太阳能电池研究性报告Word文件下载.docx
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势垒电场会使载流子向扩散的反方向作漂移运动，最终扩散与漂移达到平衡，使流过P-N结的净电流为零。
在空间电荷区内，P区的空穴被来自N区的电子复合，N区的电子被来自P区的空穴复合，使该区内几乎没有能导电的载流子，又称为结区或耗尽区。
当光电池受光照射时，部分电子被激发而产生电子－空穴对，在结区激发的电子和空穴分别被势垒电场推向N区和P区，使N区有过量的电子而带负电，P区有过量的空穴而带正电，P-N结两端形成电压，这就是光伏效应，若将P-N结两端接入外电路，就可向负载输出电能。
在一定的光照条件下，改变太阳能电池负载电阻的大小，测量其输出电压与输出电流，得到输出伏安特性，如图2实线所示。
负载电阻为零时测得的最大电流ISC称为短路电流。
负载断开时测得的最大电压VOC称为开路电压。
太阳能电池的输出功率为输出电压与输出电流的乘积。
同样的电池及光照条件，负载电阻大小不一样时，输出的功率是不一样的。
若以输出电压为横坐标，输出功率为纵坐标，绘出的P-V曲线如图2点划线所示。
输出电压与输出电流的最大乘积值称为最大输出功率Pmax。
填充因子F.F定义为：
（1）
填充因子是表征太阳电池性能优劣的重要参数，其值越大，电池的光电转换效率越高，一般的硅光电池FF值在0.75~0.8之间。
转换效率ηs定义为：
（2）
Pin为入射到太阳能电池表面的光功率。
理论分析及实验表明，在不同的光照条件下，短路电流随入射光功率线性增长，而开路电压在入射光功率增加时只略微增加，如图3所示。
硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
单晶硅太阳能电池转换效率最高，技术也最为成熟。
在实验室里最高的转换效率为24.7%，规模生产时的效率可达到15%。
在大规模应用和工业生产中仍占据主导地位。
但由于单晶硅价格高，大幅度降低其成本很困难，为了节省硅材料，发展了多晶硅薄膜和非晶硅薄膜做为单晶硅太阳能电池的替代产品。
多晶硅薄膜太阳能电池与单晶硅比较，成本低廉，而效率高于非晶硅薄膜电池，其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率可达到10%。
因此，多晶硅薄膜电池可能在未来的太阳能电池市场上占据主导地位。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低，重量轻，便于大规模生产，有极大的潜力。
如果能进一步解决稳定性及提高转换率，无疑是太阳能电池的主要发展方向之一。
三、仪器介绍
太阳能电池基本特性测量实验装置如图7所示，电源面板如图8所示。
图7太阳能电池实验装置
光源采用碘钨灯，它的输出光谱接近太阳光谱。
调节光源与太阳能电池之间的距离可以改变照射到太阳能电池上的光强，具体数值由光强探头测量。
测试仪为实验提供电源，同时可以测量并显示电流、电压、以及光强的数值。
电压源：
可以输出0～8V连续可调的直流电压。
为太阳能电池伏安特性测量提供电压。
电压/光强表：
通过“测量转换”按键，可以测量输入“电压输入”接口的电压，或接入“光强输入”接口的光强探头测量到的光强数值。
表头下方的指示灯确定当前的显示状态。
通过“电压量程”或“光强量程”，可以选择适当的显示范围。
电流表：
可以测量并显示0～200mA的电流，通过“电流量程”选择适当的显示范围。
太阳能电池应用系统的实验装置如图9所示，由太阳能电池组件，实验仪和测试仪3部分组成。
各部件的基本参数如下：
太阳能电池单晶硅太阳能电池，标称电压12V，标称功率2W
光源100W碘钨灯，为保证太阳能电池不因过热损坏，使用时调节至离太阳能电池最远
负载组件0～1KΩ，2W
直流风扇12V，1W
LED灯直流15V，0.4W
DC-DC升降压DC-DC，输入5～35V，输出1.5～17V，1A
超级电容2.3F，11V
蓄电池12V，1.3AH（安时）
逆变器DC12V～AC220V，75W
交流负载节能灯，5W
图8太阳能电池特性实验仪
图9太阳能电池应用实验装置
四、实验内容
（一）太阳能电池基本特性测量
1．硅太阳能电池的暗伏安特性测量
暗伏安特性是指无光照射时，流经太阳能电池的电流与外加电压之间的关系。
