体材料。

包括材料本身和器件开发，仍在发展中。

半导体材料的发展44信号与系统信号与系统化合物半导体材料uIIIV族化合物半导体材料uIIVI族化合物半导体材料。

55信号与系统信号与系统66信号与系统信号与系统所谓III-V族化合物材料，应包括所有的三族元素（B、Al、Ga、In、Tl）和五族元素（N、P、As、Sb、Bi）结合而成的化合物，人们先后开展研究的有十几种。

其中作为电子信息材料研究、应用较多的有GaSb、InAs、InSb、GaN、GaP、GaAs、InP等几种。

lGaSb、InAs、InSb几种材料主要用于制作红外光电器件和霍尔器件等，相对来说，市场总量较小，发展前景受到限制。

lGaP材料属于间接带隙半导体，主要用于生产中、低亮度的发光管（LED），这一领域市场比较成熟，竞争十分激烈，并呈现逐步被GaAs基高亮度、超高亮度LED取代的趋势，发展前景不容乐观。

lGaAs、InP材料由于自身的固有优点，在微电子、光电子领域同时具有重要应用，成为III-V族化合物半导体材料的主要代表。

77信号与系统信号与系统常见的III-V化合物半导体化合物晶体结构带隙niunupGaAs闪锌矿1.421.31068500320GaP闪锌矿2.27150120GaN纤锌矿3.490010InAs闪锌矿0.358.110143300450InP闪锌矿1.356.91075400150InN纤锌矿2.054400AlN纤锌矿6.243001488信号与系统信号与系统晶体结构u闪锌矿：

ZnS，立方晶系，同结构的有：

SiC,GaAs,AlP,InSbu纤锌矿：

ZnS，六方晶系，同结构的有：

ZnO,AlN,GaN闪锌矿结构纤锌矿结构99信号与系统信号与系统III-V族化合物半导体性质

（1）带隙较大带隙大于1.1eV

（2）直接跃迁能带结构光电转换效率高（3）电子迁移率高高频、高速器件1010信号与系统信号与系统GaAs半导体u光电子领域直接带隙半导体，发光效率高，在LED照明等领域具有重要的应用前景；u微电子领域高频无线通讯等领域具有重要应用GaAs能带结构1111信号与系统信号与系统InP半导体1910年，蒂尔合成出InP，是最早制备出来的III-V族化合物；InP单晶体呈暗灰色，有金属光泽；室温下与空气中稳定，3600C下开始离解1212信号与系统信号与系统InP特性高电场下，电子峰值漂移速度高于GaAs中的电子，是制备超高速、超高频器件的良好材料；InP作为转移电子效应器件材料，某些性能优于GaAs；InP的直接跃迁带隙为1.35eV，正好对应于光纤通信中传输损耗最小的波段；InP的热导率比GaAs好，散热效能好；InP是重要的衬底材料；1313信号与系统信号与系统随着半导体材料的单晶制备及外延技术的发展和突破，并基于以下几方面原因，宽带隙半导体材料应运而生。

u耐高温、高热导、高耐压特性，发展高温（300）、高功率和低损耗电子器件；u高亮度发光管，从而使人类可以获得高重复性、长寿命的全色包括白光光源；u短波长激光器，束斑尺寸小，可实现高密度数据光存储，以及紫外探测器。

宽带隙半导体1414信号与系统信号与系统v近年来，随着半导体器件应用领域的不断扩大，特别是有些特殊场合要求半导体适应在高温、强辐射和大功率等环境下工作，传统的一和二代半导体无能为力。

v于是人们将目光投向一些被称为第三代宽带隙半导体材料的研究，如金刚石、SiC、GaN、ZnO和AlN等。

v这些材料的禁带宽度在2eV以上，拥有一系列优异的物理和化学性能。

1515信号与系统信号与系统高温宽带隙半导体材料，特别是SiC、GaN等，是研制高频大功率、耐高温、抗辐照微电子器件、电路的理想材料;国际军事高技术应用领域研发的重点和竞争的焦点之一！

1616信号与系统信号与系统u禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；u比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，u同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。

.17信号与系统信号与系统三代材料并不存在相互替代的关系，而是在应用上各有侧重。

硅材料的应用最为普及，是构成电子信息技术的主要支柱，砷化镓、磷化铟材料在工作速度、频率上优势明显，而碳化硅、氮化镓将在更高的工作温度和高频下更大的功率密度方面具有优势。

1818信号与系统信号与系统主要半导体材料基本特性物理量物理量SiGeGaAsGaNAlN3C-SiC6H-SiC金刚石金刚石带隙宽度带隙宽度（eV）1.120.671.433.376.22.363.05.5能带类型能带类型间接间接间接间接直接直接直接直接直接直接间接间接间接间接击穿场强击穿场强（MV/cm）0.30.10.06551.2-1.413-510电子迁移率电子迁移率（cm2/Vs）13503900850012003008004002200空穴迁移率空穴迁移率（cm2/Vs）480190040020014320901800热导率热导率（W/cmK）1.30.580.552.02.853.64.96-20饱和电子漂移速度饱和电子漂移速度（107cm/s）122.51.42.52.5晶格常数晶格常数（）5.435.665.653.1895.1863.1124.9824.35963.080615.11733.567键结合能（键结合能（eV）51919信号与系统信号与系统主要介绍内容vZnOvSiCvGaN2020信号与系统信号与系统氧化锌基本特性vZnO是一种具有半导体、发光、压电、电光、闪烁等性能的多功能晶体材料；vZnO是-族半导体，室温下，它的禁带宽度为3.4eV，激子结合能高达60MeV，其发光波长比GaN的蓝光波长还要短；vZnO带边发射在紫外区，非常适宜作为白光LED的激发光源材料，是半导体照明工程中的重要材料;对应紫外光的发射，可以开发短波长光电器件（如：

