单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx

上传人:b****6 文档编号:16104130 上传时间:2022-11-20 格式:DOCX 页数:17 大小:277.88KB
下载 相关 举报
单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx_第1页
第1页 / 共17页
单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx_第2页
第2页 / 共17页
单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx_第3页
第3页 / 共17页
单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx_第4页
第4页 / 共17页
单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx_第5页
第5页 / 共17页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx

《单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx(17页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

单片机AD模块课程设计报告文档格式.docx

在及格的基础上能对来自传感器上的信号进行A/D转换同时能实现十进制显示。

本次设计可显示到小数点后两位。

优:

在良的基础上能实现通过按不同的键选择不同的通道进行A/D转换。

指导教师

2012年7月6日

一、设计原理与技术方法:

包括:

电路工作原理分析与原理图、元器件选择、电路调试方法与结果说明;

软件设计说明书与流程图、软件源程序代码、软件调试方法与运行结果说明。

(1)单片机实习系统电路及其重要芯片说明

1.电路原理图及工作原理分析

如下图1为单片机实习系统电路图

图1单片机实习系统电路图

课程设计报告

注:

此表可加附页

图28051芯片P0口与74LS373锁存器的接口图

8051芯片P0口,右侧是外接74LS373锁存器,P0口既是8数据口,又是16位地址口的低8位,外接锁存器可达到时分复用的效果。

图38051芯片PO口与ADC0809芯片8位数据输入口连接图

8051芯片PO口为数据口,与ADC0809芯片8位数据输入口对应相接8051芯片P2口作为16位地址的高8位,其中P2.7,P2.6,P2.5与74LS138的A,B,C相连接,采用译码方式,如图3所示

图48051芯片P2口的P2.7,P2.6,P2.5与74LS138的A,B,C连接图

8051芯片P2口作为16位地址的高8位,其中P2.7,P2.6,P2.5与74LS138的A,B,C相连接,采用译码方式。

如图4所示。

图5热敏电阻温度传感器电路图

设计热敏传感器,电压经过放大器后输出,作为0809的输入。

2.元器件选择及芯片说明

本次实习所选芯片有8051、ADC0809、74LS373、74LS138。

热敏电阻传感器主要元件有负温度系数热敏电阻及LM358运放芯片。

8051芯片的说明:

单片机的40个引脚可分为4类:

电源、时钟、控制和I/O引脚。

(1)电源:

VCC-芯片电源,接+5V;

VSS-接地端;

(2)时钟:

XTAL1、XTAL2-晶体振荡电路反相输入端和输出端。

(3)控制线:

控制线共有4根,

1)ALE/PROG:

地址锁存允许/片内EPROM编程脉冲

①ALE功能:

用来锁存P0口送出的低8位地址

②PROG功能:

片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,此引脚输入编程脉冲。

2)PSEN:

外ROM读选通信号。

3)RST/VPD:

复位/备用电源。

①RST(Reset)功能:

复位信号输入端。

②VPD功能:

在Vcc掉电情况下,接备用电源。

4)EA/Vpp:

内外ROM选择/片内EPROM编程电源。

①EA功能:

内外ROM选择端。

②Vpp功能:

片内有EPROM的芯片,在EPROM编程期间,施加编程电源Vpp。

(4)I/O线

80C51共有4个8位并行I/O端口:

P0、P1、P2、P3口,共32个引脚。

P3口还具有第二功能,用于特殊信号输入输出和控制信号(属控制总线)。

ADC0809芯片说明:

(1)主要特性  

1)8路8位A/D转换器,即分辨率8位。

  

2)具有转换起停控制端。

 

3)转换时间为100μs 

4)单个+5V电源供电 

5)模拟输入电压范围0~+5V,不需零点和满刻度校准。

 

6)工作温度范围为-40~+85摄氏度 

7)低功耗,约15mW。

(2)引脚功能 

1)IN0~IN7:

8路模拟量输入端。

2)2-1~2-8:

8位数字量输出端。

3)ADDA、ADDB、ADDC:

3位地址输入线,用于选通8路模拟输入中的一路。

4)ALE:

地址锁存允许信号,输入,高电平有效。

5)START:

A/D转换启动信号,输入,高电平有效。

6)EOC:

A/D转换结束信号,输出,当A/D转换结束时,此端输出一个高电平(转换期间一直为低电平)。

7)OE:

数据输出允许信号,输入,高电平有效。

当A/D转换结束时,此端输入一个高电平,才能打开输出三态门,输出数字量。

8)CLK:

时钟脉冲输入端。

要求时钟频率不高于640KHZ。

9)REF(+)、REF(-):

基准电压。

10)Vcc:

电源,单一+5V。

11)GND:

地。

(3)ADC0809的结构及转换原理:

