模电13章课后习题综述Word格式.docx

1、7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是 共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共集 电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是 共射 电路。9. 单级阻容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -77.7 ，其输

2、出与输入信号的相位相差 -225 度。10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH 2106 Hz，下限频率fL 20 Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。13. 在三极管多级放大电路中，已知AV120，AV2-10，AV31，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。14.射极输出器的主

3、要特点是：电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。16温度升高，本征载流子浓度 增加 ；杂质半导体中少子浓度 增加 ，多子浓度 基本不变 。17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。18.N型半导体的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载

4、流子的 扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22.BJT所代表的电气元件是 双极型三极管 。23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25.根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管 和 绝缘栅型场效应管 两类。26. MOSFET所代表的电气元件是 金属氧化物半导体场效应管 。27.共集电极电路又被称为 电压跟随器 ；共基极电路又被称为 电流跟随器 。28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真；Q点选得过高会导致 饱和 失真。29. 三极管的放

5、大作用一方面要满足内部条件，即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 薄 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共射极放大电路 ；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路 ；仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。33. 稳压二极管在稳

6、压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 ；输入电阻 很大 ；输出电阻 很小 。36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。38. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感应电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。39.对于下图所示电路，设

7、VCC=12V，Rb=510k，Rc=8 k，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当=50，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.1mA ，管压降VCEQ= 3.2V ；若换上一个当=80，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.46mA ，管压降VCEQ= 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。40.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb= 282.5 k ，RC= 4 k 。 41.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27 k，Rc=2 k,Re=1 k,VBE=0.7V,现

8、要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2= 12 k 。42.已知图示的放大电路中的三级管=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ= 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。43.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天后，发现输出波形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE 和 三个参数的变化，引起工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。44.对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，

9、若希望电压放大倍数大，可选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 共集 组态。选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（ B ）。A、UAB12V B、UAB6V C、UAB6V D、UAB12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。A、I2mA B、I0mA C、I1.5mA D、I1.5mA3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、10V和9.3V，则该管为（ A ）。A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三

10、个极对地的电位分别为UC12V，UB1.8V和UE0V，则该管是处于（ D ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流ICM20mA，最大允许电压UCEO20V，集电极最大允许耗散功率PCM100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC15mA，UCE10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V，当接入2k的负载后，其输出电压为4V，这表明该放大电路的输出电阻是（ C ）。A、10k B、2k C、1k D、0.5k7. 放大电路如图所

11、示，如UCCUBE，且ICEO0，则在静态时，该三极管工作的状态是（ B ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、不定8. 电路如图所示，若不慎将旁路电容Ce断开，则将（ C ）。A、不仅影响静态工作点，而且也影响电压增益。B、只影响静态工作点，但不影响电压增益。C、不影响静态工作点，只影响电压增益。D、不影响静态工作点，也不影响电压增益。9两个独立的共射极放大电路，负载开路时的电压增益分别为A1和A2，如果将它们串接成两级电压放大电路时，则总的电压增益满足（ D ）。A、A1+ A2 B、A1A2 C、|A1A2 | D、1的只可能是（ D ）。A、共集电极放大电路 B、共基极放大电路C、共漏极放大电路 D、共射极放大电路22.在下图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别