模拟电路Word文档格式.docx

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A、共基B、共射C、共源

17、用来衡量放大电路放大能力强弱的性能指标是（）。

A、放大倍数B、输入电阻C、输出电阻

18、用来衡量对信号源影响程度的性能指标是（）。

19、用来衡量带负载能力强弱的性能指标是（）。

20、非线性失真有（）。

A、饱和失真B、截止失真C、饱和失真和截止失真

21、对于多级放大电路，放大倍数虽然提高了,但通频带却变（）了。

A、宽B、窄C、不变

22、在直接耦合放大电路中最突出的问题是（）。

A、噪声问题B、失真问题C、零点漂移问题

23、只能放大交直流信号的是（）B

A、直接耦合放大电路B、阻容耦合放大电路C、变压器耦合放大电路

24、OTL电路中每个管子的工作电压是（）。

A、UCCB、UCC／2C、其它

25、

﹥1是（）A

A、负反馈B、正反馈C、无反馈D、自激振荡

26、

﹤1是（）B

A、负反馈B、正反馈C、无反馈D、自激振荡

27、

＝1是（）C

28、

＝0是（）D

29、能用于稳定放大电路的静态工作点的是（）A

A、直流负反馈B、交流负反馈C、其它

30、用于改善放大电路的动态性能的是（）B

31、能稳定输出电压，减小输出电阻的是（）A

A、电压负反馈B、电流负反馈C、其它

32、能稳定输出电流，增大输出电阻的是（）B

33、能使输入电阻增大的是的是（）A

A、串联负反馈B、并联负反馈C、其它

34、能使输入电阻减小的是的是（）B

35、集成运放工作在线性区的电路是（）B

A、过零比较器B、积分器C、滞回电压比较器D、单限电压比较器

36、集成运放工作在非线性区的电路是（）C

A、微分器B、积分器C、滞回电压比较器D、同相加法器

37、正弦波振荡电路一般由放大、（）、选频和稳幅四个基本部分组成。

A、负反馈B、正反馈C、自激振荡

38、RC桥式振荡电路的振荡频率是（）A

A、f0=

B、

C、其它

39、石英晶体振荡电路，适用于（）的场合。

A、低频振荡B、高频振荡C、频率稳定度高

40、LC振荡电路，适用于（）的场合。

A、低频振荡B、高频振荡C、频率稳定度高

41、RC桥式振荡电路，适用于（）的场合。

42、由一个NPN管组成的基本共发射极放大电路处于空载状态是指（）C

A、RC=0B、RC=∞C、RL=0D、RL=∞

43、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（）D

A、增大B、减少C、反向D、几乎为零

44、二极管的导通条件（）B

A、uD>

0B、uD>

死区电压C、uD>

击穿电压D、以上都不对

45、射极输出器的一个重要特点是（）C

A、输入、输出电压大小基本一致B、输入、输出电压同相且输出略大于输入

C、输入略大于输出且相位一致D、具有反相放大作用

46、半波整流电路的主要缺点是（）C

A、输出电压太高B、输出电压太低C、电源利用率太低且输出电压太低

47、集成运放其内部电路的耦合方式是（）A

A、直接耦合B、变压器耦合C、阻容耦合D、任意耦合

48、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（）

A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mAC、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程R×

100

49、三极管各极对公共端电位如下图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）.

A、

C、

D、

50、一个三级放大器，各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ，Ri2=100KΩ，Ri3=200KΩ，则此多级放大电路的输入阻抗为（）。

A、1MΩB、100KΩC、200KΩD、1.3KΩ

51、在放大交流信号的多级放大器中，放大级之间主要采用（）两种方法。

A、阻容耦合和变压器耦合B、阻容耦合和直接耦合

C、变压器耦合和直接耦合D、以上都不是

52、在输入量不变的情况下,若引入的是负反馈,则以下说法正确的是（）。

A、输入电阻增大B、输出量增大C、净输入量增大D、净输入量减小

53、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（）。

A、信号源内阻B、输入电阻C、电压负载D、电流负载

54、欲实现Au＝－100的放大电路，应选用（）。

A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、积分运算电路D、微分运算电路

55、二极管正向电阻比反向电阻（）。

A、大B、小C、一样大D、无法确定

56、问以下哪种情况中，二极管会导通（）。

B、

C、

D、

57、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（）。

A、该管已坏B、万用表各挡有差异

C、二极管的电阻可变D、二极管的伏安特性是非线性

58、设整流变压器副边电压

，欲使负载上得到图整流电压的波形，则需要用的整流电路是（）

A、单相桥式整流电路B、单相全波整流电路

C、单相半波整流电路D、以上都不行

59、NPN型和PNP型晶体管的区别是（）。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同

C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同

60、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量（）。

A、IBQB、UBEC、ICQD、UCE

61、三极管的ICEO大，说明该三极管的（）。

A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差

62、如图为某共射极放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则该电路发生的失真和解决办法是（）。

