霍尔效应法测定螺线管Word文档格式.docx

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（1）

其中e为载流子（电子）电量，为载流子在电流方向上的平均定向漂移速率，B为磁感应强度。

无论载流子是正电荷还是负电荷，Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发生便移，则在Y方向即试样A、A´

电极两侧就开始聚积异号电荷而在试样A、A´

两侧产生一个电位差VH，形成相应的附加电场E—霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极A、A´

称为霍尔电极。

电场的指向取决于试样的导电类型。

N型半导体的多数载流子为电子，P型半导体的多数载流子为空穴。

对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有

（a）（b）

图

（1）样品示意图

显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移，试样中载流子将受一个与Fg方向相反的横向电场力FE=eEH

（2）

其中EH为霍尔电场强度。

FE随电荷积累增多而增大，当达到稳恒状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电场力eEH与洛仑兹力相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有

（3）

设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则电流强度Is与的关系为

（4）

由（3）、（4）两式可得

（5）

即霍尔电压VH（A、A´

电极之间的电压）与IsB乘积成正比与试样厚度d成反比。

比例系数

称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。

根据霍尔效应制作的元件称为霍尔元件。

由式（5）可见，只要测出VH（伏）以及知道Is（安）、B（高斯）和d（厘米）可按下式计算RH（厘米3／库仑）。

（6）

上式中的108是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯）而其它各量均采用C、G、S实用单位而引入。

霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件，对于成品的霍尔元件，其RH和d已知，因此在实际应用中式（5）常以如下形式出现：

VH=KHIsB（7）

其中比例系数KH=称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。

Is称为控制电流。

（7）式中的单位取Is为mA、B为KGS、VH为mV，则KH的单位为mV/（mA·

KGS）。

KH越大，霍尔电压VH越大，霍尔效应越明显。

从应用上讲，KH愈大愈好。

KH与载流子浓度n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材料制成的霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度较高，这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的原因。

另外，KH还与d成反比，，因此霍尔元件一般都很薄。

本实验所用的霍尔元件就是用N型半导体硅单晶切薄片制成的。

由于霍尔效应的建立所需时间很短（约10-12—10-14s），因此使用霍尔元件时用直流电或交流电均可。

只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（7）中的Is和VH应理解为有效值。

根据（7）式，因KH已知，而Is由实验给出，所以只要测出VH就可以求得未知磁感应强度B。

（8）

2．霍尔电压VH的测量方法

应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A＇两电极之间的电压并不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设法消除。

根据副效应产生的机理（参阅附录）可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是保持Is和B（即IM）的大小不变，并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的Is和B组合的A、A＇两点之间的电压V1、V2、V3和V4，即

+IS+BV1

+IS-BV2

-IS-BV3

-IS+BV4

然后求上述四组数据V1、V2、V3和V4的代数平均值，可得

（9）

通过对称测量法求得的VH，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小，可以略而不计。

（8）、（9）两式就是本实验用来测量磁感应强度的依据。

3．载流长直螺线管内的磁感应强度

螺线管是由绕在圆柱体上的导线构成的，对于密绕的螺线管，可以看成是一列有共同轴线的圆形线圈的并排组合，因此一个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆形电流在轴线上该点所产生的磁感应强度进行积分求和得到。

