研究性实验报告各向异性磁阻传感器与磁场测量Word文档下载推荐.docx
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二、实验原理
各向异性磁阻传感器AMR（AnisotropicMagneto-Resistivesensors）由沉积在硅片上的坡莫合金（Ni80Fe20）薄膜形成电阻。
沉积时外加磁场，形成易磁化轴方向。
铁磁材料的电阻与电流和磁化方向的夹角有关，电流与磁化方向平行时电阻Rmax最大，电流与磁化方向垂直时电阻Rmin最小，电流与磁化方向成θ角时，电阻可表示为：
R=Rmin＋（Rmax－Rmin）cos2θ
在磁阻传感器中，为了消除温度等外界因素对输出的影响，由4个相同的磁阻元件构成惠斯通电桥，结构如图1所示。
图1中，易磁化轴方向与电流方向的夹角为45度。
理论分析与实验表明，采用45度偏置磁场，当沿与易磁化轴垂直的方向施加外磁场，且外磁场强度不太大时，电桥输出与外加磁场强度成线性关系。
无外加磁场或外加磁场方向与易磁化轴方向平行时，磁化方向即易磁化轴方向，电桥的4个桥臂电阻阻值相同，输出为零。
当在磁敏感方向施加如图1所示方向的磁场时，合成磁化方向将在易磁化方向的基础上逆时针旋转。
结果使左上和右下桥臂电流与磁化方向的夹角增大，电阻减小ΔR；
右上与左下桥臂电流与磁化方向的夹角减小，电阻增大ΔR。
通过对电桥的分析可知，此时输出电压可表示为：
U＝Vb×
ΔR/R
（1）
式中Vb为电桥工作电压，R为桥臂电阻，ΔR/R为磁阻阻值的相对变化率，与外加磁场强度成正比，故AMR磁阻传感器输出电压与磁场强度成正比，可利用磁阻传感器测量磁场。
商品磁阻传感器已制成集成电路，除图1所示的电源输入端和信号输出端外，还有复位/反向置位端、补偿端两个功能性输入端口，以确保磁阻传感器的正常工作。
复位/反向置位端的作用是：
当AMR置于超过其线性工作范围的磁场中时，磁干扰可能导致磁畴排列紊乱，改变传感器的输出特性。
此时按下复位/反向置位端，通过内部电路沿易磁化轴方向产生强磁场，使磁畴重新沿易磁化轴方向整齐排列，恢复传感器的使用特性。
补偿端的作用是：
当4个桥臂电阻不严格相等，或是外界磁场干扰，使得被测磁场为零而输出电压不为零时，此时可调节补偿电流，通过内部电路在磁敏感方向产生磁场，用人为的磁场偏置补偿传感器的偏离。
三、实验仪器介绍
实验仪结构如图2所示，核心部分是磁阻传感器，辅以磁阻传感器的角度、位置调节及读数机构，赫姆霍兹线圈等组成。
本仪器所用磁阻传感器的工作范围为±
6高斯，灵敏度为1mV/V/Guass。
当磁阻电桥的工作电压为1V，被测磁场磁感应强度为1高斯时，输出信号为1mV。
磁阻传感器的输出信号通常须经放大电路放大后，再接显示电路，故由显示电压计算磁场强度时还需考虑放大器的放大倍数。
本实验仪电桥工作电压5V，放大器放大倍数50，磁感应强度为1高斯时，对应的输出电压为0.25伏。
赫姆霍兹线圈是由一对彼此平行的共轴圆形线圈组成。
两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R。
这种线圈的特点是能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场，根据毕奥－萨伐尔定律，可以计算出赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度为：
式中N为线圈匝数，I为流经线圈的电流强度，R为赫姆霍兹线圈的平均半径，
为真空中的磁导率。
采用国际单位制时，由上式计算出的磁感应强度单位为特斯拉（1特斯拉＝10000高斯）。
