模拟电路Word文档格式.docx

1、 A、共基 B、共射 C、共源17、用来衡量放大电路放大能力强弱的性能指标是（）。 A、放大倍数 B、输入电阻 C、输出电阻18、用来衡量对信号源影响程度的性能指标是（）。19、用来衡量带负载能力强弱的性能指标是（）。20、非线性失真有（）。 A、饱和失真 B、截止失真 C、饱和失真和截止失真21、对于多级放大电路，放大倍数虽然提高了,但通频带却变（）了。 A、宽 B、窄 C、不变22、在直接耦合放大电路中最突出的问题是（）。 A、噪声问题 B、失真问题 C、零点漂移问题23、只能放大交直流信号的是（） B A、直接耦合放大电路 B、阻容耦合放大电路 C、变压器耦合放大电路24、OTL电路中每

2、个管子的工作电压是（）。 A、UCC B、UCC2 C、其它25、1是（ ） A A、负反馈 B、正反馈 C、无反馈 D、自激振荡 26、1是（ ） B A、负反馈 B、正反馈 C、无反馈 D、自激振荡27、1是（ ） C28、0是（ ） D29、能用于稳定放大电路的静态工作点的是（ ） A A、直流负反馈 B、交流负反馈 C、其它30、用于改善放大电路的动态性能的是（ ） B31、能稳定输出电压，减小输出电阻的是（ ） A A、电压负反馈 B、电流负反馈 C、其它32、能稳定输出电流，增大输出电阻的是（ ） B33、能使输入电阻增大的是的是（ ） A A、串联负反馈 B、并联负反馈 C、其它

3、34、能使输入电阻减小的是的是（ ） B35、集成运放工作在线性区的电路是（ ） B A、过零比较器 B、积分器 C、滞回电压比较器 D、单限电压比较器36、集成运放工作在非线性区的电路是（ ） C A、微分器 B、积分器 C、滞回电压比较器 D、同相加法器37、正弦波振荡电路一般由放大、（ ）、选频和稳幅四个基本部分组成。 A、负反馈 B、正反馈 C、自激振荡 38、RC桥式振荡电路的振荡频率是（ ） A A、f0= B、 C、其它39、石英晶体振荡电路，适用于（ ）的场合。 A、低频振荡 B、高频振荡 C、频率稳定度高 40、LC振荡电路，适用于（ ）的场合。 A、低频振荡 B、高频振荡

4、C、频率稳定度高41、RC桥式振荡电路，适用于（ ）的场合。42、由一个NPN管组成的基本共发射极放大电路处于空载状态是指（ ） C A、 RC=0 B、RC= C、RL=0 D、RL=43、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ ） DA、增大 B、减少 C、反向 D、几乎为零44、二极管的导通条件（ ） B A、uD0 B、uD 死区电压 C、uD 击穿电压 D、以上都不对45、射极输出器的一个重要特点是（ ） C A、输入、输出电压大小基本一致 B、输入、输出电压同相且输出略大于输入 C、输入略大于输出且相位一致 D、具有反相放大作用46、半波整流电路的主要缺

5、点是（ ） C A、输出电压太高 B、输出电压太低 C、电源利用率太低且输出电压太低 47、集成运放其内部电路的耦合方式是（ ）AA、直接耦合 B、变压器耦合 C、阻容耦合 D、任意耦合48、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（ ）A、直流电压挡量程5V B、直流电流挡量程100mA C、交流电压挡量程10V D、电阻挡量程R10049、三极管各极对公共端电位如下图所示，则处于放大状态的硅三极管是（ ）.A、 C、 D、50、一个三级放大器，各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1M，Ri2=100K，Ri3=200K，则此多级放大电路的输入阻抗为（ ）。A、1M B、100K C、200K

6、 D、1.3K51、在放大交流信号的多级放大器中，放大级之间主要采用（ ）两种方法。A、阻容耦合和变压器耦合 B、阻容耦合和直接耦合C、变压器耦合和直接耦合 D、以上都不是52、在输入量不变的情况下,若引入的是负反馈,则以下说法正确的是（ ）。A、输入电阻增大 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小53、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（ ）。A、信号源内阻 B、输入电阻 C、电压负载 D、电流负载54、欲实现Au100的放大电路，应选用（ ）。A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、积分运算电路 D、微分运算电路55、二极管正向电阻比反向电阻（ ）。A、大 B、小 C

