TLV3501文档格式.docx
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电源电压。
。
+5.5V，
信号输入端子，电压
（2）。
（V）-0.3V（V+）+0.3V
信号输入端子，电流
（2）。
10毫安
输出短路（3）。
74毫安
工作温度。
-40°
C至+125°
C
存储温度。
-65°
C至+150°
结温。
+150°
铅温度（焊接，10S）。
300°
额定ESD（人体模型）。
3000V
带电器件模型（CDM）。
500V
（1）强调以上这些收视率可能会造成永久性损坏。
长时间暴露在绝对最大条件
可能会降低设备的可靠性。
这些仅仅是极限参数，并
设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出指定的那些不支持。
（2）输入端子二极管钳位的电源轨。
输入信号的摆幅可超过0.3V超出供应
导轨应电流为10mA或更小有限。
（3）短路到地，其中一个比较每包。
该集成电路可被ESD损坏。
得克萨斯州
NI建议所有集成电路
处理适当的预防措施。
不遵守
妥善处理和安装程序，可以造成损害。
ESD损害的范围可以从细微的性能退化
完整的设备故障。
精密集成电路可能更
容易受到损害，因为非常小的参数变化
导致设备不能满足其公布的规格。
订货信息
（1）
产品包装引线封装代号封装标识
TLV3501采用SOT23-6DBVNXA
TLV3501的SO-8个DTLV3501A
TLV3502SOT23-8封装的DCNNXC
TLV3502的SO-8个DTLV3502A
1）是由1引脚SOT23-6封装标识上图所示方向。
（2）NC表示没有内部连接。
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电气特性（
黑体字限额适用于在指定的温度范围内，TA=0.40ΣC125ΣC。
在TA=+25ΣC和VS=2.7V至+5.5V，除非另有说明。
TLV3501，TLV3502
参数条件最小典型最大单位
失调电压
（1）输入失调电压VOSVCM=0V，IO=0毫安【1【6.5毫伏
与温度dVOS/DT，TA=0.40ΣC至+125ΣC【5レV/ΣC
与电源PSRRVS=2.7V至5.5V100400レV/V，
输入迟滞6MV
输入偏置电流
输入偏置电流IB的VCM=VCC/2【2【10PA
输入偏置电流
（2）内部监督办公室的VCM=VCC/2【2【10帕
输入电压范围
共模电压范围VCM（V）。
0.2V（V+）+0.2V
共模抑制共模抑制比（CMRR）的VCM=.0.2V至（V+）+0.25770分贝
VCM=.0.2V至（五）+0.2V55分贝
输入阻抗
共模10132ヘpF的
4ヘpF的差分1013
开关特性
传输延迟时间（3）T（PD）螖VIN=100mV时，高速=20mV的4.56.4NS
螖VIN=100mV时，高速=20mV的7NS
螖VIN=100mV时，高速为5mV7.5=10ns的
螖VIN=100mV时，高速=5mV的12纳秒
传播延迟偏差（4）螖T（歪斜）螖VIN=100mV的，高速=20mV的0.5纳秒
最大切换频率fmax高速=50mV的，VS=5V80兆赫
TR1.5ns的上升时间（5）
下降时间（5）TF1.5纳秒
输出
输出电压从铁路的VOH，VOLIOUT=卤1毫安3050毫伏
关机
TOFF为30ns
的tON为100ns
VL（比较器使能）（6）（V+）。
1.7VV
VH（比较器被禁止）（6）（V+）。
0.9VV
关断引脚2pA的电流输入偏置
IQSD（关机静态电流）2渭一个
电源供应器
指定的电压和2.7〜+5.5V
工作电压范围2.2至5.5V
静态电流IQVS=5V，VO=高3.25mA的
温度范围
指定范围0.40125掳彗星
经营范围：
0.40125掳彗星
存储范围0.65150掳彗星
热电阻司法机构政务长
采用SOT23-5200掳C/W，
SOT23-8200掳C/W，
SO-8150
（1）被定义为平均的积极和负面的开关阈值的VOS。
（2）之间的差别IB+和IB。
（3）传播延迟，不能准确地测量与低过载自动测试设备。
此参数是保证
100mV的过载特性和测试。
（4）持续高传播延迟和传播延迟之间的差异变低。
（5）之间测量VS10％和90％的VS。
（6）当关断引脚在最积极的供应0.9V是，部分被禁用。
当它超过1.7V以下的最积极的供应，
