电子模拟Word下载.docx
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（T）（容易）
7.1.1.8.二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变（对）（容易）
7.1.1.9.P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）（容易）
7.1.3.1.P型半导体的多数载流子是（B）。
A.电子B.空穴C.电荷D.电流
7.1.3.2.晶体硅或锗中，参与导电的是（D）。
（中等难度）
A.离子B.自由电子C.空穴D.B和C
7.1.3.3.下列说法正确的是（C）。
A.N型半导体带负电
B.P型半导体带正电
C.PN结型半导体为电中性体
D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生
7.1.3.4.N型半导体的多数载流子是（B）。
A.电流B.自由电子C.电荷D.空穴
7.1.3.5.关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（A）。
A.无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴
B.P型半导体中只有空穴导电
C.N型半导体中只有自由电子参与导电
D.在半导体中有自由电子．空穴．离子参与导电
7.1.3.6.稳压二极管是利用PN结的（A）来实现稳压性能的。
A.反向击穿特性B.正向导通性C.反向截止性D.单向导电性
7.1.3.7.锗二极管导通时，它两端电压约为（C）。
A.1VB.0.7VC.0.3VD.0.5V
7.1.3.8.关于N型半导体的下列说法，错误的是（C）。
A.自由电了是多数载流子
B.在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极
C.在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体
D.在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
7.1.3.9.半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（C）。
A.降低/降低B.降低/升高C.升高/降低D.升高/升高
7.1.3.10.PN结呈现正向导通的条件是（B）。
A.P区电位低于N区电位
B.N区电位低于P区电位
C.P区电位等于N区电位
D.都不对
7.1.3.11.在半导体PN结两端加（B）就可使其导通。
（容易）A.正向电子流B.正向电压C.反向电压D.反向电子流
7.1.3.12二极管的反向电流随着温度降低而（B）。
A.升高B.减小C.不变D.不确定
7.1.3.1.3.半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要的特性是（A）：
A.具有单向导电性B.具有放大性C.具有改变电压特性Ｄ.以上都不对
7.1.3.14.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
（容易）
A.三价；
B.四价；
C.五价；
D.六价。
7.1.3.15.本征半导体是（B）。
（容易）A.掺杂半导体B.纯净半导体C.P型半导体D.N型半导体
7.1.3.16.半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是（C）。
A．具有放大特性B．具有改变电压特性
C．具有单向导电性D．具有增强内电场性
第二节.理解晶体二极管的结构.分类.型号及识别；
7.2.1.1.使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）（容易）
7.2.1.2.PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
7.2.1.3.二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）（容易）
7.2.1.4.某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（F）（中等难度）
7.2.1.5.用MF47型万用表测试发光二极管，应选R×
1K档。
（F）（较难）
7.2.1.6.稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）（容易）
7.2.1.7.普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）（容易）
7.2.1.8.光敏三极管只有2个引脚，其基极做成了光栅。
（T）（中等难度）
7.2.1.9.双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（F）（中等难度）
7.2.3.1.某稳压二极管，其管体上标有“5V6”字样，则该字样表示（A）。
A.该稳压管稳压值为5.6VB.该稳压管稳压值为56V
C.该稳压管稳压值为11VD.该稳压管稳压值为1V
7.2.3.2.型号为1N4007的二极管，其管体一端有一白色色环，则该白色环表示（C）。
A.二极管阳极B.仅仅表示该管为二极管
C.二极管阴极D.无任何意义
7.2.3.3.稳压管作稳压工作时，其两端应加（B）。
A.正向电压
B.反向电压
C.A和B
D.A或B
