完整IC封装术语详解Word文件下载.docx

上传人:b****5 文档编号:15699054 上传时间:2022-11-15 格式:DOCX 页数:7 大小:22.15KB
下载 相关 举报
完整IC封装术语详解Word文件下载.docx_第1页
第1页 / 共7页
完整IC封装术语详解Word文件下载.docx_第2页
第2页 / 共7页
完整IC封装术语详解Word文件下载.docx_第3页
第3页 / 共7页
完整IC封装术语详解Word文件下载.docx_第4页
第4页 / 共7页
完整IC封装术语详解Word文件下载.docx_第5页
第5页 / 共7页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

完整IC封装术语详解Word文件下载.docx

《完整IC封装术语详解Word文件下载.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《完整IC封装术语详解Word文件下载.docx(7页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

完整IC封装术语详解Word文件下载.docx

现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA.BGA的问题是回流焊后的外观检查。

现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。

有的认为,由于焊接的中心距较大,连接可以看作是稳定的,只能通过功能检查来处理。

美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。

2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。

QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。

美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装.引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。

3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。

4、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。

例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。

是在实际中经常使用的记号。

5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路.带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。

引脚中心距2.54mm,引脚数从8到42.在日本,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路.带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。

散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1。

5~2W的功率.但封装成本比塑料QFP高3~5倍.引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0。

5mm、0.4mm等多种规格。

引脚数从32到368。

7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。

带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。

此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。

8、COB(chiponboard)板上芯片封装,是裸芯片贴装技术之一,半导体芯片交接贴装在印刷线路板上,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现,并用树脂覆盖以确保可靠性.虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术,但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。

9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。

是SOP的别称(见SOP)。

以前曾有此称法,现在已基本上不用。

10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).

11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。

欧洲半导体厂家多用此名称。

12、DIP(dualin—linepackage)双列直插式封装。

插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。

DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。

引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。

封装宽度通常为15。

2mm。

有的把宽度为7.52mm和10。

16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。

但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP.另外,用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip(见cerdip)。

13、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装.SOP的别称(见SOP)。

部分半导体厂家采用此名称。

14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。

TCP(带载封装)之一。

引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。

由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。

常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。

另外,0。

5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。

在日本,按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定,将DICP命名为DTP.

15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。

日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。

16、FP(flatpackage)扁平封装。

表面贴装型封装之一。

QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称.部分半导体厂家采用此名称。

17、flip—chip倒焊芯片。

裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。

封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。

是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。

但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠性。

因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料.

18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFP.通常指引脚中心距小于0。

65mm的QFP(见QFP).部分导导体厂家采用此名称。

19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。

20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。

塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形.在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。

这种封装在美国Motorola公司已批量生产.引脚中心距0。

5mm,引脚数最多为208左右。

21、H—(withheatsink)表示带散热器的标记.例如,HSOP表示带散热器的SOP。

22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型PGA。

通常PGA为插装型封装,引脚长约3。

4mm。

表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2。

0mm。

贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称为碰焊PGA。

因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。

封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。

以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。

指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ).部分半导体厂家采用的名称.

24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体.指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。

是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C(见QFN)。

25、LGA(landgridarray)触点陈列封装.即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装.装配时插入插座即可。

现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2。

54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路.LGA与QFP相比,能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚.另外,由于引线的阻抗小,对于高速LSI是很适用的.但由于插座制作复杂,成本高,现在基本上不怎么使用。

预计今后对其需求会有所增加。

26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。

LSI封装技术之一,引线框架的前端处于芯片上方的一种结构,芯片的中心附近制作有凸焊点,用引线缝合进行电气连接。

与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比,在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。

27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP.指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。

28、L-QUAD陶瓷QFP之一.封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。

封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。

是为逻辑LSI开发的一种封装,在自然空冷条件下可容许W3的功率。

现已开发出了208引脚(0。

5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。

29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。

将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

根据基板材料可分为MCM-L,MCM-C和MCM-D三大类。

MCM-L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。

布线密度不怎么高,成本较低。

MCM-C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似.两者无明显差别.布线密度高于MCM-L.MCM-D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。

布线密谋在三种组件中是最高的,但成本也高。

30、MFP(miniflatpackage)小形扁平封装。

塑料SOP或SSOP的别称(见SOP和SSOP)。

部分半导体厂家采用的名称.

31、MQFP(metricquadflatpackage)按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP进行的一种分类.指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm~2。

0mm的标准QFP(见QFP).

32、MQUAD(metalquad)美国Olin公司开发的一种QFP封装。

基板与封盖均采用铝材,用粘合剂密封。

在自然空冷条件下可容许2.5W~2.8W的功率。

日本新光电气工业公司于1993年获得特许开始生产。

33、MSP(minisquarepackage)QFI的别称(见QFI),在开发初期多称为MSP。

QFI是日本电子机械工业会规定的名称。

34、OPMAC(overmoldedpadarraycarrier)模压树脂密封凸点陈列载体。

美国Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的名称(见BGA)。

35、P-(plastic)表示塑料封装的记号。

如PDIP表示塑料DIP。

36、PAC(padarraycarrier)凸点陈列载体,BGA的别称(见BGA).

37、PCLP(printedcircuitboardleadlesspackage)印刷电路板无引线封装。

日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN).引脚中心距有0。

55mm和0。

4mm两种规格.目前正处于开发阶段。

38、PFPF

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 法律文书 > 起诉状

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1