太阳能填空题Word格式.docx
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9、太阳能到达地球的总辐射能量应该是太阳常数与与地球面投影面积的乘积。
10、太阳能电池的转换效率几乎是恒定的，与其所利用的装置规模与大小无关。
11、光发电是对废弃能源有在效利用。
12、光和物质的相互作用有吸收、发射、折射、偏转、漫射等现象。
引起这些现象的本质过程，可以理解为物质内存在的载流子和电磁波之间的相互作用。
13、光引起的电子跃迁门槛值所需的能量，是由原子规则排列产生的结晶结构中的禁带宽度所决定的。
14、迁移前后电子动量不发生变化，垂直移动叫直接跃迁;
而在跃迁前后动量变化时，所表示的结晶空穴振动能量的移出、移入、称为间接跃迁。
15、半导体的界面或表面被光照射产生载流子后，生成的电子和空穴由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
16、太阳能电池由于要接收太阳辐射光，所以具有很大面积的PN结二极管，引起光电效应必要的内建电场，就是利用了PN结的界面诱导电厂。
17、太阳能电池的能量转换效率是从太阳能电池的端子输出的电力能力与输入的太阳能辐射光能量的比。
18、以标称效率为基础，用于计算太阳能电池的输出测定法，可以求得实用太阳能电池的性能指数。
19、光电流与照射时的光强度有关系，与所加的电压无关，是一个固定值。
20、太阳能电池的输入光与波长有相关性。
21、太阳能电池处于开路状态，与辐射光强度相对应会产生一个电压，此时的电压称为开路电压。
22、填充因子是表示太阳能电当好坏的重要指标。
23、结晶硅的理论极限为28%，其研究阶段为24%，大量生产规模为18%—20%。
24、存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做电压因子损失。
25、目前实用化的太阳能电池中98％使用的是硅材料。
26、为了发挥太阳能转换因子的作用，将光生成的电能有效输出到输出端的电极配置的设计也是重要的因素，这就是D。
27、利用两种半导体的异质结串联太阳能电池，称为叠层太阳能电池。
28、单晶硅太阳能和多晶硅太阳能电池的产量合计约占世界太阳能产量的80%左右。
29、单晶硅棒和PN结的制造技术等，与IC以及LSI等半导体制造技术有较多共同部分，且历史悠久，实际业绩突出。
30、单晶硅太阳能电池制造工程由电池片工程和模板工程组成。
31、原材料用硅砂，先将其还原为纯度为97％-98％的金属硅，为了进一步提高纯度，将金属硅与盐酸反应，生成三氯氢硅，再将其还原，热分解得到纯度为99.99999％以上的多晶硅。
32、将得到的多晶硅进行溶解，做成单晶硅，其方法有乔克莱尔斯基和浮游带熔融两种。
33、目前太阳能电池用的铸模，仍以生产性能高的线形锯切割为主。
34、由于线切割面是被机械冲击过，因此会残留结晶变形，使电气特性变坏，
因此需用HF+HNO3进行腐蚀，使表面减薄10—20µ
m的程度。
35、气体扩散法是将含磷的气体在高温下向硅片进行扩散，形成pn结，一般都用这一方法。
36、涂层扩散法是用含有磷的溶液代替气体进行涂层和加热，使磷向硅片中扩散形成pn结，具有简单易于大型化生产的优点。
37、电池高效率化技术说明已被规模生产所采用的材料蚀刻及BSF结构。
38、用碱性溶液，利用单晶硅表面刻蚀速度的差异性，可以对单晶硅表面进行棱状凹凸加工处理。
39、单晶硅太阳能电池的基本结构是pn结，在背场将不纯物进行喷雾处理，形成P﹢层，可以改善收集效率。
40、BSF型电池片的收集效率，P+层形成，可以在更长波长范围内改善收集效率。
41、太阳能电池是由于单晶硅和多晶硅进行叠层得到的新型太阳能电池。
42、HIT电池片是在n型单晶电池片的两面形成a-si层制造的。
43、由于入射光也可以发电，具有两面发电的可能性是高效率和温度上升。
44、一般的太阳能电池模板只有电池片的表面一侧是透明度，而HIT太阳能电池在背面也采用透明材料，可以利用漫射光和从地面来反射光进行发电。
45、两面发电型最特别的有效应用垂直安装。
46、太阳能电池模板有超级直线型、玻璃包装型、次直线型三种结构。
47太阳能电池主要的构成元素都包括表面保护材料、填充材料、背面保护材料、和框架。
48、太阳能电池板是由采光和发电两部分组成。
49、高效率太阳能电池有PERL和CECO两种结构的。
50、压模可分为两部分，真空室和加热装置。
51、一般的太阳能电池的模板，为了提高填充率，需尽量减少电池片和电池片之间的间隔，
而采光型太阳能电池的模板却相反，在电池片和模板周围开数CM的缝隙，由此处让太阳光透过。
52、由于单晶硅基片的制造技术和LSI等的半导体技术有很多的共同点，因此新技术从半导休整上导入是有右能的，最近引人注目的技术之一是RTP技术。
