沟道长度相关参数(Leff等)Word文档格式.doc

1、交点表示刚好Vg相同，并且有效沟道长度为0的情况，由此算出L &Z7uJ%h0K半导体技术天地Semiconductor Technology World另外还有Weff，有效沟道宽度，道理一样。图片附件: Leff.jpg （2007-2-5 00:19, 64.19K）v s;v h,H$oT半导体技术天地Semiconductor Technology World2、Kappa与Beta（）Ku1?#dd1A!x!i6T估计大家对Kappa的了解是最少的。qe Kappa实际上就是Poly能力的本质所在，只与Gox的厚度和电子迁移率有关，它决定了当gate开启的时候，电流的大小。但是电流

2、大小还会与Poly本身的尺寸有关，所以Beta是融合了Poly长宽（L/W）的Kappa。#j8UpfVL:XBo半导体技术天地Semiconductor Technology World当客户设计的时候，就会问fab的Kappa是多少，如果fab制程提供的Kappa不满足design的需求，客户就会在长宽（L/W）上动脑筋，长度增加，电流也增加了。 Kappa.jpg （2007-2-5 00:19, 63.48 K） 3.Isatk*e6y io）S芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layo

3、ut,package,test,FA,RA,QA即饱和电流，即Gate开启后，电流在一定drain端电压范围内不再增加。沟道长度越短，Gate开启（VgVt）时的电流越大，就越早达到饱和电流。那么是不是Isat一定与Vt成反比呢？大家去查任何一本半导体的书，或者问自己的师傅，一定会告诉你：是。4p-I0G BJc$A但是答案是不一定。芯片制造过程中会遇到很多想像不到的问题，我带的产品确实是Isat和Vt成正比。这个案例非常复杂，以后我会告诉大家。芯片, 图片附件: Isat.jpg （2007-2-5 00:19, 52.05 K） 9d）n#k6b,3j!g4、Bv#g5r!?$i+S（i6

4、Kt芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这里特别说明，Bv与VBD本质上不同，Bv是Gate不开的时候，只在drain端加高压，量测drain端电流，所以量测的是source到drain的击穿，当然与沟道长度有关； VBD是量测drain到Gox的击穿，所以是评估Gox好不好的参数。 Bv.jpg （2007-2-5 00:19, 58.27 K）5、Swing和DIBLN-?8u;XT芯片,设计,版图,晶圆制造,工艺,制程,封装,测试,wa

5、fer,chip,ic,design,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA这两个参数都是MOS在subthreshold区的参数。在subthreshold区，Vg略小于Vt，这个时候的通道电流不应该是强反转时候的电流，而是弱反转，即npn或pnp之间的电流。所以一句话概括，当MOS关闭的时候，我们当然希望里面什么电流都没有，当MOS开启的时候才有电流。4aGaX Ym&q2KSwing就是这个变化程度大小的量度，如下所述。7E3A!w/-l&nt0HrDIBL，即是这个现象的描述。 swing.jpg （2007-2-5 00:19, 69.63 K）