传感器技术课后题答案贾伯年第3版Word下载.docx
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以传感器校准曲线两端点间的连线作为拟合直线。
“最佳直线”法:
以“最佳直线”作为拟合直线,该直线能保证传感器正反行程校准曲线对它的正负偏差相等并且最小。
这种方法的拟合精度最高。
最小二乘法:
按最小二乘原理求取拟合直线,该直线能保证传感器校准数据的残差平方和最小。
什么是传感器的静态特性和动态特性?
为什么要分静和动?
(1)静态特性:
表示传感器在被测输入量各个值处于稳定状态时的输出-输入关系。
动态特性:
反映传感器对于随时间变化的输入量的响应特性。
(2)由于传感器可能用来检测静态量(即输入量是不随时间变化的常量)、准静态量或动态量(即输入量是随时间变化的变量),于是对应于输入信号的性质,所以传感器的特性分为静态特性和动态特性。
Z-1分析改善传感器性能的技术途径和措施。
(1)结构、材料与参数的合理选择
(2)差动技术(3)平均技术(4)稳定性处理(5)屏蔽、隔离与干扰抑制
(6)零示法、微差法与闭环技术(7)补偿、校正与“有源化”(8)集成化、智能化与信息融合
2-1金属应变计与半导体工作机理的异同?
比较应变计各种灵敏系数概念的不同意义。
(1)相同点:
它们都是在外界力作用下产生机械变形,从而导致材料的电阻发生变化所;
不同点:
金属材料的应变效应以机械形变为主,材料的电阻率相对变化为辅;
而半导体材料则正好相反,其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主,而机械形变为辅。
(2)对于金属材料,灵敏系数Ko=Km=(1+2μ)+C(1-2μ)。
前部分为受力后金属几何尺寸变化,一般μ≈0.3,因此(1+2μ)=1.6;
后部分为电阻率随应变而变的部分。
金属丝材的应变电阻效应以结构尺寸变化为主。
对于半导体材料,灵敏系数Ko=Ks=(1+2μ)+πE。
前部分同样为尺寸变化,后部分为半导体材料的压阻效应所致,而πE》(1+2μ),因此Ko=Ks=πE。
半导体材料的应变电阻效应主要基于压阻效应。
2-3简述电阻应变计产生热输出(温度误差)的原因及其补偿办法。
电阻应变计的温度效应及其热输出由两部分组成:
前部分为热阻效应所造成;
后部分为敏感栅与试件热膨胀失配所引起。
在工作温度变化较大时,会产生温度误差。
补偿办法:
1、温度自补偿法
(1)单丝自补偿应变计
(2)双丝自补偿应变计
2、桥路补偿法
(1)双丝半桥式
(2)补偿块法
2-4试述应变电桥产生非线性的原因及消减非线性误差的措施。
原因:
上式分母中含ΔRi/Ri,是造成输出量的非线性因素。
无论是输出电压还是电流,实际上都与ΔRi/Ri呈非线性关系。
措施:
(1)差动电桥补偿法
差动电桥呈现相对臂“和”,相邻臂“差”的特征,通过应变计合理布片达到补偿目的。
常用的有半桥差动电路和全桥差动电路。
(2)恒流源补偿法
误差主要由于应变电阻ΔRi的变化引起工作臂电流的变化所致。
采用恒流源,可减小误差。
2-5如何用电阻应变计构成应变式传感器?
对其各组成部分有何要求?