7、、一样大 D、无法确定56、问以下哪种情况中，二极管会导通（ ）。 B、 C、 D、 57、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（ ）。A、该管已坏 B、万用表各挡有差异 C、二极管的电阻可变 D、二极管的伏安特性是非线性 58、设整流变压器副边电压，欲使负载上得到图整流电压的波形，则需要 用的整流电路是（ ）A、 单相桥式整流电路 B、单相全波整流电路C、 单相半波整流电路 D、以上都不行59、NPN型和PNP型晶体管的区别是（ ）。A、由两种不同的材料硅和锗制成的 B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同 D、管脚排列方式不同60、检查放大电路中的

8、晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量（ ）。A、IBQ B、UBE C、ICQ D、UCE 61、三极管的ICEO大，说明该三极管的（ ）。A、工作电流大 B、击穿电压高 C、寿命长 D、热稳定性差62、如图为某共射极放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则该电路发生的失真和解决办法是（ ）。A、截止失真，静态工作点下移 B、饱和失真，静态工作点下移C、截止失真，静态工作点上移 D、饱和失真，静态工作点上移63、温度影响了放大电路中的（ ），从而使静态工作点不稳定。A、电阻 B、电容 C、三极管 D、电源64、某放大器由三级组成，已知每级电压放大倍数为100，则总放大倍数为（

9、 ）。A、300 B、等于1003 C、小于1003 D、10065、在相同条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移（ ）。A、比直接耦合电路大 B、比直接耦合电路小 C、与直接耦合电路相同 D、无法比较66、整流的目的是（ ）。A、将正弦波变方波 B、将交流变直流 C、将高频信号变成低频信号 D、将微弱信号变强大信号67、稳压管是特殊的二极管，它一般工作在（ ）状态。A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、无法确定 68、稳压管稳压电路如图所示,电阻R的作用是（ ）。A、稳定输出电流 B、抑制输出电压的脉动 C、调节电压和限制电流 D、稳定输出电压 69、桥式整流电路在接入电容滤波后，输出电

10、压（ ）。A、升高了 B、降低了 C、保持不变 D、不确定70、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用（ ）。重复A、直流电压挡量程5V B、直流电流挡量程100mA C、交流电压挡量程10V D、电阻挡量程R71、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（ ）。A、正常 B、已被击穿 C、内部短路 D、内部开路 72、工作在放大区域的某三极管，当IB从20A增大到40A时，IC从1mA变为2mA则它的值约为（ ）。A、10 B、50 C、80 D、10073、晶体管放大电路如图所示。若要减小该电路的静态基极电流IBQ，应使（ ）。A、Rb减小 B、Rb增大 C、Rc减小 D、Rc

11、增大74、多级放大器前级输出电阻，可看成后级的（ ）。A、信号源内阻 B、输入电阻 C、电压负载 D、电流负载 75、在输入量不变的情况下，若引入的是负反馈，则以下说法正确的是（ ）。A、输入电阻增大 B、输出量增大 C、净输入量增大 D、净输入量减小重复76、在桥式整流电路中，若其中一个二极管开路，则输出（ ）。A、只有半周波形 B、为全波波形 C、无波形且变压器或整流管可能烧坏 D、有波形但波长不确定77、下列不属于三端稳压器引出端的是（ ）。A、调整端 B、输入端 C、 输出端 D、使能端78、放大电路中,微变等效电路分析法（ ）。A、能分析静态，也能分析动态 B、只能分析静态C、只能分

12、析动态 D、只能分析动态小信号79、有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得某放大电路中某三极管三个电极1、2、3对地的电位分别为V1=2V、V2=6V、V3=2.7V，则（ ）。A1为C，2为B，3为E B1为B，2为E，3为C C1为B，2为C，3为E D1为E，2为C，3为B80、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）。A减少 B增大 C不变 D缓慢减少81、在杂质半导体中,少子浓度主要取决于（ ）A、掺入杂质的浓度 B、 材料、 C、 温度 82、测得某PNP型三极管各极电位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于（ ）A、 放大状态 B、 饱和状态 C、 截止

