华邦W25Q16存储器颗粒SPI编程Word文档下载推荐.docx
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串行时钟引脚CLK;
②:
芯片选择引脚CS;
③:
串行数据输出引脚DO;
④:
串行数据输入输出引脚DIO。
（注意:
第④引脚“串行数据输入输出引脚DIO”的解释:
在普通情况下，这根引脚是“串行输入引脚（DI），当使用了快读双输出指令（FastReadDualOutputinstruction）时，这根引脚就变成了DO引脚，这种情况下，芯片就有了两个DO引脚了，所以叫做双输出，这时，如果与芯片通信的速率相当于翻了一倍，所以传输速度更快。
）
另外，芯片还具有保持引脚（HOLD）、写保护引脚（WP）、可编程写保护位（位于状态寄存器bit1）、顶部和底部块的控制等特征，使得控制芯片更具灵活性。
芯片支持JEDEC工业标准。
引脚排布：
原理图：
控制和状态寄存器说明
S7
S6
S5
S4
S3
S2
S1
S0
SRP
（Reservd）
TB
BP2
BP1
BP0
WEL
BUSY
通过"
读状态寄存器指令"
读出的状态数据可以知道芯片存储器阵列是否可写或不可写，或是否处于写保护状态。
写状态寄存器指令"
可以配置芯片写保护特征。
状态寄存器：
忙位（BUSY）
BUSY位是个只读位，位于状态寄存器中的S0。
当器件在执行"
页编程"
、"
扇区擦除"
、"
块区擦除"
芯片擦除"
写状态寄存器"
指令时，该位自动置1。
这时，除了"
读状态寄存器"
指令，其它指令部忽略。
当编程、擦除和写状态寄存器指令执行完毕之后，该位自动变为0，表示芯片可以接收其它指令了。
写保护位（WEL）
WEL位是个只读位，位于状态寄存器中的S1。
执行完"
写使能"
指令后，该位置1。
当芯片处于"
写保护状态"
下，该位为0。
在下面两种情况下，会进入"
•掉电后
•执行以下指令后写禁能、页编程、扇区擦除、块区擦除、芯片擦除和写状态寄存器
块区保护位（BP2,BP1,BP0）
BP2\BP1\BP0位是可读可写位，分别位于状态寄存器的S4\S3\S2。
可以用"
命令置位这些块区保护位。
在默认状态下，这些位都为0，即块区处于未保护状态下。
可以设置块区没有保护、部分保护或者是全部处于保护状态下。
当SPR位为1或/WP引脚为低的时候，这些位不可以被更改。
底部和顶部块区保护位（TB）
TB位是可读可写位，位于状态寄存器的S5。
该位默认为0，表明顶部和底部块区处于未被保护状态下。
命令置位该位。
当SPR位为1或/WP引脚为低的时候，这些位不可以被更改。
保留位
状态寄存器的S6为保留位，读出状态寄存器值时，该位为0。
建议读状态寄存器值用于测试时将该位屏蔽。
状态寄存器果护位（SRP）
SRP位是可读可写位，位于状态寄存器的S7。
该位结合/WP引脚可以实现禁能写状态寄存器功能。
该位默认值为0。
当SRP位=0时，/WP引脚不能控制状态寄存器的"
写禁能"
。
当SRP位=1，/WP引脚=0时，"
命令失效。
当SRP位=1，/WP引脚=1时，可以执行"
命令。
状态寄存器存储保护模块：
1、写使能时序图（指令:
0x06）：
“写使能”指令将会使“状态寄存器”WEL位置位。
在执行每个“页编程”、“扇区擦除”、“块区擦除”、“芯片擦除”、和“写状态寄存器”命令之前，都要先置位WEL。
/CS引脚先拉低之后，“写使能”指令代码06h从DI引脚输入，在CLK上升沿采集，然后再拉高/CS引脚。
程序设计流程：
1、使能片选位，拉低CS引脚；
2、CLK起始状态或高电平或低平，配置数据采集从CLK第一个上升沿开始；
3、等待发送缓冲区是否为空，SPI_SR的TXE位；
4、将数据赋值给SPI_DR寄存器；
5、等待接收缓冲区是否为空，SPI_SR的RXNE位；
6、返回接收到的数据；
7、禁能片选位，拉高CS引脚。
例程：
unsignedcharSPI_SendByte（unsignedcharbyte）
{
while（!
（SPI_SR&
0x02））;
//等待发送缓冲区为空
SPI_DR=byte;
//送值到数据寄存器
whlie（!