53、在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用聚光镜聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
54、大部分的多晶硅基片都是用所谓的铸造法生产的。
基片广泛使用10-15cm的角。
目前用众所周知的固液界面的温度分布、液固速度等许多知识的累积来生产铸模。
55、电解液的高度微细喷射到铸膜上，喷射流中夹有激光束。
喷射流到了光纤维的作用，激光束在铸模上与电解液一同被切照射。
56、在多晶硅电池片上用等离子体进行的化学气相沉积法生产氮化硅膜是历来常用的方法。
57、由表面蚀刻结构所形成的光封闭效果的提高，是高效率所不可缺少的。
58、干式法由于应力自由，因此既可以适用于切割大面积基片，又可以适用于高效率的过程。
59、目前世界上，用铸造法制造基片得到的小面积电池片的最高转换效率可达到19.8%。
60、由于有漏电电流流动，使所谓的反向饱和电流密度变大，从而减少了开路电压。
61、多晶硅表面的结晶面是多重的，因此不能像单晶硅基片那样，使用氢氧化钾的不同方向腐蚀的化学蚀刻方法。
62、干式法由于应力自由，因此即可以适用于切割大面积基片，又可以适用于高斜率的过程。
63、结晶硅具有间接跃迁型能带结构，因此吸收系数较小，有必要进行封闭，活性层的厚度为数µ
m的薄膜太阳能电池也可得到高的转换效率。
64、目前正在广泛研究的有化学气相沉积法、液相外延、固相结晶、等。
65、a-Si：
H以及合金材料，用等离子CVD、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。
66、对于a-Si：
H系，其物性上的最大特点是禁带宽度通常为1.7—1.8ev，比结晶要宽，结构混乱引起的光学跃迁动量守恒定律的缓和作用，使其在可见光范围内具有相当大的光吸收系数。
67、产生等离子体的电力条件是直流，无线电频率可从射频到VHF、微波范围内多种多样的频率，但目前射频等离子体CVD最普及。
68、在a-Si：
H太阳能电池中，此低光吸收和高光导电率，可以作为电极或者窗口一侧的结合层来利用。
69、为了保持优良的结晶性能，提高制膜速度，除了要采用高电压、高电力投入外，多数也采用导入电源频率为60MHz---100MHz的VHF带等离子体的CVD法。
70、非晶半导体材料，是失去了像结晶型那长距离晶格结构后的材料，其原子周围的化学键状态与结晶时保持相同的状态。
71、a-Si：
H作为四面体结合的非晶体，是由过剩束缚结构构成的，为了缓和坚固的电路内部应力，易引发不可见光能带等的结构缺陷。
72、从结晶的角度来讲，在不介入声波的直接跃迁中，动量也就是波向k的守恒是必要条件。
73、纯粹的带移动度电子为10c㎡∕（s.v），空穴的值约1∕3左右。
74、作为太阳能电池材料的评价最有效的方法，叫固定光栅法，有可能测定太阳能电池在环境中的两极性扩散长度。
75、微晶硅的定义并不是那么固定的，在200℃附近的低温及非热平衡过程中生长，尺寸为由500nm以下的结晶粒群构成的结晶，一般可以作为非晶不均质混合材料。
76、c-Si是由结晶粒相+结晶粒相界+非晶相组成的。
77、一般的太阳能电池级试验材料，在初级阶段，（110）有优先配位性，结晶尺寸为10~50nm左右，40%~60%、正空穴漂移移动度约为5cm/s.v左右。
78、如果以光载流子为基础的光电流成分Jph和pn结的二极管电流成分Jd可以视为线性独立的话，则光照射时的全电流可以表示为Jph--Jd。
且在此光电流Jph与偏压没有依存性，因此作为太阳能电池的特性因素的短路光电流Jsc可视为光电流Jph，曲线因子FF可视为二极管电流Jd，开路电压与最大功率点的比值。
79、为了严密地分析a-Si太阳能电池的工作解析的话，必须要对n,p,Eb三个量的非线性结合的电子及空穴输送方程式同时进行求解。
80、Carlson等人利用二极管没有的本征层显示出的高光电导性，用白金的短键位
势垒在i层中形成扩散电位，确认了光电效应。
81、即使a-Si太阳能电池的p层的厚度只有7nm，依然有17%的光被吸收，为了将此吸再降
低，必须提高p层的透明度。
82、用乙烯作为碳来源时的硼添加引起的光导率的回升效果，发现其结果很小。
83、a-Si太阳能电池是大面积制膜，但透明导电层的阻力引起的损失使电池无法得到高的效率，
因此有必要分割为复数电池片，再进行电气结合。
84、a-Si太阳能电池是由形成正极和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三
层基本结构构成的
85、a-Si被光照射时，会增加Si晶格的结构缺陷，同时太阳能电池的性能指数也会下降，
如果在150℃下加热1小时左右就可以恢复这一性质，这一现象叫做staebler-wronskieffect，是太
阳能电池实用化的最大障碍。
86、与结晶硅太阳能电池相比，a-Si太阳能电池的年发电
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