模拟电子技术基础试题及答案Word文档下载推荐.doc

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（5）√。

设置合适的静态工作点。

（6）×

任何稳态信号都可分解为若干正弦波的叠加。

（7）×

二、试分析图T2．2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电

对交流信号均可视为短路。

，

【解答1（a）不能。

因为输人信号被VBB所影响。

（a）

例1--3为什么结型场效应管没有增强型的工作方式?

能否用判别晶体管的简易方法

来判别结型和绝缘栅型场效应管的三个电极?

【解答】所谓增强型，即N沟道的场效应管必须在UGs>

0的情况下才可能有导电沟道，

P沟道的场效应管，必须在UGs<

0的情况下才有导电沟道，在这两种情况下结型场效应管都

将出现栅流，它不仅使场效应管失去了高输入电阻的特点，而且会造成管子损坏。

‘而对于绝缘栅型效应管，由于宦容易积累电荷形成高电压，以致造成击穿现象，所以不能

用测晶体管的办法来检测。

对于结型场效应管，则可以用判定晶体管基极的方法判定它的栅

极，但不能用判定集电极和发射极的方法来判断源极和漏极。

自测题分析与解答

一、判断下列说法是否正确，用“√’’和“×

’’表示判断结果填人空内。

（1）在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（5）结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其

大的特点。

（6）若耗尽型N沟道MOS管的大于零，则其输入电阻会明显变小。

【解答】

（1）√。

三价元素产生空穴正好中和五价元素的自由电子，当空穴足够多时就

能将N型半导体转变为P型半导体。

，．

（2）×

N型半导体内的多子，电子在没有受到激发的状态下，不能变成自由电子。

（3）√。

由于扩散作用在空间形成空间电荷区，空间电荷区内电场的加强正好阻止扩散

作用，所以在没有外加能量的作用下，结电流为零。

在外加反向电压的作用下，基区的非平衡少子，在外电场作用下越过集电极到达

集电区形成漂移电流。

（5）√。

当、|UGsl增大时，耗尽层加宽，沟道变窄，沟道电阻增大。

当沟道消失时，RGs趋于无穷大。

4

因为在制作MOS管子时，在Si02中渗人大量正离子，在正离子的作用下，P型衬

底表层形成反型层，因为反型层的存在，所以输入电阻不会明显变小。

二、选择正确答案填人空内。

（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将。

A．变窄B．基本不变C．变宽

（2）稳压管的稳压区是其工作在。

A．正向导通B．反向截止C．反向击穿

（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A．前者反偏、后者也反偏

B．前者正偏、后者反偏

C．前者正偏、后者也正偏

（4）=0时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A．结型管8．增强型MOS管C．耗尽型MOS管

【解答】

（1）A。

由于外电场的作用，将多数载流子推向空间电荷区，从而使其变窄。

（2）C。

稳压二极管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现良好的稳

压特性。

（3）B。

晶体管工作在放大状态时，发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE．集

电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Jc。

（4）A、C。

对于结型场效应管犹Gs一0时，耗尽层很窄，导电沟道很宽，能够工作在恒流区。

而对于耗尽型MOS管，由于其Si02中掺人大量正离子，那么当犹Gs—o时，漏一源之间存在导

电沟道，因此只要有正向电压作用就存在恒流区。

三、写出图Tl．3所示各路的输出电压值，设二极管导通电压=0.7V。

图Tl．3

【解答】根据二极管正向导通反向截止的原理：

≈1.3V=0≈一l.3V≈2V≈1.3V≈-2V

四、已知稳压管的稳压值=6V，稳定电流的最小值=5mA。

求图Tl．4所示电路

N005

中和各为多少伏。

图Tl．4

【解答】图（a）Dz导通，所以为6V；

图（b）Dz未导通，所以为5V。

五、电路如图Tl．5所示，=100，=0.7V。

试问

（1）Rb=50kΩ时，=?

（2）若T临界饱和，则Rb≈?

