单晶硅优质项目环评报告书文档格式.docx
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二类区
水环境
长江
—
Ⅲ类水体
仪征与仪化
水源取水口
东
1
50万吨/天
扬州水厂取水口
西
8000
声环境
厂界
周边
3类区
3本项目概况
（a）本项目名称、建设地点、建设性质、投资总额、环保投资
项目名称：
银笛（扬州）微电子有限公司年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目
建设地点：
江苏省仪征经济开发区新区
建设性质：
外商投资新建
投资总额：
新建项目投资总额8000万美元，其中环保投资576万元
（b）本项目建设内容
银笛（扬州）微电子有限公司向仪征市高新技术开发区提出生产、办公用房及生产设施建设规定，仪征市经济开发区按规定建造厂房及相应设施，然后租赁给银笛（扬州）微电子有限公司使用。
租用厂房面积约48680㎡，涉及外延片生产厂房、抛光片生产厂房、综合动力站、化学品库、办公楼、门卫等。
设施重要涉及供水系统、循环冷却水系统、纯水系统、变配电系统、应急电源、通信信息及生命安全系统、空调净化系统、压缩空气系统、制冷及供热系统、环保设施（废水解决站、废气解决设施）、消防设施、劳动保护安全设施以及室外工程等。
项目主体工程与设计能力状况见表3-1，公用及辅助工程构成见表3-2。
表3-1项目主体工程与设计能力
序号
工程名称
（车间或生产线）
产品名称
及规格
设计能力/年
运营时数
单晶硅抛光片
4英寸
40万片
8520h
6英寸
150万片
8英寸
80万片
12英寸
30万片
共计
300万片
2
硅外延片
60万片
表3-2公用及辅助工程
类别
建设名称
设计能力
备注
贮运工程
甲类化学品仓库
面积200m2
采用防腐蚀环氧树脂地面，重要存储硫酸、硝酸、双氧水、盐酸、氢氟酸、氨酸和氢氧化钠溶液等
仓库
面积4000m2
重要存储原料单晶硅棒、硅衬底材料和成品
废弃物仓库
面积100m2
存储各类酸碱废液和固体废弃物
气体供应站
由专业公司建站制造，提供氢气、氮气等
特气存储
特种气体存储于进口特气钢瓶柜，HCl、SiHCl3钢瓶柜各2个，PH3、B2H6各一种
公用工程
给水
102.1万t/a
仪征经济开发区给水管网提供
排水
65.93万t/a
生产废水经厂内自建废水解决站解决达到接管原则后和生活污水进入真州污水解决厂解决
供电
5452.8万度
由开发区110KV变电所提供
纯水制备
110t/h
纯水制备系统供纯水，用于满足生产中使用纯水
循环冷却系统
400t/h
公司设有一套由水泵、冷却水塔、循环水箱等构成冷却循环系统。
供汽
为了满足生产中对热源需要和冬天采暖，本项目年消耗蒸汽量为10万吨，有开发区供气管网提供。
空调系统
为改进劳动环境，满足生产需要，设立一套中央空调系统，由冷却塔、加压泵和冷冻机构成。
绿化
为美化环境、净化空气、减少噪声，厂内在空闲地带、道路两侧进行种草植树，绿化面积51979m2，绿化达到38.8%
环保工程
废气解决
对工程中产生各种废气采用技术可行、经济合理治理办法，即酸性废气进入采用碱液进行淋洗；
碱性废气采用酸液进行淋洗；
甲苯采用活性炭吸附；
特性废气采用专门湿式外延气体清洗器解决，各种废气均达标排放
废水解决
公司建设一套废水解决设施，针对不同水质，采用不同方式，对生产废水进行有效解决，达到接管原则后和生活污水进入真州污水解决厂解决，经解决达标后，统一排入长江仪征段
噪声解决
采用低噪声设备、隔声减震、绿化吸声等办法
固废解决
按照规定对产生固体废物进行处置
（c）占地面积、厂区布置
占地面积：
本项目总占地面积133334m2，所占土地为仪征经济开发区新区高新技术产业用地。
厂区布置：
厂区涉及生产用房、办公楼、辅助生活设施、甲类化学品仓库、仓库、成品仓库、气体供应站、综合动力站及发展预留用地等
（d）职工人数、工作制度
职工人数：
公司职工总人数220人，其中技术人员160人。
工作制度：
预测年工作日355天，每天工作24小时，年工作时数为8520小时。
3.2生产工艺流程及原辅料能源消耗
（a）生产工艺流程
一、单晶硅抛光片制作
生产工艺流程详细简介如下：
固定：
将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：
将单晶硅棒切成具备精准几何尺寸薄硅片。
此过程中产生硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：
双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反映，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：
将退火硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边沿破裂及晶格缺陷产生，增长磊晶层及光阻层平坦度。