部分启用
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应用信息
TLV3501和TLV3502都具有高速
内部的滞后反应和包括6MV
改善与输入共模噪声抑制能力
范围可超出电源轨0.2V。
一个停机引脚允许器件进入空闲时，
在不使用。
当关断引脚高电平时，器件
约2μA绘制和输出变为高阻抗。
当关断引脚低，TLV3501是可用的。
TLV3501关机功能不使用时，只需
最负电源关断引脚连接，作为
如图1所示。
走出来的，大约需要100ns的
关断模式。
TLV3502没有
关机功能。
VIN
VREF
VOUT
VS
0.1μF2.2μF
图1。
TLV3501的基本连接
工作电压
TLV3501比较器都被指定为一个单一的使用
电源+2.7V至+5.5V（或从±
1.35V双电源供电
±
2.75V）在一个温度范围为-40°
C至+125°
C。
器件将继续低于此范围的功能，但
未指定性能。
增加外部滞回
TLV350x有一个强大的性能与使用时
良好的布局。
然而，比较器的输入噪音小
指定的偏移电压范围内的免疫力
（±
5mV的）。
对于滞销或嘈杂的输入信号，
输入比较器的输出可能会显示多个开关
信号通过开关阈值移动。
在这种
应用程序，内部滞回的TLV350x6MV
可能没有足够。
情况下，较大的噪声
免疫力需要，可能会增加外部滞回
连接少量的积极反馈
输入。
图2显示了一个典型的拓扑结构，用于引入
25mV的额外的滞后，为总31mV
从单一5V电源操作时的滞后。
共有
滞后是近似公式1：
VHYST？
（五）R1
R1的？
R2
6MV
VHYST需要设置过渡电压值
通过扩大阈值开关比较器输出
区域，从而减少对噪声的敏感性。
图2。
添加滞后的TLV350x
输入过电压保护
设备投入将ESD二极管保护
进行，如果输入电压超过电源
超过约300mV的。
瞬间电压
电源可大于300mV的更大的超越
输入电流10mA的电流是有限的，如果容忍。
这限制
很容易实现与串联一个小的输入电阻
比较，如图3所示。
图3。
输入电流电压保护
超过电源电压
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张弛振荡器
TLV350x可以作为一个简单而方便地进行配置
廉价的张弛振荡器。
在图4中的R2
网络设置跳闸阈值在1/3和2/3的供应。
由于这是一个高速电路，电阻值
相当低，以减少寄生效应
电容。
积极输入候补之间的1/3
V+和V+取决于是否产量低2/3
或高。
充电时间一定要（或放电）0.69R1C。
因此，这一时期是1.38R1C。
对于62pF和1kΩ作为
如图4所示，输出计算为10.9MHz。
在9.6MHz振荡的这条赛道的实施。
寄生电容和元件公差解释
理论和实际表现之间的差异。
图4。
高速窗口比较器
一个窗口比较器电路是用来确定何时
两个电压信号。
TLV3502可以很容易地
用于创建一个高速窗口比较器。
VHI
是高电压阈值，和VLO的是低电压
阈值。
当VIN这两个阈值之间，
在图5中的输出是很高的。
图6显示了一个简单的方法
取得了积极的低输出。
请注意，参考
图5和之间的连接不同水平
图6。
任何一个电路的工作电压范围
2.7V至5.5V。
图5。
窗口比较高电平
窗口比较低有效
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PCB布局
对于任何高速比较器或放大器，适当的设计
印刷电路板（PCB）布局是必要的
最佳的性能。
过量的杂散电容。
积极投入，或不正确的接地，可以限制最大
高速电路的性能。
最大限度地减少阻力，从信号源
比较器的输入是必要的，为了尽量减少
整个电路的传播延迟。
源
沿输入和杂散电容与电阻的创建
一个RC滤波器，延迟的输入电压转换，并
减少高频信号的振幅。
“
输入电容的TLV350x流浪
结果在几个地面电容从输入引脚
皮法的电容。
用于电源的位置和类型的电容
绕过是高速比较器的关键。
建议2.2μF钽电容不需要被视为
靠近器件为0.1μF的电容，并可能
与其他设备共享。
2.2μF电容缓冲
电源线对石激起千层浪，和0.1μF的电容
在高频提供了一个比较负责
切换。
在高速电路，快速上升和下降开关
瞬变创建线之间的电压差
将在相同的电位直流。
为了减少这种影响，
地平面是经常被用来降低电压差
电路板内的潜力。
地平面有
的优势，最大限度地减少了杂散电容的影响