ADC0809是采用逐次比较式的方法完成A/D转换的,由单一5V电源供电,片内带有锁存功能的8路选1的模拟开关,由C,B,A引脚的编码来决定所选的通道。

0809完成一次转换需要100us左右。

输出具有TTL三态锁存缓冲器,可直接连接到MCS-51的数据总线上,通过适当的外接电路,0809可对0-5V模拟信号进行转换。

图6ADC0809管脚图

74LS373芯片说明

 373为三态输出的D-锁存器,当三态允许控制端OE为低电平时,Q0~Q7为正常逻辑状态,可用来驱动负载或总线。

当OE为高电平时,Q0~Q7呈高阻态,即不驱动总线,也不为总线的负载,但锁存器内部的逻辑操作不受影响。

当锁存允许端LE为高电平时,Q随数据D而变。

当LE为低电平时,D被锁存在已建立的数据电平。

当LE端施密特触发器的输入滞后作用,使交流和直流噪声抗扰度被改善400mV。

引出端符号:

D0~D7数据输入端,OE三态允许控制端(低电平有效),LE锁存允许端,Q0~Q7输出端,

74LS373真值表如表一所示。

表一74LS373真值表

Dn

LE

OE

On

H

L

X

Q0

高阻态

74LS138芯片说明

74LS138为3线-8线译码器,其工作原理为:

①当一个选通端(E1)为高电平,另两个选通端((/E2))和/(E3))为低电平时,可将地址端(A0、A1、A2)的二进制编码在Y0至Y7对应的输出端以低电平译出。

 ②利用E1、E2和E3可级联扩展成24线译码器;

若外接一个反相器还可级联扩展成32线译码器。

 ③若将选通端中的一个作为数据输入端时,74LS138还可作数据分配器。

 ④可用作译码电路中,扩展内存。

表二74LS138真值表

负温度系数热敏电阻NTC

NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器。

温度低时,这些氧化物材料的载流子(电子和孔穴)数目少,所以其电阻值较高;

随着温度的升高,载流子数目增加,所以电阻值降低。

NTC热敏电阻器在室温下的变化范围在10~1000000欧姆,温度系数-2%~-6.5%。

图7负温度系数热敏电阻特性曲线

LM358芯片说明

LM358内部包括有两个独立的、高增益、内部频率补偿的双运算放大器。

图8LM358芯片管脚图

2.程序设计思路说明

及格程序为ADC0809可将输入模拟电压0—5V转换为8位的数字量,共256个电平,要在数码管上显示,即送显示即可。

在及格的基础上,对来自传感器的电压进行A/D转换,显示为十进制,只要经计算得到的数据进行BCD码转换,由于显示范围为0-5V,本次设计可显示到小数点后两位,如2.58V。

53H,52H,51H分别放置个位数,十分位数,百分位数。

系统主流程图如图9所示,图10为中断子服务程序流程图

图9主程序流程图

图10中断子服务程序流程图

A/D的良设计程序代码说明如下:

ORG0000H

LJMPMAIN

ORG0013H;

INT1的入口地址

LJMPINT1T

ORG0100H

MAIN:

MOVSP,#70H;

入口

MOV58H,#00H;

设立数据存储区指针

MOV59H,#00H

MOV5AH,#00H

MOV5BH,#00H

SETBIT1;

选择INT1为边沿触发方式,设置中断优先级

SETBEA;

CPU开中断

SETBEX1;

允许外部中断1中断

MOVDPTR,#2000H;

0809地址

MOVX@DPTR,A;

启动转换

LCALLTUNBCD;

调用显示程序,等待中断

SJMP$

INT1T:

PUSHACC;

现场保护

PUSHPSW

CLREA

CLREX1;

关中断

MOVDPTR,#2000H;

MOVXA,@DPTR;

读取数据

MOV@R1,A

LCALLTUNBCD

SETBEA

开中断

POPPSW

POPACC;

出栈

MOVDPTR,#2000H

MOVX@DPTR,A;

重新启动转换

RETI;

中断返回继续执行

TUNBCD:

movDPTR,#2000h

MOVXA,@DPTR

MOVB,#51;

255/51=5.00V运算

DIVAB

MOV5AH,A;

个位数放入53H

MOVA,B;

余数大于19H(25),F0为1,乘法溢出,结果加五

CLRF0

SUBBA,#1AH

MOVF0,C

MOVA,#10

MULAB

MOVB,#51

JBF0,LOOP2

ADDA,#5

LOOP2:

MOV59H,A;

小数后第一位放入52H

MOVA,B

JBF0,LOOP3

LOOP3:

MOV58H,A;

小数后第二位放入51H

DISP:

MOVA,58H;

取出百分位

MOVDPTR,#TAB;

读表头

MOVCA,@A+DPTR;

查表

CLRP3.6;

138的E1E2低电平有效(清除)

MOVP2,#60H;

选中74LS373芯片

MOVP0,A;

当LE有效时把数据A锁存

MOVP2,#0E0H;

显示最低位

LCALLDELAY

CLRP0.7

MOVA,59H;

取出十分位

MOVDPTR,#TAB

MOVCA,@A+DPTR

CLRP3.6

MOVP0,A

MOVP2,#0C0H;

显示

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 求职职场 > 笔试

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1