数字电子技术基础习题及答案Word文档格式.docx
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(2)写出的表达式,电容上的初始电压设为零。
11.测量放大电路如图所示,均为理想运算放大器。
若,试分别求对输入信号的函数关系。
12.试写出图中电路的输出电压的表达式。
设均为理想运算放大器,。
13.设图中各运算放大器均具有理想的特性,问:
(1)各个运放分别构成什么电路
(2)输出电压与各输入电压是什么关系
14.已知图中的集成运放都是理想运算放大器,求输出电压。
15.增益可调的同相串联型差动运算放大电路如图所示。
设均为理想运算放大器,求:
(1)当没有接入时,与的关系式;
(2)接入后,和的表达式。
16.电路如图所示,试写出当时负载电流的表达式。
17.设图中所示电路中,运算放大器是理想的,,。
试计算下列各值:
(1)当时,=
(2)要使时,维持在0V,则=(设电容器两端的初始电压)
(3)设t=0时V,求t=2s时=
18.如图所示电路中,均为理想运算放大器,输入电压均自t=0时接入,求的表达式。
设t=0时电容器上的电压。
19.电路如图所示,设运算放大器都是理想的,求输出电压与输入电压之间的传递函数。
20.用图中所示电路可以模拟微分方程。
试求微分方程的系数A和B。
设所用的运算放大器都具有理想的特性。
信号产生电路试题
1.(12分)
根据相位平衡条件判断下列各电路能否产生自激振荡(要求在电路上标出瞬时极性),若能,写出振荡频率表达式。
2.(12分)
根据相位平衡条件判断下列各电路能否产生自激振荡(要求在图上标出瞬时极性符号),各图中标明C1的电容为耦合电容或旁路电容。
(1)图(a)、(b)电路若可振荡,试说明理由并写出其振荡频率的表达式;
若不能振荡,请修改成能振荡的电路。
(2)图(c)电路中当Rs=1kΩ,Rf取何值时才能使电路起振,写出振荡频率的表达式。
3.(10分)
图示是用运算放大器构成的音频信号发生器的简化电路。
问:
大致调到多大才能起振
为双联电位器,可从0调到Ω,是求震荡频率的调节范围。
0.01μ
∞
3.3K
R1
1k
2k
Rf2
Rf1
R
Vo
+
-
4.(10分)
图(a)所示RC串并联正弦振荡电路接好后,不能振荡
请找出图中的错误并在图中加以改正。
改正后的电路如振荡频率f0=480HZ,试确定R的值(其中C=μF)。
若将负反馈支路上的电阻R1改为可稳幅的热敏电阻,问R1应有怎样的温度系数
利用相位平衡条件判断图(b)电路能否产生振荡(标出瞬时极性),如能,求振荡频率(其中C1=C2=47pF,L=)。
5.(12分)
一正弦波振荡电路如下图所示,已知Vcc=15v,R=Ω,C=μ
求:
(1)该电路的振荡频率fo=
(2)Rt应该具有正的温度系数还是负的温度系数
(3)理想情况下,电路的最大输出功率Pomax是多少
(4)晶体管最大允许功耗是多少
填空、选择试题
一、二极管、BJT、FET、基本放大电路
1、选择正确答案填入空内
(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A.变窄B.基本不变C.变宽
(2)设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。
A.ISeUB.C.
(3)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿
(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A.前者反偏、后者也反偏
B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者也正偏
(5)UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管
(6)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体,其中多少载流子是,少数载流子是;
加入元素可形成P型半导体,其中多少载流子是,少数载流子是。
A.五价B.四价C.三价D.自由电子E.空穴
(7)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A.增大B.不变C.减小
(8)工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为。
A.83B.91C.100
(9)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将。
A.增大B.不变C.减小
(10)已知图所示电路中VCC=12V,RC=3kΩ,静态管压降UCEQ=6V;
并在输出端加负载电阻R,其阻值为3kΩ。
选择一个合适的答案填入空内。
①该电路的最大不失真输出电压有效值Uom≈;
②当=1mV时,若在不失真的条件下,减小RW,则输出电压的幅值将;
A.减小B.不变C.增大
③在=1mV时,将Rw调到输出电压最大且刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出电压波形将;
A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波
④若发现电路出现饱和失真,则为消除失真,可将。
减小减小减小
2、写出图2所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压VD=。
图2
3.已知稳压管的稳压值VZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。
求图3所示电路中VO1和VO2各为多少伏。
图3
4.电路如图4所示,VCC=15V,β=100,VBE=。
试问:
(1)Rb=50kΩ时,vO=
(2)若T临界饱和,则Rb≈
图4
5.测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示,它们的开启电压也在表中。
试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区),并填入表内。
表
管号
VGS(th)/V
VS/V
VG/V
VD/V
工作状态
T1
4
-5
1
3
T2
-4
10
T3
6
5
6.电路如图6所示,已知vi=5sinωt(V),二极管导通电压VD=。
试画出vi与vO的波形,并标出幅值。
图6
7.电路如图7(a)所示,其输入电压vI1和vI2的波形如图(b)所示,二极管导通电压VD=。
试画出输出电压vO的波形,并标出幅值。
图7
8.现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为。
(1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值各为多少
(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值各为多少
9.已知稳压管的稳定电压VZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。
试求图所示电路中电阻R的取值范围。
图9
10.已知图10所示电路中稳压管的稳定电压VZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。
(1)分别计算VI为10V、15V、35V三种情况下输出电压VO的值;
(2)若VI=35V时负载开路,则会出现什么现象为什么
图10
11.电路如图11(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压VZ=3V,R的取值合适,vI的波形如图(c)所示。
试分别画出vO1和vO2的波形。
vI
vovI
vo
图11
12.有两只晶体管,一只的β=200,ICEO=200μA;
另一只的β=100,ICEO=10μA,其它参数大致相同。
你认为应选用哪只管子为什么
13.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图13所示。
分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。
图13
14.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。
在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。
图14
15.电路如图15所示,晶体管导通时VBE=,β=50。
试分析VBB为0V、1V、三种情况下T的工作状态及输出电压vO的值。
16.电路如图所示,晶体管的β=50,|VBE|=,饱和管压降|VCES|=;
稳压管的稳定电压VZ=5V,正向导通电压VD=。
当vI=0V时vO=当vI=-5V时vO=
图15图16
17.已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。
试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。
图17
18.分别判断图所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
图18
二、功率放大电路
1、选择合适的答案,填入空内。
(1)功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大。
A.交流功率B.直流功率C.平均功率
(2)功率放大电路的转换效率是指。
A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比
B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
(3)在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A.1WB.C.
(4)在选择功放电路中的晶体管时,应当特别注意的参数有。
A.βB.ICMC.ICBO
D.BUCEOE.PCMF.fT
(5)若下图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│UCES│,则最大输出功率POM=。
A.B.C.
三、集成运算放大器
1、集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小
C.集成工艺难于制造大容量电容
2、通用型集成运放适用于放大。
A.高频信号B.低频信号
C.任何频率信号
3、集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响
C.参数一致性好
4、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A.减小温漂B.增大放大倍数
C.提高输入电阻
5、为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用。
A.共射放大电路B.共集放大电路
C.共基放大电路