本实验仪N＝310，R＝0.14m，线圈电流为1mA时，赫姆霍兹线圈中部的磁感应强度为0.02高斯。
实验仪的前面板示意图如图3所示。
恒流源为赫姆霍兹线圈提供电流，电流的大小可以通过旋钮调节，电流值由电流表指示。
电流换向按钮可以改变电流的方向。
补偿（OFFSET）电流调节旋钮调节补偿电流的方向和大小。
电流切换按钮使电流表显示赫姆霍兹线圈电流或补偿电流。
图3仪器前面板示意图
传感器采集到的信号经放大后，由电压表指示电压值。
放大器校正旋钮在标准磁场中校准放大器放大倍数。
复位（R/S）按钮每按下一次，向复位端输入一次复位脉冲电流，仅在需要时使用。
四、实验内容
1、测量前的准备工作
连接实验仪与电源，开机预热20分钟。
将磁阻传感器位置调节至赫姆霍兹线圈中心，传感器磁敏感方向与线圈轴线一致。
调节赫姆霍兹线圈电流为零，按复位键恢复传感器特性，调节补偿电流以补偿地磁场等因素产生的偏离，使传感器输出为零。
调节赫姆霍兹线圈电流至300mA（线圈产生的磁感应强度6高斯），调节放大器校准旋钮，使输出电压为1.500伏。
2、磁阻传感器特性测量
a.测量磁阻传感器的磁电转换特性
磁电转换特性是磁阻传感器最基本的特性。
磁电转换特性曲线的直线部分对应的磁感应强度，即磁阻传感器的工作范围，直线部分的斜率除以电桥电压与放大器放大倍数的乘积，即为磁阻传感器的灵敏度。
按表1数据从300mA逐步调小赫姆霍兹线圈电流，记录相应的输出电压值。
切换电流换向开关（赫姆霍兹线圈电流反向，磁场及输出电压也将反向），逐步调大反向电流，记录反向输出电压值。
各测量值记录如下：
表1AMR磁电转换特性的测量
线圈电流（mA）
300
250
200
150
100
50
-50
-100
-150
-200
-250
-300
磁感应强度（高斯）
6
5
4
3
2
1
-1
-2
-3
-4
-5
-6
输出电压（V）
1.500
1.268
1.026
0.772
0.520
0.261
0.004
-0.258
-0.514
-0.765
-1.007
-1.239
-1.461
作图如下：
由上图可知，传感器在-6至6高斯范围内都处于线性工作状态。
选取图中A，B两点计算斜率：
k=
V/Gauss=0.2517V/Gauss
则传感器灵敏度为：
K=k/（5V*50）=（0.2517/5*50）V/V/Gauss=1.01mV/V/Gauss
误差主要来源：
传感器未严格处于线圈中心。
3、测量磁阻传感器的各向异性特性
AMR只对磁敏感方向上的磁场敏感，当所测磁场与磁敏感方向有一定夹角α时，AMR测量的是所测磁场在磁敏感方向的投影。
由于补偿调节是在确定的磁敏感方向进行的，实验过程中应注意在改变所测磁场方向时，保持AMR方向不变。
将赫姆霍兹线圈电流调节至200mA，测量所测磁场方向与磁敏感方向一致时的输出电压。
松开线圈水平旋转锁紧螺钉，每次将赫姆霍兹线圈与传感器盒整体转动10度后锁紧，松开传感器水平旋转锁紧螺钉，将传感器盒向相反方向转动10度（保持AMR方向不变）后锁紧，记录输出电压数据于表2中。
测量数据记录如下：
表2AMR方向特性的测量磁感应强度4高斯
夹角α（度）
10
20
30
40
60
70
80
90
1.018
1.005
0.964
0.899
0.803
0.674
0.527
0.355
0.168
-0.019
由图可知，当α由0°
增加到90°
时，U逐渐减少到0，而而且减小的速率越来越快。
主要误差来源：
测量过程中无法保证AMR方向不变及方向的准确性。
4、赫姆霍兹线圈的磁场分布测量
赫姆霍兹线圈能在公共轴线中点附近产生较广泛的均匀磁场。