一是作为敏感元件,直接用于被测试件的应变测量;
另一是作为转换元件,通过弹性敏感元件构成传感器,用以对任何能转变成弹性元件应变的其他物理量作间接测量。
要求:
非线性误差要小(<
0.05%~0.1%F.S),力学性能参数受环境温度影响小,并与弹性元件匹配。
2-9四臂平衡差动电桥。
说明为什么采用。
全桥差动电路,R1,R3受拉,R2,R4受压,代入,得
由全等桥臂,得
可见输出电压Uo与ΔRi/Ri成严格的线性关系,没有非线性误差。
即Uo=f(ΔR/R)。
因为四臂差动工作,不仅消除了飞线性误差,而且输出比单臂工作提高了4倍,故常采用此方法。
3-1比较差动式自感传感器和差动变压器在结构上及工作原理上的异同。
绝大多数自感式传感器都运用与电阻差动式类似的技术来改善性能,由两单一式结构对称组合,构成差动式自感传感器。
采用差动式结构,除了可以改善非线性、提高灵敏度外,对电源电压与频率的波动及温度变化等外界影响也有补偿作用,从而提高了传感器的稳定性。
互感式传感器是一种线圈互感随衔铁位移变化的变磁阻式传感器,初、次级间的互感随衔铁移动而变,且两个次级绕组按差动方式工作,因此又称为差动变压器。
3-4变间隙式、变截面式和螺旋式三种电感式传感器各适合用于什么场合?
各有什么优缺点?
变气隙式灵敏度较高,但测量范围小,一般用于测量几微米到几百微米的位移。
变面积式灵敏度较低,但线性范围较大,除E型与四极型外,还常做成八极、十六极型,一般可分辨零点几角秒以下的微小角位移,线性范围达±
10°
.
螺管式可测量几纳米到一米的位移,但灵敏度较前两种低。
3-5螺管式电感传感器做成细长形有什么好处?
欲扩大其线性范围可以采取哪些措施?
答:
好处:
增加线圈的长度有利于扩大线性范围或提高线性度。
措施:
适当增加线圈长度、采用阶梯形线圈。
3-6差动式电感传感器为什么常采用相敏检波电路?
分析原理。
原因:
相敏检波电路,它能有效地消除基波正交分量与偶次谐波分量,减小奇次谐波分量,使传感器零位电压减至极小。
3-7电感传感器产生零位电压的原因和减小零位电压的措施。
差动自感式传感器当衔铁位于中间位置时,电桥输出理论上应为零,但实际上总存在零位不平衡电压输出(零位电压),造成零位误差。
一种常用的方法是采用补偿电路,其原理为:
(1)串联电阻消除基波零位电压;
2)并联电阻消除高次谐波零位电压;
(3)加并联电容消除基波正交分量或高次谐波分量。
另一种有效的方法是采用外接测量电路来减小零位电压。
如前述的相敏检波电路,它能有效地消除基波正交分量与偶次谐波分量,减小奇次谐波分量,使传感器零位电压减至极小。
此外还可采用磁路调节机构(如可调端盖)保证磁路的对称性,来减小零位电压。
3-9造成自感式传感器和差动变压器温度误差的原因及其减小措施。
(1)环境温度的变化会引起自感传感器的零点温度漂移、灵敏度温度漂移以及线性度和相位的变化,造成温度误差。
应注意线膨胀系数的大小与匹配,采用弱磁不锈钢等材料作线圈骨架,或采用脱胎线圈。
(2)当温度变化时,差动变压器初级线圈的参数尤其铜阻的变化影响较大。
应提高初级线圈的品质因数,或采用稳定激励电流的方法减小温度误差。
3-12电涡流式传感器的原理及应用。
1.测位移电涡流式传感器的主要用途之一是可用来测量金属件的静态或动态位移,最大量程达数百毫米,分辨率为0.1%。
2.测厚度金属板材厚度的变化相当于线圈与金属表面间距离的改变,根据输出电压的变化即可知线圈与金属表面间距离的变化,即板厚的变化。
3.测温度若保持电涡流式传感器的机、电、磁各参数不变,使传感器的输出只随被测导体电阻率而变,就可测得温度的变化。
3-14比较定频调幅式、变频调幅式和调频式三种测量电路的优缺点,并指出它们的应用场合。
(1)定频调幅式:
这种电路采用石英晶体振荡器,能获得高稳定度频率的高频激励信号,输出稳定,获得广泛应用,
但线路较复杂,装调较困难,线性范围也不够宽。
(2)变频调幅式:
这种电路除结构简单、成本较低外,还具有灵敏度高、线性范围宽等优点,因此监控等场合常采用它。
(3)调频式:
这种电路的关键是提高振荡器的频率稳定度。
通常可以从环境温度变化、电缆电容变化及负载影响三方面考虑。
4-1电容式传感器可分为哪几类?
