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带电半球壳在O点的总电场强度

由于,,

所以

方向沿x轴负向

12-7.如习题12-7图所示,A、B为真空中两个平行的“无限大”均匀带电平面,已知两平面间的电场强度为E0,两平面外侧电场强度大小都是,方向如图。

求两平面A、B上的面电荷密度A和B。

[解]无限大平面产生的电场强度为

解得

12-8.一半径为R的带电球体,其体电荷密度分布为=Ar(r≤R),(r>

R),A为常量。

试求球内、外的场强分布。

[解]在带电球体内外分别做与之同心的高斯球面。

应用高斯定理有

q为高斯球面内所包围的电量。

设距球心r处厚度为dr的薄球壳所带电量为dq

r≤R时

解得(r≤R)(或)

r>

R时高斯面内包围的是带电体的总电量Q

应用高斯定理

(r>

R)(或)

当A>

0时,电场强度方向均径向向外;

当A<

0时,电场强度方向均指向球心。

12-9.有一带电球壳,内、外半径分别为R1和R2,体电荷密度,在球心处有一点电荷Q,求当A取什么值时,球壳区域内(R1<

r<

R2)的场强E的大小与r无关。

[解]以同心球面为高斯面,电通量为

当时与r无关。

因此得证。

12-10.一球体内均匀分布着体电荷密度为的正电荷,若保持电荷分布不变,在该球体内挖去半径为r的一个小球体,球心为O,两球心间距离,如习题12-10图所示。

求:

(1)在球形空腔内,球心O处的电场强度;

(2)在球体内点P处的电场强度E。

设O、O、P三点在同一直径上,且=d。

[解]在空腔内分别填上密度为的电荷和密度为的电荷。

(1)处的电场强度是密度为的大球和的小球所产生的电场强度的叠加。

大球产生电场强度:

在球体内做半径为d的同心高斯球面,应用高斯定理

而小球产生电场强度由于对称性为0

因此点的电场强度

(2)P点的电场强度也是两球电场强度的叠加。

同理大球产生的电场强度

小球产生的电场强度

合电场强度

12-11.一半径为R的带电球体,其体电荷密度分布为

(r≤R)

R)

试求:

(1)带电球体的总电量;

(2)球内外各点的场强;

(3)球内外各点的电势。

[解]

(1)带点球体的总电量:

(2)在带电球体内外分别做与之同心的高斯球面。

为高斯球面内所包围的电量。

R时高斯面内包围的是带电体的总电量q

R)方向沿径向(或)

当q>

当q<

(3)

12-12.如习题12-12图所示,在Oxy平面内有与y轴平行、位于和处的两条无限长平行均匀带电直线,电荷线密度分别为+和。

求z轴上任一点的电场强度。

[解]无限长带电直线在线外任一点的电电场强度度

所以P点的电场强度

由对称性知合电场强度的z方向分量为零,x方向分量

所以方向指向x轴负方向

12-13.如习题12-13图所示,在半径为R,体电荷密度为的均匀带电球体内点处放一个点电荷q。

点O、P、N、M处的场强(、O、P、N、M在一条直线上)。

[解]由电场叠加原理

12-14.如习题12-14图所示一环形薄片由细绳悬吊着,环的外半径R,内半径为R/2,并有电量Q均匀分布在环面上。

细绳长3R,也有电量Q均匀分布在绳上,试求圆环中心处的电场强度(圆环中心在细绳的延长线上)。

【解】:

以悬点为坐标原点,建立竖直向下为x轴的正方向,在x位置处任取一微元dx,在圆环中处的电场强度为

则这个细绳上的电荷在圆心处产生的电场强度为

环形薄片上的电荷在圆心处产生的电场强度为零,因此所有电荷在环心处产生的电场强度为

方向竖直向下

12-15.电量q均匀分布在长为2l的细杆上,求在杆外延长线上与杆端距离为a的点P的电势(以无穷远为零电势点)。

[解]取如图所示的电荷元dq,,它在P点产生的电势为

则整个带电直线在P点产生的电势为

12-16.习题12-16图为两个半径均为R的非导体球壳,表面上均匀带电,带电量分别为+Q和-Q,两球心距离为d(d>

>

2R),求两球心间的电势差。

[解]设带正电的球壳中心的电势为,带负电的为。

根据电势叠加原理有

两球心间的电势差

12-17.两根半径都是R的无限长直线,彼此平行放置,两者轴线间距为d(d>

2R),单位长度上的带电量分别为+和-,求两直线间的电势差。

[解一]由高斯定理可求出,两导线之间任一点的电电场强度度为

两导线间的电势差为

[解二]由带正电直导线产生电势差为

由带负电直导线产生电势差为

因此两导线间的电势差为

12-18.如习题12-18图所示,电荷面密度分别为+和-的两块无限大均匀带电平面,处于与平面垂直的x轴上的-a和+a的位置上。

设坐标原点O处的电势为零,试求空间的电势分布并画出其曲线。

[解]无限大带电平板外电场强度的大小为

空间的电场强度:

电势:

电势分布曲线:

