磁控溅射操作流程及注意事项Word格式.docx

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磁控溅射操作流程及注意事项Word格式.docx

3.3装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套,避免油污、灰尘等污染。

3.4磁控靶屏蔽罩与阴极间距为2-3毫米,屏蔽罩与阴极应该为断路状态。

3.5装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应,并记录样品座的编号及当前所对应的靶位。

3.6降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合,并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射室的配合面。

四、抽真空

4.1确认D面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时;

4.2确认闸板阀G2、G4已经关闭;

4.3打开B4上“机械泵Ⅰ”,再打开气阀V1,开始抽低真空。

4.4打开B3面板的电源开关,同时关闭“复合”键。

能够从B3-1处观察低真空度。

(低真空测量下限为0.1Pa)。

当真空度小于5Pa能够开始抽高真空。

4.5关闭气阀V1,打开B4上“电磁阀Ⅰ”(确认听到响声表示电磁阀已开)

4.6打开B8面板的磁控室分子泵电源,按下“START”键,按下FUNC/DATA键,数字开始逐步上升,等大于H100.0后打开闸板阀G1,随后分子泵速上升并稳定到H400.0。

4.7磁控室的高真空度在B2面板显示,不要一直开着高真空的测量,也不要频繁开关,一般每隔1-2小时可打开观察一次,等示数稳定后再关闭(一般不超过3分钟)。

五、充气

5.1确认高真空度达到了-4、-5的数量级,在充气之前必须关闭高真空计;

5.2打开A1面板上MFC电源,预热3分钟;

5.3稍关闭闸板阀G1到一定程度,但不要完全关紧

5.4打开V4、V6(若是二路进气,V5应和V6同时打开)阀门

5.5将控制阀扳到“阀控“位置

5.6打开气瓶阀门,稍旋紧减压阀至压力示数为0.1MPa即可;

5.7调节MFC阀控的设定(一般在30左右),再进一步关紧闸板阀使得低真空(B3-1)读数接近所需的溅射压强,然后经过微调MFC阀控得到所需的溅射压强。

六、溅射

6.1确认溅射靶位电源已经连接。

6.2确认定位销已经脱开。

6.3直流溅射

6.3.1打开电源开关,调节旋钮至电压达到一定值(一般不超过0.3kv),直流能够顺利启辉,此时电流开始有数值。

6.3.2电压与电流乘积为功率值,可继续调节旋钮到所需溅射功率,可是要小于160W。

6.3.3直流溅射的关闭:

调节旋钮至最小,关闭电源。

6.4射频溅射

6.4.1打开Uf预热5分钟

6.4.2面板E或F上的量程按钮设定为200/40

6.4.3打开Ua,并经过粗调与微调Ua,接近设定工艺功率,然后经过匹配调节,即调整面板E或F上的C1和C2,得到所需溅射功率。

匹配的调整规定如下:

F为设定功率(小于160W),R要小于1.5或F的8%;

对于绝缘材料,在满足F功率的要求下,R要尽量小,且最大不能超过F的15%。

6.4.4射频溅射的关闭:

粗调与微调Ua关到最小→关闭Ua→等待3min→关闭Uf。

注:

连续溅射一小时后需暂停溅射,关闭气路,等抽真空30分钟后再重新充气溅射。

七、溅射结束

7.1关闭气瓶阀门,旋松减压阀至压力示数为0;

7.2将MFC阀开关置于“关闭”位,并将流量调至零,然后关闭电源开关;

7.3关闭V6和V4阀门(若是二路进气,V5应和V6同时关闭);

7.4打开闸板阀,继续抽真空30分钟后关闭闸板阀;

7.5关闭分子泵:

按下“STOP”键→等待分子泵速下降到H100.0以下→关闭电源。

7.6关闭电磁阀I与机械泵I。

7.7等30分钟后,关冷却水电源。

八、其它操作说明

8.1加负偏压

加偏压方法:

打开偏压电源,调整偏压为200v即可。

偏压要在开始镀膜之前施加。

8.2基板加热

8.2.1确认热偶回路、加热回路连接正常,完好;

8.2.2打开加热电源I,设定加热温度,调整电流加热;

8.2.3结束加热:

先将电流调到最小,然后关闭电源。

九、清理工作及离开注意事项

9.1将所用工具放回原处,整理室内卫生;

9.2在离开之前,应确认拉闸断电,关闭门窗。

十、紧急情况处理

突然停电后的措施:

