cf工艺介绍PPT推荐.pptx

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BM,Sputtering,真空腔室内，在白基板背面溅镀上ITO膜（氧化铟锡），目的隔绝外界电磁场。

在基板正面涂覆整面的PR胶，,低压干燥，挥发PR内溶剂。

通过MSK的图形，对涂布后的PR胶进行曝光。

在显影液的作用下，将没有曝光的区域洗掉，留下曝光的区域。

背景知识,Color,

（1）edPRCoating,

（2）形成pattern曝光显影,（3）GreenPRCoating,（5）BluePRCoating,（4）形成pattern曝光显影,（6）形成pattern曝光显影,生产工艺,背景知识,OC&

PS,（8）PSCoating,形成柱状Pattern,曝光显影,工艺,（7）OCCoating,形成OC膜,加热处理,工艺,生产工艺,背景知识,工艺总括,背景知识,流程,工艺,材料,Glass,BackSideITO,BM,R,G,B,OC,PS,SputterITO溅镀,Coater涂布,Exposure曝光,Develop显影,Coater涂布,Exposure曝光,Develop显影,Coater涂布,Exposure曝光,Develop显影,Coater涂布,Exposure曝光,Develop显影,Coater涂布,Coater涂布,Exposure曝光,Develop显影,黑色PR,红色PR,绿色PR,蓝色PR,透明PR,透明PR,ITO靶材,ToCell,目录,背景知识,ITO溅射（Sputter）,涂布（Coating）,曝光（Exposure）,CF主要材料,CF工艺概况,显影（Develop）相关Cell段不良,ITO溅射（Sputter）,实验模型,ITO靶材,基板,托板,Ar,Ar,Ar,e,Ar,e,外加电,压,磁铁,靶材,基板,等离子体（辉光放电）,后,改进,ITO溅射（Sputter）,产线实际,ITO溅射（Sputter）,ITOPinhole,Particle,ITO,Pinhole,ITO,由于Pinhole导致局部ITO缺失，可能会引起TN模式的Cell段液晶驱动不良。

ITO溅射（Sputter）,ITO腐蚀,Stocker上,方Rework管路泄露酸液，,导致CST,内基板,被酸雾腐蚀。

ITO溅射（Sputter）,ITO膜异常,和靶材宽度相符,镀膜侧视图,镀膜俯视图,靶材,靶材,目录,背景知识,ITO溅射（Sputter）,涂布（Coating）,曝光（Exposure）,CF主要材料,CF工艺概况,显影（Develop）相关Cell段不良,涂布（Coating）,-Stage保证温度基本恒定,涂布（Coating）,涂布竖线Mura,向,涂布方,涂布方向,Nozzle,Rubber,涂布（Coating）,蝶状Mura,向,涂布方,Particle,Nozzle,PRCFGlass,CoatStage,Coating,蝶M,ura,涂布（Coating）,结束部Mura,涂布方向,Glass,Stage,Mur,a出现PR残留,研磨和擦拭后，,未见发亮的PR,残留,PR堆积在,10mm处,涂布（Coating）,PinMura,干燥时,干燥后,发程度不同，从而产生膜厚差。

局部受力不同，导致溶剂蒸,为了降低PinMura对品质的,影响，一般把Pin分,布在Dum,my区。

涂布（Coating）,涂布白缺,在涂布前，基板上有污渍或者有水滴，导致PR胶,涂布不上,目录,背景知识,ITO溅射（Sputter）,涂布（Coating）,曝光（Exposure）,CF主要材料,CF工艺概况,显影（Develop）相关Cell段不良,曝光（Exposure）,UV光单元,曝光Mask,Glass,曝光Stage,Remark：

1.曝光:

Gap200300m2.TP精度：

3m3.温度精度：

0.1,曝光（Exposure）,MaskCommon,Mask,显影后基板,曝光（Exposure）,曝光StageMura,目录,背景知识,ITO溅射（Sputter）,涂布（Coating）,曝光（Exposure）,CF主要材料,CF工艺概况,显影（Develop）相关Cell段不良,显影（Develop）,喷淋头,基板,传送带,显影液,清洗液,5倾斜,Remark：

1.显影液温度控制：

温度，显影程度,度,显影时间控制：

时间，显影程度显影液喷射压力：

压力，显影程喷淋头左右移动，保证显影均匀,显影（Develop）,显影曲线,喷淋头堵塞或者损坏，导致局部显影程度较低,显影（Develop）,显影残留,HP（Prebake）时间过长或温度过高导致PR固化程度过高，显影困难,目录,背景知识,ITO溅射（Sputter）,涂布（Coating）,曝光（Exposure）,CF主要材料,CF工艺概况,显影（Develop）相关Cell段不良,相关Cell段不良,ITOParticle,CellTest,CFGlass,TFTGlass,I,TO镀膜时形成的Particle，可能会在,Cell段造成不良。

相关后工序不良,起始部/结束部Mura,涂布方向,CF起始部,Mura,有可能导致CellTest,检出Panel,边缘异常。

CellPanel,CF基板,相关后工序不良,涂布竖线&

PR残留,L0、L63、L127、Green127可见,涂布方向,Green涂布竖线,CT水平白线,CT黑点,G,reenP,R残留,CFPR黑缺可能在Cell引起黑点涂布竖线可能在Cell引起水平线Mura,CellPanel,CF基板,CF黑缺,CFFinalMacroInspection,C,准,基,断,F判,经验积累,下游基准,标准底线,标准底线：

目视白色荧光灯透射可见的缺陷下游基准：

下游检测工序会判定降级的缺陷经验积累：

工厂之间品质Correlation,知识回顾,背景知识,什么是CF，CF的种类，有何不同？

为什么？

CF材料,PR胶成分，为什么可以曝光显影？

ITO靶材,工艺流程,CF是如何生产出来的？

各工序的作用？

主要工艺,ITOSputter?

Photo（Coating，Exposure，Develop）?

Cell相关,亮线？

边缘异常？

黑点？

水平线Mura？

CF判定,从何,检,CF终,的标准,而来？

LOG,LOG,ColorFilter,