紫外发光二极管（UVLED）、紫外半导体激光器（UVLD），紫外探测器等）；vZnO与GaN的物理性能非常接近，晶格失配度很小，被认为是GaN生长最理想的衬底材料；vZnO及其在半导体、短波长发光器件等方面的研究已成为国际前沿领域中的研究热点；2121信号与系统信号与系统GaN衬底材料2222信号与系统信号与系统2323信号与系统信号与系统应用背景紫外二极管、紫外激光器、声表面波器件、透明电极2424信号与系统信号与系统ZnO单晶衬底材料GaN发光二极管激光器透明电极窗口材料稀土基LED的基质压电换能器表面波器件气敏传感器2525信号与系统信号与系统发展历史1959年，美国科学家Laudise使用水热法从1mol/L的NaOH溶液中生长出ZnO单晶；在随后二十年中，ZnO生长研究掀起一个小高潮，尝试多种生长方法，如助熔剂法、水热法、气相法等，但由于该晶体生长难度大，所得晶体尺寸很小，没有实用价值；在1980年以后的近二十年里，ZnO单晶体的生长研究几乎处于停滞不前的状态；近年来，用于高密度光存储技术的短波长光电器件的需求与日俱增，ZnO因其优良的物理、化学性能而又重新激起了人们的研究兴趣。

2626信号与系统信号与系统WillUVLasersBeattheBlues？

1997年，RobertF.Service在Science杂志上发表了WillUVLasersBeattheBlues?

的评论，高度评价了ZnO在紫外激光器中的应用前景，掀起了人们研究ZnO的热潮。

近年来，GaN、SiC等新型发光材料产业的迅速发展对高质量大尺寸ZnO单晶基片的需求越来越大。

1997年首次发现了ZnO室温紫外受激发射，正是由于ZnO的市场需求和本身特性，引起了人们的兴趣。

2727信号与系统信号与系统FESEMimagesofflower-shapedZnOnanostructuresseencomposedofhexagonalZnOnanorodsSideviewandtopviewofZnOnanorods纳米ZnO和ZnO薄膜也成为研究热点2828信号与系统信号与系统高电压输出ZnO纳米线发电机ZnO纳米环（a）基于垂直于基片生长的纳米线所设计的纳米发电机（VING）；（b）基于平行于基片多行生长的纳米线所设计的纳米发电机（LING）；（c）基于一行平行于基片生长的氧化锌纳米线所组成的纳米发电机；（d）在微小形变下能产生1.2伏输出电压的纳米发电机的光学照片；2929信号与系统信号与系统氧化锌纳米结构研究的世界领袖v2000年开始，利用纳米ZnO独特的半导体、光学和生物特性，合成出ZnO纳米带、纳米环和纳米螺旋。

v2006年，提出通过由压电材料合成的纳米线能将机械能转化为电能，并首次提出了纳米发电机原理，并将压电所产生的电场应用于控制半导体中载流子的输运过程，因此发明了压电电子学新概念和新领域。

王中林v1987年获亚利桑那州立大学物理学博士学位，现为美国佐治亚理工学院董事讲席讲授、工程学杰出讲席教授、纳米结构表征中心主任。

v他是中国科学院外籍院士，美国物理学会、美国科学促进会会士、美国显微镜学会和美国材料研究学会的会士（fellow）v在美国科学杂志发表论文10篇，英国自然杂志3篇，在自然子刊上发表6篇。

他发表的学术论文已被引用43,000次以上，是该校百年来单篇论文引用次数最多的论文作者和该校有史以来个人论文引用总次数之第一名。

是世界上在材料和纳米技术论文引用次数最多的前五位作者之一。

3030信号与系统信号与系统ZnO晶体结构纤锌矿构型（-ZnS）,六方晶系，空间群为P63mc,晶胞参数a=0.3252nm,c=0.5213nm,Z=2Zn2+形成六方密堆积,O2-填充一半的四面体间隙3131信号与系统信号与系统禁带宽度禁带宽度3.37eV本征载流子浓度本征载流子浓度1.7x1017/cm3激子束缚能激子束缚能60meV迁移率迁移率205cm2/V.s密度密度5.605g/cm3电阻率电阻率1012.cm熔点熔点1975热膨胀系数热膨胀系数2.90x10-6/K莫氏硬度莫氏硬度4.5热导率热导率1.160.08w/cm.K（Zn面面）1.100.09w/cm.K（O面面）ZnO基本性能3232信号与系统信号与系统ZnOGaN带隙类型带隙类型直接带隙直接带隙直接带隙直接带隙禁带宽度禁带宽度3.37eV3.36eV熔点熔点19752700电