13、状态83、在基本共射放大电路中，若更换晶体管使值由50变为100,则电路的放大倍数（ ）A、 约为原来的1/2倍 B、 约为原来的2倍 C、 基本不变84、在OCL电路中，引起交越失真的原因是（ ）A、 输入信号过大 B、 晶体管输入特性的非线性 C、 电路中有电容85、差动放大器中,用恒流源代替长尾（发射极电阻）Re是为了（ ）A、 提高差模电压增益 B、提高共模输入电压范围 C、 提高共模抑制比86、由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（ ）A、饱和失真 B、 截止失真 C、 频率失真87、对PN结施加反向电压时，参与导电的是（

14、）A、多数载流子 B、少数载流子 C、既有多数载流子又有少数载流子88、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（ ）A、增加 B、减少 C、不变89、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）A、输入电阻高 B、输出电阻低 C、共模抑制比大 D、电压放大倍数大90、对于桥式整流电路，正确的接法是（ ）91、本征半导体电子浓度（ ）空穴浓度A、等于 B、小于 C、大于92、N型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度93、P型半导体的电子浓度（ ）空穴浓度 94、稳压管构成的稳压电路，其接法是（ ）A、稳压二极管与负载电阻串联 B、稳压二极管与负载电阻并联。C、限流电阻与稳压二极

15、管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联95、输入失调电压UIO 是（ ）A、两个输入端电压之差 B、输入端都为零时的输出电压 C、输出端为零时输入端的等效补偿电压。96、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（ ）电路A、差放 B、正弦 C、数字97、在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（ ）A、同相 B、 反相 C、相差90度 D、不确定98、在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（ ）99、在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则Vo和Vi的相位（ ）100、既能放大电压，也能放大电流的是（ ）组态放大电路。A、 共射 B、共集 C、 共基

16、 D、不确定101、可以放大电压，但不能放大电流的是（ ）组态放大电路。102、可以放大电流，但不能放大电压的是（ ） 组态放大电路。103、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是（）组态。104、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是（ ）组态。105、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是（ ）组态。106、在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是（ ）组态。107、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都（ ）。A、 大 B、 小 C、宽 D、窄108、多级放大电路的级数愈多则上限频

17、率fH越（ ）。109、多级放大电路的级数愈多则高频附加相移（ ）。A、大 B、小 C、宽 D、窄110、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（ ）、集电极最大允许功耗CM 、集电极最大允许电流CM集基极反向击穿电压V（BR）CBO111、射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（ ）A、电压放大倍数近似为1 B、Ri 很大 C、 RO 很小112、有一晶体管的极限参数：PCM=150mW，ICM=100mA，V（BR）CEO=30V。若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过（ ）mAA、15 B、100 C、30 D、150113、有一晶体管的极限参数：若工作电压VCE=1

18、V，则工作电流IC不得超过（ ）mA114、有一晶体管的极限参数：若工作电流IC=1mA，则工作电压VCE不得超过（ ）V。115、在非线性失真中，饱和失真也称为（ ） A、顶部失真 B、底部失真 C、双向失真116、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , 那么此三极管是（ ）型三极管。A、NPN B、PNP C、其它117、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V1=2.8V的那个极是（ ）A、 发射极 B、 基极 C、集电极118、用直流电压表测得放大电路中

19、的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V2=2.1V的那个极是（ ）。119、用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V ,V2=2.1V ,V3=7V , V3=7V的那个极是（ ）。120、在固定式偏置电路中，若偏置电阻RB的值增大了，则静态工作点Q将（ ）。A、上移 B、下移 C、不动 D、上下来回移动121、硅二极管起始导通电压为（ ） 。A、0.2V B、0.3V C、0.5V D、0.7V122、一个电源分别接上8和2的电阻时，两个电阻消耗的电功率相等，则电源的内阻为（ ） 。A、1 B、2 C、3 D、4123、