尽快关闭闸板阀,然后关闭各路气阀,关闭电路按钮开关。

进样室加热退火操作流程及注意事项

2.1确认进样室内部温度已经冷却到室温;

2.3进样室的放气阀是V8,放气时旋钮缓慢打开,这能够保证进入气流不会太大;

三、装卸样品

3.1打开进样室门,将样品朝下,送入退火炉内,使样品托的尖端插入圆形槽内,保证样品托与退火炉平行;

3.2关闭进样室门并锁紧旋钮。

4.1确认闸板阀G2、G4已经关闭

4.2打开B5面板上“机械泵Ⅲ”,再打开气阀V9,开始抽低真空。

4.3打开B3面板的电源开关,同时关闭“复合”键。

能够从B3-2处观察低真空度。

4.4关闭气阀V9,打开B4上“电磁阀Ⅲ”(确认听到响声表示电磁阀已开);

4.5打开B7面板的进样室分子泵电源,按下“工作”键,高速/转速指示灯亮,随后分子泵速上升并稳定到704,然后打开闸板阀G3,。

4.6进样室的高真空度在B3-2面板显示(复合键灯亮,测量值为高真空度),不要一直开着高真空的测量,也不要频繁开关,一般1小时后可达到4x10-3Pa,打开后等示数稳定后再关闭(一般不超过1分钟)

五、加热退火

5.1确认热偶回路、加热回路连接正常,完好;

5.2打开对应加热电源,设定加热温度,调整电流加热;

5.3结束加热:

六、结束

6.1关闭闸板阀;

6.2关闭分子泵:

按下“工作”键→等待分子泵速下降到0→关闭电源;

7.6关闭电磁阀III与机械泵III;

7.7等1小时后,关冷却水电源。

七、清理工作及离开注意事项

八、紧急情况处理

尽快关闭闸板阀,关闭电路按钮开关。

附:

简单操作步骤

一、磁控溅射

1.1准备工作:

打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2→打开磁控室装样品与靶材→关闭磁控室

1.2抽真空:

开机械泵I→打开V1气阀→至低真空小于5Pa→关闭V1气阀→开电磁阀I→开分子泵→至转速大于H100.0→打开闸板阀G1

1.3充气:

打开MFC预热3分钟→稍关闭闸板阀G1→打开V4→打开V6(或V5)→将MFC打到“阀控”→打开气瓶→关紧闸板阀G1→调节MFC

1.4溅射:

打开电源开关→调节功率至启辉

1.5溅射结束:

将功率调至最小→关闭电源→关闭气瓶→关MFC→关V6(或V5)→关V4→打开闸板阀G1→抽真空30分钟→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀I→关机械泵I→30分钟后关冷却水电源

1.6整理工作:

整理仪器和卫生→拉闸断电,关闭门窗

二、进样室退火

2.1准备工作:

打开冷却水箱电源→打开V2放气→关闭V2→打开进样室装样品→关闭进样室

2.2抽真空:

开机械泵III→打开V9气阀→至低真空小于5Pa→关闭V9气阀→开电磁阀III→开分子泵→至转速稳定704→打开闸板阀G3

2.3加热:

打开电源→设定加热程序→调整电流开始加热

2.4加热结束:

将电流调至最小→关闭电源→关闭闸板阀→关闭分子泵→关闭电磁阀III→关机械泵III→1小时后关冷却水电源

2.5整理工作:

SR93温度控制器说明书(进样室退火和磁控室基板加热)

1.打开电源,按GRP,进入Prog(程序)设置:

Step1(升温曲线):

*按“step”调加热温度(℃),按“Ent”确认;

*按“”调升温时间(小时),按“Ent”确认;

Step2(保温曲线):

重复上述步骤

Step3(降温曲线):

重复上述步骤(但一般都随炉冷却,保温时间到后直接关电源即可)

2.设定完程序,退回到初始状态,按“Run”约3秒,绿灯亮,就开始运行

3.缓慢顺时针旋转面板功率调节旋钮,将电流调至4A,停留2分钟后,将电流调至8A(将旋钮再旋1/2圈即可),一般加热到最高温度只需8A电流。

4.关电源时,先调节功率旋钮到底,再关闭电源。

注:

为了到温时实际温度与设定温度偏差不要太大,可分两段升温,低温升温速度加快,高温升温速度降低。

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