芯愿景提图流程及方法Word下载.docx

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Ctrl+B:

去除选中数据的加亮显示

Shift+B:

去除所有数据的加亮显示

（3）编辑模式快捷键

C:

复制M:

移动

S:

拉伸单元框或拉伸移动单元的引脚位置

N:

描绘引线L：

添加文本（相当于做标记符号）

Z：

添加单元引脚 

PIN

V:

连接引线和单元引脚

K:

激活标尺

Shift+K:

清除所有标尺

Shift+D:

剪断引线

F3:

设置各种状态下面的编辑模式属性（如 

N—F3 

可以启动连续画线模式）

Esc:

取消当前编辑状态，或者取消数据选中状态。

（4）、操作快捷键

U:

取消最近一次操作

Shift+U:

重做最近一次被取消操作

Delete:

删除使选的元素

X:

将选中的数据关于 

X 

轴水平镜像

Y:

Y 

Shift+X:

将选中的数据旋转 

90 

度

Shift+V:

将最近两次测量数据自动设置为选中模拟器件的 

W、L 

参数

Shift+W:

增加/改变选中模拟器件的参数

Shift+Q:

连接选中的两根相互垂直的引线

H:

显示线网名称

Ctrl+H:

在选中的线网上传播线网名

F9:

在画笔处添加悬空标记，以标注悬空单元引脚和悬空引线线头

/:

重复上一次移动、拉伸、复制等操作

（5）、操作快捷键

Insert：

进入/退出画笔模式

Caps 

Lock：

切换画笔的绘制状态（实心）和悬空状态（空心）

Tab：

将画笔跳到窗口内下一个线头处

Shift+Tab：

将画笔跳到窗口内上一个线头处

Q：

连接画笔邻域内的两个悬空引线头

Ctrl+X：

剪断画笔邻域内的所有引线

R：

将画笔处的一根引线变为两根，并产生一个连接点

O:

在画笔位置处创建一个邻层引线孔

Shift+O:

去除画笔处的引线孔

P:

在画笔处创建重叠的多层引线孔

W：

连接引线线头与下一个最近的单元引脚；

或者连接画笔处单元引脚与下

一个最近的引线线头

2、件工具栏及窗口介绍

网表提取视图窗口

常用工具栏

标注工具栏

工程控制面

板

标注窗口

雷达图窗口

输出窗口

状态栏

说明：

1、用工具栏：

包含视图放大、缩小、显示状态、搜索、ERC、查状态

2、控制面板：

可以看见你处于那个工作区目录下面及所有工作区

3、标注工具栏：

提图常用的器件符号、单元、标注符号、画笔等重要工

具

4、输出窗口：

主要用于导出数据问题、ERC 

检查的结果显示。

5、状态栏：

可以看见画笔点的像素位置坐标、当前你所在的层次等

1．创建工作区

1 

、菜单方式创建工作区

•选择“工程”菜单的“创建工作区”选项，将弹出下页所示的创建工作区对

话框。

如果选中对话框内的“选择整个芯片”单选框（默认选中） 

，则工

作区将对应整个芯片区域，此时上、下、左、右四个边界坐标框为无效状态，

不能输入数据；

如果“选择整个芯片”取消选中，此时可以在四个工作区

边界文本框内输入象素点值，指定工作区范围。

在创建工作区时可以设置

访问权限和设置修改属性。

使用“工程”—“创建工作区”，创建工作区时可以选择工作区的边界

•复制工作区（如下图）

使用“工程”—“复制工作区”，复制工作区时可以选择是否复制工作

区数据

•重命名工作区：

必须没有项目成员与项目经理在打开此工作区才可以操作

•删除工作区：

•转换工作区：

主要用于描绘好的金属线转换为版图里的线（需要编写映射文）

•工程管理列表

– 

双击概貌图像名称即可打开芯片概貌窗口

更换项目经理

增加或删除项目成员

•设置显示标签

编辑显示属性

右键点击设置是否可见或可选（AV 

NV/AS 

NS）

保存和加载显示设置 

“Ctrl+F1/F2/F3/Shift+F1/F2/F3”

常用的显示功能图标

•层次化工作区：

主要用于相同比较大的工程模块提图（如图下图

BLOCK_1）

在顶层网表工作区，点击工程->

层次化工作区…

在对话框中配置工作区和单元模板的对应关系

*工作区一般为：

四工作区

命名规则为：

项目名称+工程名

如 

YSXX 

项目的四个工作区

YSXX—POWER 

工作区；

_LINE 

_CELLS 

_TOP 

工作区

一般流程：

POWER 

工作区内描绘电源线---电源导入 

LINE 

工作区---在 

工作区内

描绘金属线（由 

TOP 

层金属线往下描）---打 

VIA3/VAI2/VAI1 

孔（依次由顶层

到底层）---打通孔

1/2/3/4：

分别是切换图片层次

N+F3：

启用描线+连续描线模式

O：

用于打开P:

用于打通孔

Insert:

调入打孔绘笔（如图）

*描线方法：

使用 

1/2/3/4 

切换到需要描的金属层---点击键盘 

N 

键---在点击 

F3 

键--

-在弹出属性窗口选择连续描线---点击确定---点击鼠标左键在图像上绘线---

点击左键然后放开在点击一次鼠右键即可。

*打孔方法：

不是通孔情况：

Insert 

键调入打孔绘笔---锁定屏幕---按键盘 

Tab

键---然后点击 

Q 

键即可

通孔情况：

键调入打孔绘笔---锁定屏幕---按键盘方向键移

动打孔绘笔---然后点击 

P 

键

十字交叉孔:

键调入打孔绘笔---锁定屏幕---按键盘方向键

移动打孔绘笔---然后点击 

o 

典型模拟器件

•NMOS、 

NMOS4、 

PMOS、 

PMOS4…

•CAPACITOR、 

RESISTOR、 

DIODE

•NPN、 

PNP 

…

特殊工艺的模拟器件

提取模拟管子主体思想:

确定图片工艺---确定器件类型---CiopLogicAnalyzer 

软件---在标注工

具栏使用相应器件图标---在对应图片上画框---在弹出来的属性框中填入相应

参数----加入管子 

PIN 

引脚---在将来画线工作区描线导入现在工作区----连接

脚到金属线上即可。

*定义 

NMOS/PMOS/NMOS4/PMOS4

G、 

D 

和 

S 

端口会被自动放置

NMOS/PMOS 

的 

W、 

L、 

bn 

M 

参数需要手工设置

NMOS4/PMOS4 

L 

参数需要手工设置，还需要给它们添

加 

B 

端口

•定义电阻、电容和二极管

MINUS 

PLUS 

的参数可以用软件自动提取

R、C 

和面积参数可以自动换算

•定义 

NPN/PNP

B、C 

E 

面积参数可以自动换算（Cadence 

自动换算）

图为常用标注栏上的器件图标

例如图是提取一个 

NMOS 

管子：

使用工艺 

HL18GF 

提取电路

在标注栏中使用 

Add 

MOS 

图标----在图片上绘框（如下图白色框）---在弹出的

属性框窗口加入相应的类型名称（HL18GF 

工艺 

管子名称为 

nch_tk33）---

-参数 

w/l/fw/m 

等参数---点击确认窗口---加入相应 

脚即可

• 

基本数字单元

大多数的工程中都含有数字单元，这些单元由模拟器件和全局信

号符号构成，例如 

VDD、GND、PMOS、NMOS 

等等

典型基本数字单元包括：

•Inv/buf、 

nand/and、 

nor/or、 

aoi、 

oai、 

mux、

latch、 

dff、 

rs、 

xor/xnor 

提取数字单元主体思想:

确定图片工艺---确定 

器件类型—-使用标注工具栏的 

CELL 

类图标---

在对应图片上绘单元区---标注工具栏使用单元图标----在对应图片上绘单元框

---在弹出来的属性框中填入相应单元名称----*将来提取的门电路画在提图纸

上（需要在 

Caence 

工程目录输入电路图）---加入管子 

引脚---选择显示工

程面板---点击相应单元右键----选择搜索单元---选择开始确定单元---在将来

后面描线工作区描绘线导入----连接 

例如图是提取二个 

NAND3_16_16 

方法：

（使用工艺 

提取电路）

在标注栏中使用单元区图标（如图三标注）----在图片上绘单元区框（如

图一）---在弹出的属性框窗口加选择 

VDD/GND 

方向----点击确认窗口--- 

标注

栏中使用单元图标（如图三标注）----在单元区内绘单元框（如图二）---弹出

的属性框中填入单元名称----加入相应端口 

A/B/C/Y/VDD/GND（图下图三）----

点击显示框单元右键----选择搜索单元---点击显示框单元右键----选择开始确

认单元实例（T 

可透视看单元区内单元是否为同一单元）---确认完毕

框单元区图（CELL 

类型图标）图一

在单元区内部框单元图二

在单元区内部框单元图三

连接 

引脚方法：

锁定屏幕---点击快捷键 

V---使用鼠标左键点击 

小方块或线头---

移动鼠标连接需要相连的二个点----一屏连接完使用 

Home/PgUp/PgDn/End 

环屏

连接效果图

ERC 

检查目的：

为了使得网表避免一些连接错误、一些误操作错误、以及一些遗漏的

PIN、孔等问题为此很用必要检查

检查方法：

连接好 

以及外部引脚后—选择工具栏 

ERC（如图圈内 

ERC）---依次

点接物理、逻辑、名字、高级项---在需要检查项前面选择---点击确定—查

看输出窗口---点击输出窗口里面内容---弹到需要检查的图片相应位置---

修改好即可。

（下图分别物理、逻辑、名字、高级需要检查的项目图）

（REC 

需要检查的物理选项图）

需要检查的逻辑选项图）

需要检查的名字选项图）

七、数据导入导出 

在反向集成电路版图提取项目中，完成单元电路提取、端口 

连接和

单元电路原理图 

Cadence 

输入后，剩下就是 

top 

电路的数据导入导出了，本文

就以帐号 

TiM2110 

下，项目 

IR2153 

为例讲述该操作过程，该项目使用的工艺文

件是 

epilib08BCD700V_V8。

一、导出工艺库的 

EDIF200 

文件

对于项目应用的工艺库在以前项目中已被导出（C:

\chip