20、用于放大时，场效应管工作在特性曲线的（ ）A、夹断区 B、恒流区 C、可变电阻区 D、以上区域都可以124、已知 R1=5，R2=10可变电阻RP的阻值在025之间，AB两点间电压20V，当滑动片上下滑动时，CD间所能得到的电压变化范围是（ ）A、 015V B、517.5V C、01.25V D、2.512.5125、晶体管放大器在接通电源后无信号输入时,其管耗最大的是（ ） 。A、甲类 B、乙类 C、甲乙类 D、丙类126、对于单管基本放大器来说，若调小Rb，将可能出现（ ） 。A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 D、幅频失真127、单极型半导体器件是（ ）。A、二极管 B、双极型三

21、极管 C、场效应管 D、稳压管128、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ ）元素构成的。A、三价 B、四价 C、五价 D、六价129、稳压二极管的正常工作状态是（ ）。A、导通状态 B、截止状态 C、反向击穿状态 D、任意状态130、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（ ）。A、已经击穿 B、完好状态 C、内部老化不通 D、无法判断131、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ ）而成。A、多子扩散 B、少子扩散 C、少子漂移 D、多子漂移132、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处在（ ） A、放

22、大区 B、饱和区 C、截止区 D、反向击穿区 133、绝缘栅型场效应管的输入电流（ ）。A、较大 B、较小 C、为零 D、无法判断134、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ ）。A、矩形方波 B、等腰三角波 C、正弦半波 D、仍为正弦波135、三极管超过（ ）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEOC、集电极最大允许耗散功率PCM D、管子的电流放大倍数136、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ） A、发射结正偏、集电结正偏 B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏 D、发射结反偏、集电结正偏137、基本放

23、大电路中，经过晶体管的信号有（ ）A、直流成分 B、交流成分 C、交直流成分均有138、基本放大电路中的主要放大对象是（ ） A、直流信号 B、交流信号 C、交直流信号均有139、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（ ）A、截止失真 B、饱和失真 C、晶体管被烧损140、共发射极放大电路的反馈元件是（ ）A、电阻RB B、电阻RE C、电阻RC141、功放首先考虑的问题是（ ）。A、管子的工作效率 B、不失真问题 C、管子的极限参数142、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（ ）。A、放大电路的电压增益 B、不失真问题 C、管子的工作效率143、射极输出器的输出电阻

24、小，说明该电路的（ ） A、带负载能力强 B、带负载能力差 C、减轻前级或信号源负荷144、功放电路易出现的失真现象是（ ）。A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真145、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（ ）。A、截止区 B、饱和区 C、死区146、射极输出器是典型的（ ）。A、电流串联负反馈 B、电压并联负反馈 C、电压串联负反馈147、理想运放的开环放大倍数Au0为（ ）A、 B、0 C、不定148、理想运放的输入电阻为（ ）149、理想运放的输出电阻为（ ）150、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（ ）。A、扁平式 B、圆壳式 C、双列直插式151、由

25、运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（ ）。A、反相放大器 B、差分放大器 C、电压比较器152、理想运放的两个重要结论是（ ）。A、虚短与虚地 B、虚断与虚短 C、断路与短路153、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（ ）。A、正反馈与负反馈 B、线性与非线性 C、虚断和虚短154、（ ）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相 B、反相 C、双端155、集成运放的线性应用存在（ ）现象。A、虚地 B、虚断 C、虚断和虚短156、集成运放的非线性应用存在（ ）现象。157、各种电压比较器的输出状态只有（ ）。A、一种 B、两种 C、三种158、基本积分电路中的电容器接在电路的

26、（ ）。A、反相输入端 B、同相输入端 C、反相端与输出端之间159、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（ ）。A、虚地 B、虚短 C、虚断160、晶体三极管有（ ）个PN结。A、一 B、两 C、三161、在多级放大电路的级间耦合中，低频电压放大电路主要采用（ ）耦合方式。A、阻容 B、直接 C、变压器162、振荡器产生振荡和放大器产生振荡在物理本质上是（ ）A、不同的 B、相同的 C、相似的163、振荡频率高且频率稳定度高的振荡器（ ）A、RS振荡器 B、LC振荡器 C、石英晶体振荡器164、电压串联负反馈放大电路的主要特点是（ ）A、输入阻抗高，输出阻抗低 B、输入/输出阻抗均低 C、输入