a.赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布测量
根据毕奥－萨伐尔定律，可以计算出通电圆线圈在轴线上任意一点产生的磁感应强度矢量垂直于线圈平面，方向由右手螺旋定则确定，与线圈平面距离为X1的点的磁感应强度为：
两线圈内的电流方向一致，大小相同，线圈匝数为N，线圈之间的距离d正好等于圆形线圈的半径R，若以两线圈中点为坐标原点，则轴线上任意一点的磁感应强度是两线圈在该点产生的磁感应强度之和：
式中B0是X＝0时，即赫姆霍兹线圈公共轴线中点的磁感应强度。
表3列出了X取不同值时B（X）/B0值的理论计算结果。
调节传感器磁敏感方向与赫姆霍兹线圈轴线一致，位置调节至赫姆霍兹线圈中心（X＝0），测量输出电压值。
已知R=140mm，将传感器盒每次沿轴线平移0.1R，记录测量数据。
表3赫姆霍兹线圈轴向磁场分布测量B0＝4高斯
位置X
-0.5R
-0.4R
-0.3R
-0.2R
-0.1R
0.1R
0.2R
0.3R
0.4R
0.5R
B（X）/B0计算值
0.946
0.975
0.992
0.998
1.000
B（X）测量值（V）
0.983
1.009
1.022
1.027
1.024
1.015
0.999
0.965
B（X）测量值（高斯）
3.901
4.004
4.056
4.075
4.071
4.063
4.028
3.964
3.829
由图可知，在中心附近，磁场强度变化很小，在远离中心附近处，离中心越远磁感应强度变化越快。
移动过程中难以保证每次移动的距离为0.1R，且x=0处未严格处于线圈中心处。
b．赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量
由毕奥－萨伐尔定律，同样可以计算赫姆霍兹线圈空间任意一点的磁场分布，由于赫姆霍兹线圈的轴对称性，只要计算（或测量）过轴线的平面上两维磁场分布，就可得到空间任意一点的磁场分布。
理论分析表明，在X0.2R，Y0.2R的范围内，（BX－B0）/B0小于百分之一，BY/BX小于万分之二，故可认为在赫姆霍兹线圈中部较大的区域内，磁场方向沿轴线方向，磁场大小基本不变。
按表4数据改变磁阻传感器的空间位置，记录X方向的磁场产生的电压VX，测量赫姆霍兹线圈空间磁场分布。
表4赫姆霍兹线圈空间磁场分布测量B0＝4高斯
X
VX
Y
0.05R
0.15R
0.25R
1.023
1.019
1.025
1.020
1.029
1.030
1.031
1.032
1.034
1.035
1.038
1.041
空间磁场分布特点：
当X处于0~0.15R，Y处于0~0.1R时，B基本不变
当X处于0~0.1R时，随着Y增大，B先增后减
当X处于0.15~0.3R时，B随Y增大而增大
当Y处于0~0.15R时，随着X增大，B先增后减
当Y处于0.2~0.3R时，随着X增大，B增大
为了更加直观的表示赫姆霍兹线圈空间磁场分布特点，做出三维图如下：
由图可知，赫姆霍兹线圈空间磁场分布与上诉文字描述一致。
5、地磁场测量
地球本身具有磁性，地表及近地空间存在的磁场叫地磁场。
地磁的北极，南极分别在地理南极，北极附近，彼此并不重合，可用地磁场强度，磁倾角，磁偏角三个参量表示地磁场的大小和方向。
磁倾角是地磁场强度矢量与水平面的夹角，磁偏角是地磁场强度矢量在水平面的投影与地球经线（地理南北方向）的夹角。
在现代数字导航仪等系统中，通常用互相垂直的三维磁阻传感器测量地磁场在各个方向的分量，根据矢量合成原理，计算出地磁场的大小和方位。
本实验学习用单个磁阻传感器测量地磁场的方法。