太阳能电池的基本结构是一个大面积平面P-N结，单个太阳能电池单元的P-N结面积已远大于普通的二极管。
在实际应用中，为得到所需的输出电流，通常将若干电池单元并联。
为得到所需输出电压，通常将若干已并联的电池组串连。
因此，它的伏安特性虽类似于普通二极管，但取决于太阳能电池的材料，结构及组成组件时的串并连关系。
本实验提供的组件是将若干单元并联。
要求分别测试并画出单晶硅,多晶硅，非晶硅太阳能电池组件在无光照时的暗伏安特性曲线。
用遮光罩罩住太阳能电池。
测试原理图如图10所示。
将待测的太阳能电池接到测试仪上的“电压输出”接口，电阻箱调至50Ω后串连进电路起保护作用，用电压表测量太阳能电池两端电压，电流表测量回路中的电流。
图10伏安特性测量接线原理图
将电压源调到0V，然后逐渐增大输出电压，每间隔0.1V记一次电流值。
然后再次将电压输入调到0V，将“电压输出”接口的两根连线互换，即给太阳能电池加上反向的电压，逐渐增大反向电压，记录电流随电压变换的数据。
2．开路电压，短路电流与光强关系测量
打开光源开关，预热5分钟。
打开遮光罩。
将光强探头装在太阳能电池板位置，探头输出线连接到太阳能电池特性测试仪的“光强输入”接口上。
测试仪设置为“光强测量”。
由近及远（从10cm到50cm）移动滑动支架，测量距光源一定距离（每隔5cm）的光强I。
将光强探头换成单晶硅太阳能电池，测试仪设置为“电压表”状态。
按图11A接线，按测量光强时的距离值（光强已知），记录开路电压值。
按图11B接线，记录短路电流值于表2中。
将单晶硅太阳能电池更换为多晶硅太阳能电池，重复上述测量步骤，并记录数据。
将多晶硅太阳能电池更换为非晶硅太阳能电池，重复上述测量步骤，并记录数据。
3．太阳能电池输出特性实验
按图12接线，以电阻箱作为太阳能电池负载。
在一定光照强度下（将滑动支架固定在导轨上某一个位置），分别将三种太阳能电池板安装到支架上，通过改变电阻箱的电阻值，记录太阳能电池的输出电压V（按照每隔0.2V的间隔）和电流I。
若时间允许，可改变光照强度（改变滑动支架的位置），重复前面的实验。
4、注意事项
⑴在预热光源的时候，需用遮光罩罩住太阳能电池，以降低太阳能电池的温度，减小实验误差；
⑵光源工作及关闭后的约1小时期间，灯罩表面的温度都很高，请不要触摸；
⑶可变负载只能适用于本实验，否则可能烧坏可变负载；
⑷220V电源需可靠接地。
五、数据处理
太阳能电池板面积50*50mm^2
一．硅太阳能电池的暗伏安特性测量
以电压作横坐标，电流作纵坐标，根据表1画出三种太阳能电池的伏安特性曲线。
1.原始数据
（1）单晶硅
正向
U/V
0.5
1
1.5
2
2.5
3
I/mA
0.021
0.071
0.222
0.816
5.8
79.9
反向
0.014
0.028
0.043
0.058
0.074
0.09
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0.108
0.128
0.149
0.172
0.2
0.23
0.268
7
7.5
8
8.5
0.324
0.38
0.441
0.503
（2）多晶硅
2.98
0.54
0.142
0.425
1.638
9.8
108.1
0.051
0.105
0.162
0.22
0.281
0.344
0.414
0.488
0.571
0.659
0.761
0.869
1.005
1.158
1.338
1.534
（3）非晶硅
0.209
0.434
0.683
0.96
1.388
3.2
14.7
49.6
0.208
0.432
0.674
0.935
1.216
1.507
1.814
2.1
2.4
2.8
3.6
2.数据处理
二．开路电压，短路电流与光强关系测量
画出三种太阳能电池的开路电压随光强变化的关系曲线；
画出三种太阳能电池的短路电流随光强变化的关系曲线。
光强W/m^2
79
97
121
156
211
Voc
2.39
2.42
2.46
2.56
Isc
7.8
9.4
11.7
15.2
20.4
303
478
884
1850
2.62
2.69
29.7
47.1
85.3
188.4
2.29
2.33
2.37
2.47
6.9
8.4
10.3
13.4
18.2
2.54
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