晶体二极管及应用练习题演示教学文档格式.docx
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13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：
在偏置电压作用下，流过二极管的
电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：
在正偏压较低（即：
低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；
当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：
在偏置电压的作用下，流过二极管的
随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：
在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于
后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
在此区域内，流过二极管的反向电流随反向偏压的变化而变化，其等效电阻。
19、由上述17、18题分析可知，①、流过二极管的电流与二极管两端所加的偏置电压的变化关系是不成比例，在坐标系中描述的曲线，故二极管被称为元件。
②、二极管正偏导通是有
的，并不是只要加上正偏压就，而是加上正偏压且大于后导通。
20、稳压二极管工作于状态；
发光二极管工作于状态；
光敏二极管工作于状态；
变容二极管工作于状态，且
等效电容量越小。
21、用万用表判断半导体的电极，测试性能时，是用万用表的量程档，万用表在电阻档时，它相当于一个，且红表笔是极，黑表笔是极。
22、二极管正负极的判断：
将万用表置于量程档，注意，然后将红、黑表笔分别与二极管两电极相接：
若指针偏转角度较大（大于表盘1/2），其等效电阻，说明二极管处于偏，则与黑表笔相接的是极，与红表笔相接的是极；
若指针偏转较低（小于表盘1/2），甚至不动，其等效电阻，说明二极管处于
偏，则与黑表笔相接的是极，与红表笔相接的是极。
23、将转换为的电路称为电路，常见的整流电路有、、三种。
24、整流电路的作用是。
25、将中的成份滤掉的电路称为滤波电路，常见的滤波电路有、、。
26、电容滤波是将滤波电容与负载联，这只电容是的电容。
它是利用电容的特性来滤波的，它向提供电流，带负载能力。
27、电感滤波是将滤波电感与负载联，它是利用电感的特性滤波的，它向负载提供的电流，带负载能力。
28、用万用表R×
100测得二极管的电阻为600Ω，则与红表笔相接的电极为
29、用万用表测得二极管的正反向电阻均接近0，表明该二极管已，若测得二极管的正反向电阻均为无穷大，表明该二极管已。
30、复试滤波的滤波效果比单一的电容或电感的滤波效果好，其中的滤波效果最佳。
二、选择题。
1、下列哪个不是半导体的特性（）。
A光敏性B热敏性C湿敏性D掺杂性
2、半导体少数载流子产生的原因是（）。
A外电场B内电场C外界激发D掺杂
3、半导体多数载流子产生的原因是（）。
4、半导体内部的载流子是（）。
A空穴B自由电子C正负离子D空穴和自由电子
5、下列几种类型的半导体，哪种不含杂质（）。
A本征半导体BP型半导体CN型半导体DPN结
6、自由电子数多于空穴数的半导体是（）。
A本征半导体BP型半导体CN型半导体DPN结
7、PN结特点是（）。
A导电性B不导电性C单向导电性D双向导电性
8、声控灯中使用的半导体器件是利用了半导体的（）。
A光敏性B热敏性C掺杂性D压敏性
9、小区住房楼梯的触摸开关控制楼道灯的亮暗是利用半导体的（）。
10、现有A、B、C、D四只二极管，他们的反向漏电流分别如下，则哪只二极管的性能最好（）。
AIA=6μABIB=9μACIC=12μADID=16μA
11、在P型半导体中（）。
A自由电子多于空穴B没有空穴
C没有自由电子D自由电子少于空穴
12、把电动势为1.5ⅴ的干电池以正向直接接到一个硅二极管的两端，则该管（）。
A电流为0B电流基本正常C击穿D电流过大而烧毁
13、二极管的两端加上正向电压时（）。
A一定导通B超过死区电压才能导通
C超过0.7V才能导通D超过0.3V才能导通
14、某二极管的反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压为（）。
A约小于150VB约大于150VC约等于150VD等于75V
15、某型号二极管的最大整流IOM=500mA,则该二极管的实际电流不能（）。
A大于500mAB等于500mAC小于500mAD无法确定
16、图一给出了硅二极管和锗二极管的典型伏安特性曲线，其中硅二极管的伏安特性曲线是（）。
AAODBAOCCBODDBOC
R
（一）
17、图二所示电路中，工作于正常导通状态的硅二极管是（）。
10VVD7V
D
C
B
A
-100VVD-50V
5VVD4V
10VVD9.8V
（二）
18、图三中三个二极管的正向压降均忽略不计，
三个灯的规格一样，则最亮的灯是（）。
AM
BN
CL
（三）
D无法确定
19、二极管的伏安特性曲线表示二极管（）之间的关系。
A电流与电阻B电压与电阻C电流与电压D电压与时间
20、当硅二极管加上0.3V的正向偏压时，该二极管相当于（）。
A小阻值的电阻B大阻值的电阻C开关的断开D开关的接通