将赫姆霍兹线圈电流调节至零，将补偿电流调节至零，传感器的磁敏感方向调节至与赫姆霍兹线圈轴线垂直（以便在垂直面内调节磁敏感方向）。
调节传感器盒上平面与仪器底板平行，将水准气泡盒放置在传感器盒正中，调节仪器水平调节螺钉使水准气泡居中，使磁阻传感器水平。
松开线圈水平旋转锁紧螺钉，在水平面内仔细调节传感器方位，使输出最大（如果不能调到最大，则需要将磁阻传感器在水平方向转动180度后再调节）。
此时，传感器磁敏感方向与地理南北方向的夹角就是磁偏角。
松开传感器绕轴旋转锁紧螺钉，在垂直面内调节磁敏感方向，至输出最大时转过的角度就是磁倾角，记录此角度。
记录输出最大时的输出电压值U1后，松开传感器水平旋转锁紧螺钉，将传感器转动180度，记录此时的输出电压U2，将U=（U1－U2）/2作为地磁场磁感应强度的测量值（此法可消除电桥偏离对测量的影响）。
表5地磁场的测量
磁倾角（度）
磁感应强度
U1（V）
U2（V）
U=（U1－U2）/2（V）
B=U/0.25（高斯）
65°
0.246
-0.194
0.220
0.88
周围环境磁性物质的影响
五、思考题
推导公式一：
如图所示，Ua=
（R+ΔR）=
（R+ΔR）
UC=
（R-ΔR）=
（R-ΔR）
则输出电压为：
U=Uac=Ua-Uc=
（R+ΔR）-
六、误差分析
1、传感器未严格处于线圈中心。
2、测量过程中无法保证AMR方向不变及方向的准确性。
3、移动过程中难以保证每次移动的距离为0.1R，且x=0处未严格处于线圈中心处。
4、外界环境中的磁性物质的的干扰，如随身携带的铁磁性物质、手机等，还有周围的建筑的影响。
七、AMR传感器的应用举例
1、AMR传感器可以用来检测车辆是否存在，用于停车场的车位指示，让司机选择车停在何处，其原理是利用AMR传感器探测车辆对地磁场的扰动，从而识别车辆。
2、可用于热水器等的流量监测（桨叶旋转的检测）
原理：
当有液体流过时，推动桨叶转动，使其旋转，当液体流速越大时，桨叶旋转越快，相应周期也就减小，通过在某个桨叶上安装磁性材料，在管外安装AMR传感器，可检测到管内磁场变化，当桨叶旋转一个周期时，AMR电阻也变化一个周期，因此通过检测传感器便可监测流量。
八、实验感想
通过本次试验，我们对AMR传感器有了一个认识和理解，同时对我们身边看不见摸不见的地磁场有了一个感官的认识，并对地磁场的一些参数有了了解。
更重要的是通过这次实验对我们利用已有的知识来设计一些实验，解决一些实际问题提供了思路，这将对我们未来的工作和学习有很大的帮助。
不知不觉一学年的基础物理实验已经接近了尾声，期间我们不仅收获到了知识也收获了快乐。
一学年的实验加深了我们对课本知识的理解，更为我们提供了用课本知识来研究问题，解决问题的思路。
通过做这些实验，我们不应该仅仅学到该怎样来做一个实验或者怎样来处理一个实验报告，我们更要学会思考，学会用这些实验给我们的启示来研究一个问题，解决一个问题。
一学年的实验也教会了我们要以一个严谨的态度来对待科学，不能敷衍了事，学会以一个科学工作者的严谨求实的态度去做事。
最后，我们想向负责我们实验的所有老师表达我们的感谢和敬意，感谢你们认真的指导我们做实验，感谢你们认真的批改我们的实验报告，老师，你们辛苦了！
参考文献
[1]北航基础物理实验讲义.
[2]李朝荣，徐平，唐芳，王慕冰.基础物理实验（修订版）.北京：
北京航空航天大学出版社，2010
[3]钟锡华，陈熙谋主编；
陈秉乾，王稼军编著.大学物理通用教程.电磁学.北京：
北京大学出版社,2003.5
附录——原始实验数据（影印版）
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