电路板提供一个更理想的路径
电流流过。
比地平面的信号跟踪，
在高频率的返回电流（地平面）
往往流权下的信号跟踪。
断裂处
地平面（如导致通孔和通孔的简单）
增加飞机的电感，从而降低
在更高的频率生效。
休息中的地平面
必要的孔应随机间隔。
图7显示了一个为TLV3501的SO-8的评价布局
包图8是为SOT23-5封装。
他们是
显示将信号上的SMA连接器和关闭
董事会。
RT1和RT2为+VIN端接电阻
和VIN的分别。
C1和C2是电源
旁路电容。
将最接近的0.1μF电容
比较。
地平面不显示，但
电阻器和电容器的连接垫，是
所示。
图9显示了该电路的原理图。
朗读
图7。
TLV3501D（SO-8）样板
图8。
TLV3501DBV（SOT23）样板
图9。
图7和图8示意图
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封装信息
订购的设备状态
（1）包装
类型
包
绘图
引脚封装
数量
环保计划
（2）铅/焊球涂层MSL峰值温度（3）
TLV3501AID主动SOICD875绿色环保（RoHS＆
无Sb/Br）
铜镍钯金级-2-260C-1年
TLV3501AIDBVR主动的SOT-23DBV63000绿色环保（RoHS＆
TLV3501AIDBVT主动SOT-23DBV6250绿色环保（RoHS＆
TLV3501AIDG4主动SOICD875绿色环保（RoHS＆
TLV3501AIDR主动SOICD82500绿色环保（RoHS＆
TLV3501AIDRG4主动SOICð
82500绿色环保（RoHS＆
TLV3502AID主动SOICD875绿色环保（RoHS＆
铜镍钯金级别3-260C-168小时
TLV3502AIDCNR主动SOT23DCN83000绿色环保（RoHS＆
TLV3502AIDCNT主动SOT23DCN8250绿色环保（RoHS＆
TLV3502AIDR主动SOICD82500绿色环保（RoHS＆
1）营销状态值定义如下：
ACTIVE：
产品设备推荐用于新设计。
LIFEBUY：
TI日前宣布，将停止该设备，并买了一辈子期间生效。
NRND：
不建议用于新设计。
设备在生产中，以支持现有客户，但TI不推荐使用这部分
一个新的设计。
PREVIEW：
设备已经公布，但不生产。
样品可能会或可能无法使用。
废弃：
TI已经停产的生产设备。
（2）环保计划-计划的环保分级：
无铅（符合RoHS）或绿色环保（RoHS和无Sb/Br）-请检查
待定：
Pb-Free/Green转换计划尚未确定。
无铅（RoHS）指令：
TI的条款“无铅免费”或“无铅”的半导体产品兼容目前的RoHS要求
所有6种物质，其中包括导致均质材料中按重量不超过0.1％的要求。
凡设计焊接
在高温下，TI无铅产品适用于在指定的无铅工艺使用。
绿色（RoHS和无Sb/Br）：
TI定义的“绿色”的意思无铅（符合RoHS），溴（Br）和锑（Sb）基于火焰
阻燃剂（溴或锑不超过均质材料重量的0.1％）
（3）MSL，山顶温度。
-潮湿敏感度等级评级根据JEDEC工业标准分类和峰值焊接
温度。
重要信息和免责声明：
此页上提供的信息代表的日期，这是TI的知识和信仰
提供。
TI由第三方提供的信息为基础的知识和信念，不作任何陈述或保证的
这些信息的准确性。
正在努力，以更好地整合来自第三方的信息。
TI已采取并继续采取
合理步骤，以提供有代表性的和准确的信息，但可能没有进行破坏性测试或化学分析
来料和化学品。
TI和TI供应商认为某些信息是专有的，从而CAS号码和其他有限
信息可能无法发布。
TI的责任在任何情况下所产生的这些信息，在问题超过出售本文件由TITI器件的总购买价（S）
在年度基础上的客户。
封装选项增编
7月26日2005年
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在订单确认时提供的销售条件。
TI的权证其硬件产品的性能，适用于在销售时的规范
按照TI的标准保修。
测试和其它质量控制技术被用来在多大程度上钛
认为有必要支持这项保修。
除授权政府要求，所有测试
每个产品的参数不一定执行。
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客户负责
他们使用TI组件的产品和应用。
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