沟道长度相关参数(Leff等)Word文档格式.doc

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交点表示刚好Vg相同，并且有效沟道长度为0的情况，由此算出L&

Z7uJ%^h0@K半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]另外还有Weff，有效沟道宽度，道理一样。

图片附件:

Leff.jpg（2007-2-500:

19,64.19K））vs;

v 

h,H$o

T半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]2、Kappa与Beta（β）

K

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#dd1A!

x!

i6T估计大家对Kappa的了解是最少的。

q\e{Kappa实际上就是Poly能力的本质所在，只与Gox的厚度和电子迁移率有关，它决定了当gate开启的时候，电流的大小。

但是电流大小还会与Poly本身的尺寸有关，所以Beta是融合了Poly长宽（L/W）的Kappa。

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}8Up}fV"

L:

XBo半导体技术天地[SemiconductorTechnologyWorld]当客户设计的时候，就会问fab的Kappa是多少，如果fab制程提供的Kappa不满足design的需求，客户就会在长宽（L/W）上动脑筋，长度增加，电流也增加了。

Kappa.jpg（2007-2-500:

19,63.48K）3.Isat

k*e6y 

i
o）S@芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA即饱和电流，即Gate开启后，电流在一定drain端电压范围内不再增加。

沟道长度越短，Gate开启（Vg>

Vt）时的电流越大，就越早达到饱和电流。

那么是不是Isat一定与Vt成反比呢？

大家去查任何一本半导体的书，或者问自己的师傅，一定会告诉你：

是。

4p-I0GBJc$A但是答案是不一定。

芯片制造过程中会遇到很多想像不到的问题，我带的产品确实是Isat和Vt成正比。

这个案例非常复杂，以后我会告诉大家。

芯片,图片附件:

Isat.jpg（2007-2-500:

19,52.05K）9d）n#k6b,^3j!

g4、Bv

#g5r!

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@$i+S（i6Kt芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这里特别说明，Bv与VBD本质上不同，Bv是Gate不开的时候，只在drain端加高压，量测drain端电流，所以量测的是source到drain的击穿，当然与沟道长度有关；

VBD是量测drain到Gox的击穿，所以是评估Gox好不好的参数。

Bv.jpg（2007-2-500:

19,58.27K）5、Swing和DIBL

N-?

8u;

XT芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这两个参数都是MOS在sub－threshold区的参数。

在sub－threshold区，Vg略小于Vt，这个时候的通道电流不应该是强反转时候的电流，而是弱反转，即npn或pnp之间的电流。

所以一句话概括，当MOS关闭的时候，我们当然希望里面什么电流都没有，当MOS开启的时候才有电流。

4aGaXYm&

q2KSwing就是这个变化程度大小的量度，如下所述。

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w/[-l&

nt0H

rDIBL，即是这个现象的描述。

swing.jpg（2007-2-500:

19,69.63K）