A、截止失真，静态工作点下移B、饱和失真，静态工作点下移

C、截止失真，静态工作点上移D、饱和失真，静态工作点上移

63、温度影响了放大电路中的（），从而使静态工作点不稳定。

A、电阻B、电容C、三极管D、电源

64、某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为100，则总放大倍数为（）。

A、300B、等于100^3C、小于100^3D、100

65、在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移（）。

A、比直接耦合电路大B、比直接耦合电路小

C、与直接耦合电路相同D、无法比较

66、整流的目的是（）。

A、将正弦波变方波B、将交流变直流

C、将高频信号变成低频信号D、将微弱信号变强大信号

67、稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（）状态。

A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、无法确定

68、稳压管稳压电路如图所示,电阻R的作用是（）。

A、稳定输出电流B、抑制输出电压的脉动

C、调节电压和限制电流D、稳定输出电压

69、桥式整流电路在接入电容滤波后，输出电压（）。

A、升高了B、降低了C、保持不变D、不确定

70、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（）。

重复

A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mA

C、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程R×

71、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（）。

A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路

72、工作在放大区域的某三极管，当IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值约为（）。

A、10B、50C、80D、100

73、晶体管放大电路如图所示。

若要减小该电路的静态基极电流IBQ，应使（）。

A、Rb减小B、Rb增大C、Rc减小D、Rc增大

74、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（）。

A、信号源内阻B、输入电阻C、电压负载D、电流负载

75、在输入量不变的情况下，若引入的是负反馈，则以下说法正确的是（）。

A、输入电阻增大B、输出量增大

C、净输入量增大D、净输入量减小重复

76、在桥式整流电路中，若其中一个二极管开路，则输出（）。

A、只有半周波形B、为全波波形

C、无波形且变压器或整流管可能烧坏D、有波形但波长不确定

77、下列不属于三端稳压器引出端的是（）。

A、调整端B、输入端

C、输出端D、使能端

78、放大电路中,微变等效电路分析法（）。

A、能分析静态，也能分析动态B、只能分析静态

C、只能分析动态D、只能分析动态小信号

79、有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得某放大电路中某三极管三个电极1、2、3对地的电位分别为V1=2V、V2=6V、V3=2.7V，则（）。

A．1为C，2为B，3为EB．1为B，2为E，3为C

C．1为B，2为C，3为ED．1为E，2为C，3为B

80、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）。

A．减少B．增大C．不变D．缓慢减少

81、在杂质半导体中,少子浓度主要取决于（）

A、掺入杂质的浓度B、材料、C、温度

82、测得某PNP型三极管各极电位为:

UB=-3VUE=-4VUC=-6V,则该管工作于（）

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态

83、在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数（）

A、约为原来的1/2倍B、约为原来的2倍C、基本不变

84、在OCL电路中，引起交越失真的原因是（）

A、输入信号过大B、晶体管输入特性的非线性C、电路中有电容

85、差动放大器中,用恒流源代替长尾（发射极电阻）Re是为了（）

A、提高差模电压增益B、提高共模输入电压范围C、提高共模抑制比

86、由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）

A、饱和失真B、截止失真C、频率失真

87、对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）

A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

88、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）

A、增加B、减少C、不变

89、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）

A、输入电阻高B、输出电阻低C、共模抑制比大D、电压放大倍数大

90、对于桥式整流电路，正确的接法是（）

91、本征半导体电子浓度（）空穴浓度

A、等于B、小于C、大于

92、N型半导体的电子浓度（）空穴浓度

93、P型半导体的电子浓度（）空穴浓度

94、稳压管构成的稳压电路，其接法是（）

A、稳压二极管与负载电阻串联B、稳压二极管与负载电阻并联。

C、限流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联

95、输入失调电压UIO是（）

A、两个输入端电压之差B、输入端都为零时的输出电压

C、输出端为零时输入端的等效补偿电压。

96、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路

A、差放B、正弦C、数字

97、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

A、同相B、反相C、相差90度D、不确定

98、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

99、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（）

100、既能放大电压，也能放大电流的是（）组态放大电路。

A、共射B、共集C、共基D、不确定

101、可以放大电压，但不能放大电流的是（）组态放大电路。

102、可以放大电流，但不能放大电压的是（）组态放大电路。

103、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）组态。

104、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是（）组态。

105、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（）组态。

106、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是（）组态。

107、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都（）。

A、大B、小C、宽D、窄

108、多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越（）。

109、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移（）。

A、大B、小C、宽D、窄

110、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）

Ａ、集电极最大允许功耗ＰCMＢ、集电极最大允许电流ＩCM

Ｃ．集－基极反向击穿电压V（BR）CBO

111、射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（）

A、电压放大倍数近似为1B、Ri很大C、RO很小

112、有一晶体管的极限参数：

PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。

若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过（）mA

A、15B、100C、30D、150

113、有一晶体管的极限参数：

若工作电压VCE==1V，则工作电流IC不得超过（）mA

114、有一晶体管的极限参数：

若工作电流IC=1mA，则工作电压VCE不得超过（）V。

115、在非线性失真中，饱和失真也称为（）

A、顶部失真B、底部失真C、双向失真

116、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V,V2=2.1V,V3=7V,那么此三极管是（）型三极管。