0x01））;
//等待接收缓冲区为空
returnSPI_DR;
//返回接收的内容
}
unsignedcharSPI_WriteEnable（）
Flash_CS=0;
//使能CS引脚
SPI_SendByte（0x06）//写使能指令
Flash_CS=1;
//禁能片选引脚
2、写禁能时序图（指令:
0x04）：
“写禁能”指令将会使WEL位变为0。
/CS引脚拉低之后，把04h从DIO引脚送到芯片之后，拉高/CS，就完成了这个指令。
在执行完“写状态寄存器”、“页编程”、“扇区擦除”、“块区擦除”、“芯片擦除”指令之后，WEL位就会自动变为0。
SPI_SendByte（0x04）//写禁能指令
3、读状态时序（指令：
0x05）：
当/CS拉低之后，开始把05h从DIO引脚送到芯片，在CLK的上升沿数据被芯片采集，当芯片认出采集到的数据时05h时，芯片就会把“状态寄存器”的值从DO引脚输出，数据在CLK的下降沿输出，高位在前。
“读状态寄存器”指令在任何时候都可以用，甚至在编程、擦除和写状态寄存器的过程中也可以用，这样，就可以从状态寄存器的BUSY位判断编程、擦除和写状态寄存器周期有没有结束，从而让我们知道芯片是否可以接收下一条指令了。
如果/CS不被拉高，状态寄存器的值将一直从DO引脚输出。
/CS拉高之后，读指令结束。
1、使能片选，拉低CS引脚；
2、发送读取指令0x04;
3、循环发送读伪指令0xFF，等待非忙时跳出循环;
4、禁能片选，拉高CS引脚。
voidSPI_ReadStatus（）
unsignedcharFlash_Status;
FLASH_CS=0;
//使能片选引脚
SPI_SendByte（0x05）;
//发送读状态指令
do
Flash_Status=SPI_SendByte（0xFF）;
//发送伪指令维持时钟等待非空跳出循环，伪指令任意写。
}while（!
（Flash_Status&
FLASH_CS=1;
//禁能片选引脚
4、写状态时序（指令：
0x01）
在执行“写状态寄存器”指令之前，需要先执行“写使能”指令。
先拉低/CS引脚，然后把01h从DIO引脚送到芯片，然后再把你想要设置的状态寄存器值通过DIO引脚送到芯片，拉高/CS引脚，指令结束，如果此时没有把/CS引脚拉高，或者是拉的晚了，值将不会被写入，指令无效。
只有“状态寄存器”当中的“SRP、TB、BP2、BP1、BP0位”可以被写入，其它“只读位”值不会变。
在该指令执行的过程中，状态寄存器中的BUSY位为1，这时候可以用“读状态寄存器”指令读出状态寄存器的值判断，当指令执行完毕，BUSY位将自动变为0，WEL位也自动变为0。
通过对“TB”、“BP2”、“BP1”、“BP0”位写1，就可以实现将芯片的部分或全部存储区域设置为只读。
通过对“SRP位”写1，再把/WP引脚拉低，就可以实现禁止写入状态寄存器的功能。
1、使能片选，CS引脚拉低；
2、发送写状态指令0x01；
3、发送读取指令0x04
4、禁能片选，CS引脚拉高。
voidSPI_FLASH_WriteStatus（）
SPI_SendByte（0x06）;
//写使能指令
SPI_SendByte（0x01）;
//写状态指令
SPI_SendByte（0x00）;
//写入状态的数据
5、读数据时序图（指令：
0x03）：
“读数据”指令允许读出一个字节或一个以上的字节被读出。
先把/CS引脚拉低，然后把03h通过DIO引脚送到芯片，之后再送入24位的地址，这些数据在CLK的上升沿被芯片采集。
芯片接收完24位地址之后，就会把相应地址的数据在CLK引脚的下降沿从DO引脚送出去，高位在前。
当读完这个地址的数据之后，地址自动增加，然后通过DO引脚把下一个地址的数据送出去，形成一个数据流。
也就是说，只要时钟在工作，通过一条读指令，就可以把整个芯片存储区的数据读出来。
把/CS引脚拉高，“读数据”指令结束。
当芯片在执行编程、擦除和读状态寄存器指令的周期内，“读数据”指令不起作用。
程序设计流程（指令：
2、发送读数据指令0x03，紧接着发送24位地址；
3、读以SPI_DR寄存器数据
4、禁能片选，拉高CS引脚
voidSPI_FLASH_BufferRead（u
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