各自的主要用途是什么?
(1)变极距型电容传感器:
在微位移检测中应用最广。
(2)变面积型电容传感器:
适合测量较大的直线位移和角位移。
(3)变介质型电容传感器:
可用于非导电散材物料的物位测量。
4-2变极距型电容传感器产生非线性误差的原因及如何减小?
灵敏度S与初始极距的平方成反比,用减少的办法来提高灵敏度,但的减小会导致非线性误差增大。
采用差动式,可比单极式灵敏度提高一倍,且非线性误差大为减小。
由于结构上的对称性,它还能有效地补偿温度变化所造成的误差。
4-3为什么电容式传感器的绝缘、屏蔽和电缆问题特别重要?
如何解决?
电容式传感器由于受结构与尺寸的限制,其电容量都很小,属于小功率、高阻抗器,因此极易受外界干扰,尤其是受大于它几倍、几十倍的、且具有随机性的电缆寄生电容的干扰,它与传感器电容相并联,严重影响传感器的输出特性,甚至会淹没没有用信号而不能使用。
解决:
驱动电缆法、整体屏蔽法、采用组合式与集成技术.
5-12霍尔效应是什么?
可进行哪些参数的测量?
当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这一现象便是霍尔效应。
这个电势差也被叫做霍尔电势差。
利用霍尔效应可测量大电流、微气隙磁场、微位移、转速、加速度、振动、压力、流量和液位等;
用以制成磁读头、磁罗盘、无刷电机、接近开关和计算元件等等。
磁敏电阻与磁敏二极管的特点?
磁敏电阻:
外加磁场使导体(半导体)电阻随磁场增加而增大的现象称磁阻效应。
载流导体置于磁场中除了产生霍尔效应外,导体中载流子因受洛仑兹力作用要发生偏转,载流子运动方向偏转使电流路径变化,起到了加大电阻的作用,磁场越强增大电阻的作用越强。
磁敏电阻主要运用于测位移。
磁敏二极管:
输出电压随着磁场大小的方向而变化,特别是在弱磁场作用下,可获得较大输出电压变化,r区内外复合率差别越大,灵敏度越高。
当磁敏二极管反向偏置时,只有很少电流通过,二极管两端电压也不会因受到磁场的作用而有任何改变。
利用磁敏二极管可以检测弱磁场变化这一特性可以制成漏磁探伤仪。
6-1何谓压电效应?
正压电与逆压电?
一些离子型晶体的电介质不仅在电场力作用下,而且在机械力作用下,都会产生极化现象。
且其电位移D(在MKS单位制中即电荷密度σ)与外应力张量T成正比:
D=dT式中d——压电常数矩阵。
当外力消失,电介质又恢复不带电原状;
当外力变向,电荷极性随之而变。
这种现象称为正压电效应,或简称压电效应。
若对上述电介质施加电场作用时,同样会引起电介质内部正负电荷中心的相对位移而导致电介质产生变形,且其应变S与外电场强度E成正比:
S=dtE
式中dt——逆压电常数矩阵。
这种现象称为逆压电效应,或称电致伸缩。
压电材料的主要特性参数有哪些?
比较三类压电材料的应用特点。
主要特性:
压电常数、弹性常数、介电常数、机电耦合系数、电阻、居里点
压电单晶:
时间稳定性好,居里点高,在高温、强幅射条件下,仍具有良好的压电性,且机械性能,如机电耦合系数、介电常数、频率常数等均保持不变。
此外,还在光电、微声和激光等器件方面都有重要应用。
不足之处是质地脆、抗机械和热冲击性差。
压电陶瓷:
压电常数大,灵敏度高,制造工艺成熟,成形工艺性好,成本低廉,利于广泛应用,还具