7.2.3.4.稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A.导通状态B.截止状态C.反向击穿状态D.任意状态
7.2.3.5.用MF47型万用表测量普通小功率二极管性能好坏时，应把万用表拨到欧姆档的（D）档。
A.R×
1B.R×
100C.R×
1KD.R×
100或R×
1K
7.2.3.6.用万用表测二极管，正．反方向电阻都很大，说明（C）。
A．管子正常B.管子短路C.管子断路D.都不对
7.1.3.7.使用稳压管时应（B）。
A.阳极接正，阴极接负B.阳极接负，阴极接正
C.任意连接D.A或B
第三节.理解二极管整流电路原理；
7.3.1.1.整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）（容易）
7.3.1.2.用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。
（T）
7.3.3.1.关于二极管的功能下列说法错误的是（B）。
A.整流B.滤波C.钳位D.小范围稳压
7.3.3.2.晶体二极管的主要功能之一是（D）。
A．电压放大B．线路电流放大C．功率放大D．整流
7.3.3.3.在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（A）。
A.四只B.三只C.二只D.一只
7.3.3.4.电路如图所示，则处于导通状态的二极管是（B）。
（中等难度）
A.只有D1B.只有D2
C.D1和D2D.D1和D2均不导通
第4节.运用常用滤波电路和硅稳压二极管稳压电路的原理进行分析计算。
7.4.1.1.电容滤波器，电容越大，则滤波效果越好。
7.4.3.1.在整流电路中，设整流电流平均值为
，则流过每只二极管的电流平均值
的电路是（b）。
A.单相桥式整流电路B.单相半波整流电路
C.单相全波整流电路D.以上都不行
7.4.3.2.如图
（1）所示，两Si稳压二极管的稳压值分别为3V和6V，如果输入电压
UI为8V，则输出电压U0为（A）。
（较难）
A.3VB.6V
C.9VD.0.7V
第八章.晶体三极管和单级低频小信号放大器
第一节.识记晶体三极管的结构.分类.符号及性质；
8.1.1.1.放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
8.1.1.2.晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，射极和集电极可相互调换使用。
（F）（中等难度）
8.1.3.1.晶体管的放大作用主要体现在（Ｃ）。
A．正向放大B．反向放大C．电流放大D．电压放大
8.1.3.2.某国产晶体三极管型号为3DG6，则该管是（A）（中等难度）
A.高频小功率NPN型硅三极管B.高频大功率NPN型硅三极管
C.高频小功率PNP型锗三极管D.高频大功率PNP型锗三极管
第二节.识记晶体三极管的放大条件.放大作用和电流分配关系；
8.2.1.1.三极管是构成放大器的核心，三极管具有电压放大作用。
（F）
8.2.1.2.晶体三极管集电极和基极上的电流总能满足Ic=βIb的关系。
（F）
8.2.1.3.放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
（×
）
（容易）
8.2.3.1.在共射极放大器中，输入信号和输出信号相位差为（B）。
（容易）
A.90°
B.180°
C.360°
D.0°
8.2.3.2.三极管的集电结反偏，发射结正偏时，三极管处于（C）。
A.饱和状态B.截止状态C.放大状态D.开关状态
8.2.3.3.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于25μA,正常工作时它的集电极电流为（A）（中等难度）
A.0.975mAB.0.75mAC.1.025mAD.1.25mA
8.2.3.4.三极管具有放大作用，其实质是（D）。
A.三极管可把小能量放大成大能量B.三极管可把小电压放大成大电压
C.三极管可把小电流放大成大电压D.三极管可用小电流控制大电流
8.2.3.5.当温度升高时，三极管的电流放大系数β将（A）。
（中等难度）A.增大B.减小C.不变D.不确定
8.2.3.6.某放大器的电压放大倍数为—80，该负号表示（D）。
A.衰减B.同相放大C.无意义D.反相放大
8.2.3.7.在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（B）。
A.NPN管的发射极B.NPN管的集电极
C.PNP管的基极D.PNP管的集电极
第3节.理解晶体三极管的输入特性曲线.输出特性曲线（共发射极接法）及其三个工作区域的划分；
第四节.理解晶体三极管的主要参数.并掌握晶体三极管的工作状态的判别；
8.4.1.1.射极输出器的输入阻抗低，输出阻抗高（×
）（容易）
8.4.1.2.射极输出器电路中引入的是电流串联负反馈，故输入电阻高，电流放大能力强。
（√）（容易）
8.4.1.3.共集电极放大电路也叫做射极输出器。
（√）（容易）
8.4.1.4.射极输出器是电压串联负反馈放大器，它具有稳定输出电压的作用。
（√）（容易）
8.4.3.1.三极管在组成放大器时，根据公共端的不同，连接方式有（C）种。
（容易）
A.1B.2C.3D.4
8.4.3.2.已知某晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，UCEO=15V，在下列工作条件下，正常工作的是（B）。
A.UCE=2V，IC=40mAB.UCE=3V，IC=10mA
C
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