21、用万用表测二极管的正反向电阻来判断二极管的性能好坏，性能优良的二极管应该是（）。
A正反向电阻都等于0B正反向电阻都无穷大
C正反向电阻悬殊不大D反向电阻远远大于正向电阻
22、整流时，二极管承受反向电压出现在二极管（）。
A截止时B导通时C由截止转导通时D由导通转截止时
23、在单相桥式整流电容滤波电路中，变压器次级电压u2，当负载开路时，则输出电压为（）。
AUO=0.45U2BUO=0.9U2CUO=1.2U2DUO=1.4U2
24、在单向桥式整流电路中，若其中任意一只二极管内部断路，（或虚焊接触不良），产生的后果是（）。
AUO不变BUO上升CUO下降D烧毁电源
25、在单相桥式整流电路中，若其中任意一只二极管内部短路，产生的结果是（）。
26、在单向桥式整流电路中，若输出电压为45V，则此二极管承受的反向工作电压不小于（）。
A100VB50VC100
VC50
V
27、整流电路加电容滤波后，下列说法正确的是（）。
A 二极管的导通时间变长 B 二极管导通时间变短
C 二极管导通时间不变 D 无法判断
2８、整流电路加电容滤波后，下列说法正确的是（）。
Ａ 输出电压提高 B输出电压降低
C 输出电压不变D 无法确定
２９、图四中的滤波电路正确的是（）。
三、判断题（正确的打√，错的打×
并改正）。
1、半导体的导电性能随外界温度、光照或掺杂不同而发生变化。
（）
2、绝缘体是绝对不导电的物体。
3、掺杂特性是半导体区别于导体的一个重要特征。
4、P型半导体是在本征半导体中掺入6价元素，而形成的一种杂质型半导体。
5、N型半导体是在本征半导体中掺入2价元素，而形成的一种杂质型半导体。
6、P型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
7、N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
8、PN结内电场的方向是由P区指向N区。
9、在半导体内部，只有电子参与导电。
10、二极管只要加上正偏电压一定导通。
11、硅二极管加上正偏压0.4V就能导通。
12、二极管正向导通后，其正向管压降约为0.7V。
13、用万用表测二极管反向电阻时，插在标有“+”号插孔中的红表笔应接二极管的正极。
14、用万用表的不同电阻档测量二极管的正向电阻，读数都一样。
15、通常硅二极管的正向电压降比锗二极管大，反向饱和电流比锗管小。
16、发光二极管正偏导通后能发光。
17、任何类型二极管均可工作在反向的击穿区。
18、变容二极管工作在反偏状态，且反偏压越大等效电容的容量越大。
19、单相桥式整流电路中流过二极管的电流和流过负载的电流相等。
20、在相同的输入电压条件下，单相桥式整流电路输出的直流电压是半波整流输出电压的2倍。
21、在输出直流电压相等的条件下，单相桥式整流和半波整流中二极管承受的反偏压相同。
22、在单相半波整流电路中，将二极管正、负对调，就能使输出直流电压的极性改变。
23、电容滤波电路中C越大，滤波效果越好。
24、电容滤波电路，在开始通电的瞬间，有较大的充电电流冲击整流二极管，容易造成整流二极管损坏。
25、电容滤波电路RL越小，滤波效果越差，所以电容滤波电路带负载能力差。
26、电感滤波电路中，L越大滤波效果越好，但L越大会使电路体积大、笨重、成本变高。
27、复式滤波比任何一个单一的滤波电路的滤波效果好。
四、作图题。
1、画出普通二极管、发光二极管、光敏二极管、稳压二极管、变容二极管的电路符号并标出正负极。
2、画出二极管的伏安特性曲线，并标出各区域，简述各区域特性。
3、画出硅稳压二极管构成的单向稳压电路，并简述稳压原理。
4、画出单相半波整流、单相桥式整流电路图，简述其工作原理，画出输入、出波形图。
5、画出单相半波整流电容滤波电路图，并简述电容滤波原理，画出输入、出电压波形图。
6、画出单相桥式整流电感滤波电路，并简述电感滤波原理。
7、画出电源组成框图与各部分电压波形图，并简述各部分作用。
五、名词解释。
1、导体
2、绝缘体
3、半导体
4、本征半导体
5、N型半导体
6、P型半导体
7、PN结
8、扩散运动
9、漂移运动
10、偏置
11、正偏
12、反偏
3、二极管的伏安特性
14、二极管的伏安特性曲线
15、死区电压
16、饱和电流
17、反向击穿
18、击穿电压
19、电击穿
20热击穿
21、最大整流电流IOM
22、最高反向工作电压URM
23、整流
24、整流电路
25、滤波
26、滤波电路
27、光电流
28、暗电流
六、简答题。
1、半导体有哪些特性，各特性的含义？
2、N型半导体为什么称为电子型半导体？
3、P型半导体为什么称为空穴型半导体？
4、二极管为什么是非线性元件？
七、分析题。
1、试分析PN结的单向导电性。
2、若将桥式整流电路接成图（五）所示，试分析会引起什么后果，为什么？
试改之。
（五）
3、试分析桥式整流电路任一二极管断路、断路、接反会出现什么后果？
八、计算题。
1、在单相桥式整流电路中，若输出直流电压U0=18V，负载电流为1A，则变压器二次电压为多少？
整流二极管承受的最大方向电压UR为多少？
流过二极管的平均电流为多少？
2、整流滤波电路如图（六）所示，变压器次级电压u2=20
SinwtV，求出电路在下列四种情况下输出的直流电压U0：
（六）
（1）S1、S2都闭合；
（2）S1、S2都断开；
（3）S1闭合S2断开；
（4）S1断开S2闭合。
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