模电13章课后习题综述Word格式.docx

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7.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是静态Ic偏小；

产生饱和失真的原因是Ic偏大；

若两种失真同时产生，其原因是输入信号太大。

8.试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是

共集电路；

通频带较宽的是共基电路；

输入电阻较小的是

共基电路；

输出电阻较小的是共集电路；

输出信号与输入信号同相位的是共集和共基电路；

电压增益小于1的是共集电路；

带负载能力较强的是共集电路；

既有电流放大能力又有电压放大能力的是

共射电路。

9.单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为-77.7，其输出与输入信号的相位相差

-225度。

10.某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为100倍，上限频率fH＝2×

106Hz，下限频率fL＝20Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为37dB。

11.在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是载流子的浓度差作用下产生的，漂移运动是载流子在内电场作用下产生的。

12.放大器有两种不同性质的失真，分别是线性失真和非线性失真。

13.在三极管多级放大电路中，已知AV1＝20，AV2＝-10，AV3＝1，AV1是共基放大器，AV2是共射放大器，AV3是共集放大器。

14.射极输出器的主要特点是：

电压放大倍数近似为1、输入电阻比较大、输出电阻比较小。

15.半导体中有自由电子和空穴两种载流子。

本征半导体的导电能力取决于环境温度或光照强度，杂质半导体的导电能力主要取决于掺杂浓度。

16．温度升高，本征载流子浓度增加；

杂质半导体中少子浓度增加，多子浓度基本不变。

17.改变半导体导电能力的方法有受到外界光和热的刺激和在纯净的

半导体中加入微量的杂质。

18.N型半导体的多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

19.P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的

扩散运动和少数载流子的漂移运动。

21.PN结的电击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。

22.BJT所代表的电气元件是双极型三极管。

23.三极管的三个工作区域分别是饱和区、线性放大区和截止区。

24.静态工作点Q点一般选择在交流负载线的中央。

25.根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两类。

26.MOSFET所代表的电气元件是金属－氧化物－半导体场效应管。

27.共集电极电路又被称为电压跟随器；

共基极电路又被称为电流跟随器。

28.静态工作点Q点选得过低会导致截止失真；

Q点选得过高会导致饱和失真。

29.三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很薄；

另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

30.对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是共集电极电路、称为电流跟随器的电路是共基极电路、称为电压跟随器的电路是共集电极电路。

31.在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是共射极放大电路；

仅具有电压放大作用的电路是共集电极电路；

仅具有电流放大作用的电路是共基极电路。

32.场效应管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件。

33.稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于反向击穿（正向导通；

反向截止；

反向击穿）。

34.半导体三极管属于电流控制器件，而场效应管属于电压控制器件。

35.射极输出器的主要特点是：

电压放大倍数近似为1；

输入电阻很大；

输出电阻很小。

36.多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的之积。

37.将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变窄了。

38.JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小；

而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

39.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510kΩ，Rc=8kΩ，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当β=50，静态电流IBQ=22μA，ICQ=1.1mA，管压降VCEQ=3.2V；

若换上一个当β=80，静态电流IBQ=22μA，ICQ=1.46mA，管压降VCEQ=0.3V，三级管工作在饱和状态。

40.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb=282.5kΩ，RC=4kΩ。

41.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ,Re=1kΩ,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2=12kΩ。

42.已知图示的放大电路中的三级管β=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ=0.275mA，ICQ=11mA，管压降VCEQ=3V。

43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是饱和失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的ICBO、VBE和β三个参数的变化，引起工作点上移；

输出波形幅度增大，则是因为β参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。

44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用共射、共基；

若希望带负载能力强，应选用共集组态；

若希望从信号源索取的电流小，应选用共集组态。

选择

1.由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（B）。

A、UAB＝－12VB、UAB＝－6VC、UAB＝＋6VD、UAB＝＋12V

2.由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（C）。

A、I＝2mAB、I＝0mAC、I＝1.5mAD、I＝－1.5mA

3.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、－10V和－9.3V，则该管为（A）。

A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管

4.测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC＝12V，UB＝1.8V和UE＝0V，则该管是处于（D）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、已损坏

5.有人选用最大允许集电极电流ICM＝20mA，最大允许电压UCEO＝20V，集电极最大允许耗散功率PCM＝100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC＝15mA，UCE＝10V，则该管应属于下列四种状态中的（D）。

A、可以正常放大B、可能击穿C、放大性能较差D、过热或烧坏

6.某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2kΩ的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（C）。

A、10kΩB、2kΩC、1kΩD、0.5kΩ

7.放大电路如图所示，如UCC>

>

UBE，且ICEO≈0，则在静态时，该三极管工作的状态是（B）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、不定

8.电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（C）。

A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。

B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。

C、不影响静态工作点，只影响电压增益。

D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。

9．两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（D）。

A、A1+A2B、A1×

A2C、>

|A1×

A2|D、<

A2|

10.场效应管本质上是一个（C）。

双极型三极管本质上是一个（A）。

A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件

C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件

11．N沟道JFET的跨导gm是（C）。

A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大

C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小

12．某场效应管的转移特性如图所示，则该管是（A）。

A、P沟道增强型MOSFETB、P沟道JFET

C、N沟道增强型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET

13．已知某FET的输出特性如图所示，试判别它是（D）。

A、P沟道增强型MOSFETB、N沟道JFET

C、P沟道耗尽型MOSFETD、N沟道耗尽型MOSFET

14．硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（B）。

A、0.6V；

0.6VB、0.6V；

0.1VC、0.1V；

0.6VD、0.1V；

0.1V

15．在杂质半导体中，少数载流子的浓度取决于（A）。

A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

16．N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（D）。

A、自由电子B、空穴C、硼元素D、磷元素

17.用万用表直流电压档，测得电路中晶体管（硅管）各电极相对于某一参考点的电位如图所示，从而可以判断出该晶体管工作在（D）。

A、放大状态B、饱和状态C、截止状态D、倒置状态

18.电路如图所示，若更换晶体管，使β由50变为100，则电路的电压放大倍数（C）。

A、约为原来的一半B、基本不变

C、约为原来的2倍D、约为原来的4倍

19.当下图所示电路输入1kHZ、5mV的正弦波电压时，输出电压波形的底部出现了被削平的失真，为了削除这种失真，应（D）。

A、增大集电极电阻RCB、改换β大的晶体管

C、减小基极偏置电阻RBD、增大基极偏置电阻RB

20.温度上升时，半导体三极管的（A）。

A、β和ICBO增大，uBE减小B、β和uBE增大，ICBO减小

C、uBE和ICBO增大，β减小D、β、uBE和ICBO均增大

21.在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>

1的只可能是（D）。

A、共集电极放大电路B、共基极放大电路

C、共漏极放大电路D、共射极放大电路

22.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别