【解答】

（1）

那么

（2）临界饱和时，，所以

N006

习题全解

1．1选择合适答案填人空内。

’

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A．五价B．四价C．三价

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A．增大B．不变C．减小

（3）工作在放大区的某三极管，如果当从12uA增大到22uA时，从1mA变为2mA，

那么它的β约为。

A．838．91C．100

（4）当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时，它的低频跨导将。

A．增大B．不变C．减小

【解答】

（1）AC。

五价元素取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体，硅晶体中掺人

三价元素，使之取代晶格中的硅原子的位置，形成P型半导体。

（2）A。

温度的升高，加强载流子的运动，从而加剧漂移运动的进行，从而反向饱合电流将

增大。

（3）C。

由公式p—A瓦ic一糌--1000

（4）A。

gm是转移特性曲线上某一点的切线的斜率，可通过式求导得到，gm与切点的位

置密切相关，由于转移特性曲线的非线性，因而iD愈大，gm也愈大。

N007

（N050）自测题分析与解答

一、现有基本放大电路：

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路E．共漏电路

根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

（1）要求输入电阻为lkΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用，第二级应采用。

（2）要求输入电阻大于l0MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用，第二级应

采用。

（3）要求输入电阻为l00kΩ至200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用

，第二级应采用。

（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于l0MΩ，输出电阻小于l00Ω，第一级应采用，第二级应采用。

（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且||=||>

1000，输出电阻R<

100Ω，第一级应采用，第二级应采用。

【解答】

（1）AA

（2）DA（3）BA（4）DB（5）CB

共射放大电路具有较高的放大倍数，输人电阻不高，减小输出电阻将影响电路的放大倍

数。

共集电极电路，电压放大倍数小于1，输入电阻较高，信号源内阻不很低时仍可获取较大输入信号，输出电阻小，所以带负载能力较强，因此多用于输入级、输出级，共基放大电路：

电压放大倍数同共射相同，输入电阻比共射电路小，输出电阻相同，在要求频率特性高的场合多用共基电路。

二、选择合适答案填入空内

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A、元件老化B、晶体管参数受温度影响C、放大倍数不够稳定D、电源电压不稳定

（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

A、便于设计B、放大交流信号C、不易制作大容量电容

（3）选用差分放大电路的原因是。

A、克服温漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数

（4）差分放大电路的差模信号是两个输入信号的，共模信号是两个输入端信号的。

A、差B．和C．平均值

（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的——。

A差模放大倍数数值增大B．抑制共模信号能力增强C差模输入电阻增大

（6）互补输出级采用共集形式是为了——。

’

A电压放大倍数大B不失真输出电压大C带负载能力强

【解答】

（1）A、B、D

（2）C（3）A（4）AC（5）B（6）C

三、电路如图T3．3所示，所有晶体管均为硅管，β均为200，，静态时||≈0.7V。

试求：

（1）静态时T1，管和T2管的发射极电流。

（2）若静态时“>

0，则应如何调节Rc2的值才能使=0V?

若静态=0V，则Rc2=?

电压放大倍数为多少？

（1）

图T3．3

（2）若静态时>

0，应减少Rc2才能使=0V。

静态时=0时，=0，则由此可以推得T4管的集电极电流

则可以计算的经过Rc2的电流为

（N051结束）

自测题分析与解答

选择正确答案填入空内。

1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。

A．输入电压幅值不变，改变频率

B．输入电压频率不变，改变幅值

C．输入电压的幅值与频率同时变化

2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是——，而低频信号作用

时放大倍数数值下降的原因是。

A．耦合电容和旁路电容的存在

B．半导体管极间电容和分布电容的存在

C．半导体管的非线性特性

D．放大电路的静态工作点不合适

3）当信号频率等于放大电路的^或fH，时，放大倍数的值约下降到中频时的。

A.0．5B．0．7C．0．9

即增益下降。

A．3dBB．4dBC．5dB，。

4）对于单管共射放大电路，当f=时，与相位关系是。

A．+B．-C．-。

当时，与相位关系是。

A．-B．-C．。

}答】

（1）A

（2）