A、NPNB、PNPC、其它

117、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V,V2=2.1V,V3=7V,V1=2.8V的那个极是（）

A、发射极B、基极C、集电极

118、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V,V2=2.1V,V3=7V,V2=2.1V的那个极是（）。

119、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V,V2=2.1V,V3=7V,V3=7V的那个极是（）。

120、在固定式偏置电路中，若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（）。

A、上移B、下移C、不动D、上下来回移动

121、硅二极管起始导通电压为（）。

A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V

122、一个电源分别接上8Ω和2Ω的电阻时，两个电阻消耗的电功率相等，则电源的内阻为（）。

A、1ΩB、2ΩC、3ΩD、4Ω

123、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（）

A、夹断区B、恒流区C、可变电阻区D、以上区域都可以

124、已知R1=5Ω，R2=10Ω可变电阻RP的阻值在0~25Ω之间，AB两点间电压20V，当滑动片上下滑动时，CD间所能得到的电压变化范围是（）

A、0~15VB、5~17.5VC、0~1.25VD、2.5~12.5

125、晶体管放大器在接通电源后无信号输入时,其管耗最大的是（）。

A、甲类B、乙类C、甲乙类D、丙类

126、对于单管基本放大器来说，若调小Rb，将可能出现（）。

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、幅频失真

127、单极型半导体器件是（）。

A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管

128、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。

A、三价B、四价C、五价D、六价

129、稳压二极管的正常工作状态是（）。

A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态D、任意状态

130、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。

A、已经击穿B、完好状态C、内部老化不通D、无法判断

131、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。

A、多子扩散B、少子扩散C、少子漂移D、多子漂移

132、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）

A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区

133、绝缘栅型场效应管的输入电流（）。

A、较大B、较小C、为零D、无法判断

134、正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍为正弦波

135、三极管超过（）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO

C、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数

136、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏

C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏

137、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）

A、直流成分B、交流成分C、交直流成分均有

138、基本放大电路中的主要放大对象是（）

A、直流信号B、交流信号C、交直流信号均有

139、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（）

A、截止失真B、饱和失真C、晶体管被烧损

140、共发射极放大电路的反馈元件是（）

A、电阻RBB、电阻REC、电阻RC

141、功放首先考虑的问题是（）。

A、管子的工作效率B、不失真问题C、管子的极限参数

142、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。

A、放大电路的电压增益B、不失真问题C、管子的工作效率

143、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）

A、带负载能力强B、带负载能力差C、减轻前级或信号源负荷

144、功放电路易出现的失真现象是（）。

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真

145、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。

A、截止区B、饱和区C、死区

146、射极输出器是典型的（）。

A、电流串联负反馈B、电压并联负反馈C、电压串联负反馈

147、理想运放的开环放大倍数Au0为（）

A、∞B、0C、不定

148、理想运放的输入电阻为（）

149、理想运放的输出电阻为（）

150、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。

A、扁平式B、圆壳式C、双列直插式

151、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（）。

A、反相放大器B、差分放大器C、电压比较器

152、理想运放的两个重要结论是（）。

A、虚短与虚地B、虚断与虚短C、断路与短路

153、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（）。

A、正反馈与负反馈B、线性与非线性C、虚断和虚短

154、（）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。

A、同相B、反相C、双端

155、集成运放的线性应用存在（）现象。

A、虚地B、虚断C、虚断和虚短

156、集成运放的非线性应用存在（）现象。

157、各种电压比较器的输出状态只有（）。

A、一种B、两种C、三种

158、基本积分电路中的电容器接在电路的（）。

A、反相输入端B、同相输入端C、反相端与输出端之间

159、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（）。

A、虚地B、虚短C、虚断

160、晶体三极管有（）个PN结。

A、一B、两C、三

161、在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（）耦合方式。

A、阻容B、直接C、变压器

162、振荡器产生振荡和放大器产生振荡在物理本质上是（）

A、不同的B、相同的C、相似的

163、振荡频率高且频率稳定度高的振荡器（）

A、RS振荡器B、LC振荡器C、石英晶体振荡器

164、电压串联负反馈放大电路的主要特点是（）

A、输入阻抗高，输出阻抗低B、输入/输出阻抗均低

C、输入