12-19.如习题12-19图所示,两无限长的同轴均匀带电圆筒,内筒半径为R1,单位长度带电量为1,外筒半径为R2,单位长度带电量为2。

图中a、b两点间的电势差Uab;

当零参考点选在轴线处时,求Ua。

[解]以垂直于轴线的端面与半径为r,长为l,过所求场点的同轴柱面为封闭的高斯面。

根据高斯定理

所以

12-20.如习题12-20图所示,一半径为R的均匀带正电圆环,其线电荷密度为。

在其轴线上有A、B两点,它们与环心的距离分别为,。

一质量为m、带电量为q的粒子从点A运动点B,求在此过程中电场力作的功。

[解]由于带电圆环轴线上一点的电电场强度度为

所以A、B两点间的电势差为

因此从点A运动点B电场力作功

12-21.如习题12-21图所示,半径为R的均匀带电球面,带电量为q。

沿径矢方向上有一均匀带电细线,线电荷密度为,长度为l,细线近端离球心的距离为r0。

设球面和线上的电荷分布不受相互作用的影响,试求细线所受球面电荷的电场力和细线在该电场中的电势能(设无穷远处的电势为零)。

[解一]取坐标如图,在距原点为x处取线元dx,dx的电量为,该线元在带电球面电场中所受电场力为

整个细线所受电场力为

dq在q的电场中具有电势能

第十三章

13-3.如习题13-3图所示,将一块原来不带电的金属板B移近一块已带有正电荷Q的金属板A,平行放置。

设两板面积都是S,板间距为d,忽略边缘效应,试求:

(1)板B不接地时,两板间的电势差;

(2)板B接地时,两板间的电势差。

[解]由例题13-1的结论知:

两带电导体平板相向面上电荷面密度大小相等符号相反,而相背面上电荷面密度大小相等符号相同,因此:

(1)板B不接地时,A、B两板上的电荷分布如图13-3

(1)所示:

因而板间电场强度为

电势差为

(2)板B接地时,A、B两板上的电荷分布如图13-3

(2)所示,

故板间电场强度为,电势差为

13-4两块靠近的平行金属板间原为真空。

使两板分别带上电荷面密度为0的等量异号电荷,这时两板间电压为U0=300V。

保持两板上电量不变,将板间一半空间充以相对电容率为r=5的电介质,如习题13-4图所示,试求:

(1)金属板间有电介质部分和无电介质部分的E和D,以及板上自由电荷密度;

(2)金属板间电压和电介质上、下表面的束缚电荷面密度。

13-5.如习题13-5图所示,三个无限长的同轴导体圆柱面A、B和C,半径分别为RA、RB、RC。

圆柱面B上带电荷,A和C都接地。

求B的内表面上线电荷密度1和外表面上线电荷密度2之比值1/2。

[解]由A、C接地

由高斯定理知

因此

13-6.如习题13-6图所示,一厚度为d的无限大均匀带电导体板,单位面积上两表面带电量之和为。

试求离左表面的距离为a的点与离右表面的距离为b的点之间的电势差。

[解]导体板内场强,由高斯定理可得板外场强为

故A、B两点间电势差为

13-7.为了测量电介质材料的相对介电常数,将一块厚为1.5cm的平板材料慢慢地插进一电容器的距离为2.0cm的两平行板中间,插入过程中电容器的电荷保持不变。

插入之后两板间的电势差减小到原来的60%,试求电介质的相对介电常数。

[解]设两平行板间距离为d,介质板厚度为,插入前电容器电势差为U,插入后为,电容器上面电荷密度为。

插入介质板前电容器内场强,电势差

插入介质板后,电容器内空气中场强仍为E,介质内场强

两板间的电势差

已知,因此有

解此方程得

13-8.半径都是R的两根“无限长”均匀带电直导线的电荷线密度分别为和,两直导线平行放置,相距为d(d>

R)。

试求该导体组单位长度的电容。

[解]可用叠加原理及高斯定理计算两导线间垂直连线上任意点P的场强。

如图所示,过P分别做两个长为L,与两条直导线共轴的闭合圆柱面作为高斯面。

根据高斯定理分别计算每条线上电荷产生的场强。

同理

根据叠加原理,P点总场强为

两条线间电压为

故单位长度电容

13-9.一电容器由两个很长的同轴薄圆筒组成,内、外圆筒半径分别为R1=2cm,R2=5cm,其间充满相对电容率为r的各向同性均匀电介质,电容器接在U=32V的电源上,如习题13-9图所示。

试求距离轴线R=3.5cm的点A处的电场强度和点A与外筒间的电势差。

[解]做半径为r(R1<

R2),高为L的同轴圆柱面为高斯面,由高斯定理

因此

=12.5V

13-10.置于球心的点电荷+Q被两同心球壳所包围,大球壳为导体,小球壳为电介质,相对电容率为r,球壳的尺寸如习题13-10图所示。

试求:

(1)电位移矢量D;

(2)电电场强度度E;

(3)极化强度P;

(4)极化电荷激发的电场强度E;

(5)面电荷密度;

(6)电能密度e。

[解]

(1)由有介质的高斯定理

(2)由静电场的性能方程得

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