根据毕奥—萨伐尔定律，当线圈通以电流IM时，管内轴线

上P点的磁感应强度为

BP=1/2μONIM（cosβ1-cosβ2）（10）

其中μO为真空磁导率，μO=4π×

10-7亨利/米，N为螺线管

单位长度的线圈匝数，IM为线圈的励磁电流，β1、β2分别为点

P到螺线管两端径失与轴线夹角，如图

（2）所示。

图

（2）

根据式（10），对于一个有限长的螺线管，在距离两端口等远的中心处轴上O点，

cosβ1=，cosβ2=

式中D为长直螺线管直径，L为螺线管长度。

磁感应强度为最大，且等于

BO=μ0NIM（+）

=μ0NIM（11）

由于本实验仪所用的长直螺线管满足L>

>

D，则近似认为

BO=μONIM（12）

在两端口处，

cosβ1=，cosβ2=0

磁感应强度为最小，且等于

B1=

μ0NIM（13）

同理，由于本实验仪所用的长直螺线管满足L>

B1=μ0NIM（14）

由（13）、（14）式可知，B1=1/2BO

由图（3）所示的长直螺线管的磁力线分布可知，其内腔中部

磁力线是平行于轴线的直线系，渐近两端口时，这些直线变为从

两端口离散的曲线，说明其内部的磁场在很大一个范围内是近似

均匀的，仅在靠近两端口处磁感应强度才显著下降，呈现明显的

不均匀性。

根据上面理论计算，长直螺线管一端的磁感应强度为

内腔中部磁感应强度的1/2。

图（3）

三、实验内容

1．霍尔元件输出特性测量

A．仔细阅读本实验仪使用说明书后，按图（4）连接测试仪和实验仪之间相对应的Is、VH和IM各组连线，Is及IM换向开关投向上方，表明Is及IM均为正值（即Is沿X方向，B

沿Z方向），反之为负值。

VH、Vσ切换开关投向上方测VH，投向下方

测Vσ。

经教师检查后方可开启测试

仪的电源。

注意：

图3中虚线所示的部分

线路即样品各电极及线包引线与对

应的双刀开关之间连线已由制造厂

家连接好。

必须强调指出：

决不允许将测

试仪的励磁电源“IM输出”误接到

实验仪的“Is输入”或“VH输出”

处，否则一旦通电，霍尔元件即遭

损坏！

图（4）

为了准确测量，应先对测试仪进行调零，即将测试仪的“Is调节”和“IM调节”旋钮均置零位，待开机数分钟后若VH显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现调零，即“0.00”。

B．转动霍尔元件探杆支架的旋钮X1、X2、Y，慢慢将霍尔器件移到螺线管的中心位置。

C．测绘VH—Is曲线

将实验仪的“VH、Vσ”切换开关投向VH侧，测试仪的“功能切换”置VH。

取IM=0.800A，并在测试过程中保持不变。

依次按表1所列数据调节Is，用对称测量法（详见附录）测出相应的V1、V2、V3和V4值，记入表1中，绘制VH—Is曲线。

表1IM=0.800A

Is（mA）

V1（mV）

V2（mV）

V3（mV）

V4（mV）

+IS、+B

+IS、-B

-IS、-B

-IS、+B

4.00

5.00

6.00

7.00

8.00

9.00

10.00

D．测绘VH—IM曲线

实验仪及测试仪各开关位置同上。

取IS=8.00mA，并在测试过程中保持不变。

依次按表2所列数据调节IM，用对称测量法测出相应的V1、V2、V3和V4值，记入表2中，绘制VH—IM曲线。

在改变IM值时，要求快捷，每测好一组数据后，应立即切断IM。

表2IS=8.00mA

IM（A）

0.300

0.400

0.500

0.600

0.700

0.800

0.900

1.000

2．测绘螺线管轴线上磁感应强度的分布曲线

取IS=8.00mA，IM=0.800A，并在测试过程中保持不变。

A．以螺线管轴线为X轴，相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点，探头离中心位置X=14-X1-X2，调节霍尔元件探杆支架的旋钮X1、X2，使测距尺读数X1=X2=0.0cm。

先调节X1旋钮，保持X2=0.0cm，使X1停留在0.0、0.5、1.0、1.5、2.0、5.0、8.0、11.0、14.0cm等读数处，再调节X2旋钮，保持X1=14.0cm，使X2停留在3.0、6.0、9.0、12.0、12.5、13.0、13.5、14.0cm等读数处，按对称测量法测出各相应位置的V1、V2、V3、V4值，并根据（8）、（9）两式计算相对应的VH及B值，记入表3中。

根据（10）式计算相对应的理论B值，记入表3中，其中

cosβ1=，cosβ2=

B．绘制B—X曲线，验证螺线管端口的磁感应强度为中心位置磁感应强度的1/2（可不考虑温度对VH的影响）。

C．将实验得到的螺线管轴向磁感应强度B值与计算得到的理论B值进行比较，求出相对误差（需考虑温度对VH值的影响）。

表3IS=8.00mA，IM=0.800A

X1

（cm）

X2

X

VH

（mV）

B（KGS）

+Is、+B

+Is、-B

-Is、-B

-Is、+B

实验值

理论