分档检测：
为保证硅片规格和质量，对其进行检测。
此处会产生废品。
研磨：
用磨片剂除去切片和轮磨所造锯痕及表面损伤层，有效改进单晶硅片曲度、平坦度与平行度，达到一种抛光过程可以解决规格。
此过程产生废磨片剂。
清洗：
通过有机溶剂溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面有机杂质。
此工序产生有机废气和废有机溶剂。
RCA清洗：
通过多道清洗去除硅片表面颗粒物质和金属离子。
详细工艺流程如下：
SPM清洗：
用H2SO4溶液和H2O2溶液按比例配成SPM溶液，SPM溶液具备很强氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液，并将有机污染物氧化成CO2和H2O。
用SPM清洗硅片可去除硅片表面有机污物和某些金属。
此工序会产生硫酸雾和废硫酸。
DHF清洗：
用一定浓度氢氟酸去除硅片表面自然氧化膜，而附着在自然氧化膜上金属也被溶解到清洗液中，同步DHF抑制了氧化膜形成。
此过程产生氟化氢和废氢氟酸。
APM清洗：
APM溶液由一定比例NH4OH溶液、H2O2溶液构成，硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（约6nm呈亲水性），该氧化膜又被NH4OH腐蚀，腐蚀后及时又发生氧化，氧化和腐蚀重复进行，因而附着在硅片表面颗粒和金属也随腐蚀层而落入清洗液内。
此处产生氨气和废氨水。
HPM清洗：
由HCl溶液和H2O2溶液按一定比例构成HPM，用于去除硅表面钠、铁、镁和锌等金属污染物。
此工序产生氯化氢和废盐酸。
去除上一道工序在硅表面产生氧化膜。
磨片检测：
检测通过研磨、RCA清洗后硅片质量，不符合规定则从新进行研磨和RCA清洗。
腐蚀A/B：
经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成损伤层，普通采用化学腐蚀去除。
腐蚀A是酸性腐蚀，用混酸溶液去除损伤层，产生氟化氢、NOX和废混酸；
腐蚀B是碱性腐蚀，用氢氧化钠溶液去除损伤层，产生废碱液。
本项目一某些硅片采用腐蚀A，一某些采用腐蚀B。
分档监测：
对硅片进行损伤检测，存在损伤硅片重新进行腐蚀。
粗抛光：
使用一次研磨剂去除损伤层，普通去除量在10~20um。
此处产生粗抛废液。
精抛光：
使用精磨剂改进硅片表面微粗糙限度，普通去除量1um如下，从而到高平坦度硅片。
产生精抛废液。
检测：
检查硅片与否符合规定，如不符合则从新进行抛光或RCA清洗。
查看硅片表面与否清洁，表面如不清洁则从新刷洗，直至清洁。
包装：
将单晶硅抛光片进行包装。
二、硅外延片制作
纯水洗：
简朴清洗，去除硅衬底材料表面表面杂质。
外延生长：
外延炉经氯化氢和氮气吹扫清洗后，通入SiHCl3和H2，为了满足硅片电学性能，还要掺入50ppm特种气体PH3或B2H6，红外加热至1100~1200℃下，通过化学气相沉积法在硅衬底材料上生长一层与衬底材料具备相似晶格排列单晶硅，形成单晶硅外延片。
有99%SiHCl3、PH3、B2H6参加反映。
此工序产生废气重要是氯化氢，尚有某些没有反映PH3、B2H6和SiHCl3；
外延炉石墨基座和石英夹套需要定期更换，产生废石英和废石墨。
详细反映如下：
去除硅片表面杂质。
此处产生硫酸雾和废硫酸。
碱洗：
去除上一道工序在硅片表面形成氧化膜。
测试检查：
测量外延层厚度和电特性参数、片内厚度和电特性均匀度、片与片间重复性及杂质颗粒等与否符合相应指标。
此处会产生某些废品。
真空包装：
通过工艺真空系统对产品进行真空包装。
外延炉石英管清洗：
在外延生长中会在外延炉石英管上沉积某些杂质。
（b）重要原辅料及能源消耗重要原辅料、能源消耗见表3-3。
表3-3重要原辅料及能源消耗
名称
重要组份、
规格、指标
年耗量
存贮量
来源及运送
单晶硅抛光片和硅外延片
单晶硅棒
99.99%Si
t
167t
重要原辅料进口，某些于国内购买。
运送重要以陆地运送为主。
研磨剂
SiO230%，
有机碱70%水
60t
6t
精磨剂
SiO210%，（C6H10O5）n，1%
无机碱水89%
40t
4t
SiO210%
10.2t
1t
磨片剂
Al2O3≧45%
ZrO2≦33%
SiO2≦20%
Fe2O3≦0.5%
TiO2≦2%
101t
9t
溶剂
（CH3）2CHOH56%
C6H5CH324%
固形分20%
0.4t
混酸
HF7.2%
HNO341.2%
CH3COOH18.1%
280t
氢氟酸
HF49%
80t
盐酸
HCl35%
12t
H2O2
H2O231%
290t
25t
HNO3
63%
54L
5L
H2SO4
98%
3750L
312L
NaOH
NaOH48%
68t
NaOH3%
25t
2.1t
氨水
NH4OH28%
180t
3t
硅衬底材料
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