张永林-第二版《光电子技术》课后习题答案文档格式.doc

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1.3一只白炽灯，假设各向发光均匀，悬挂在离地面1.5m的高处，用照度计测得正下方地面的照度为30lx，求出该灯的光通量。

Φ=L*4πR^2=30*4*3.14*1.5^2=848.23lx

1.4一支氦-氖激光器（波长为632.8nm）发出激光的功率为2mW。

该激光束的平面发散角为1mrad,激光器的放电毛细管为1mm。

求出该激光束的光通量、发光强度、光亮度、光出射度。

若激光束投射在10m远的白色漫反射屏上，该漫反射屏的发射比为0.85，求该屏上的光亮度。

1.6从黑体辐射曲线图可以看书，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长随温度T的升高而减小。

试用普朗克热辐射公式导出

式这一关系式称为维恩位移定律中，常数为2.898´

10-3m·

K。

普朗克热辐射公式求一阶导数，令其等于0，即可求的。

教材P8

2.1什么是光辐射的调制？

有哪些调制的方法？

它们有什么特点和应用？

光辐射的调制是用数字或模拟信号改变光波波形的幅度、频率或相位的过程。

光辐射的调制方法有内调制和外调制。

内调制：

直接调制技术具有简单、经济、容易实现等优点。

但存在波长（频率）的抖动。

LD、LED

外调制：

调制系统比较复杂、消光比高、插损较大、驱动电压较高、难以与光源集成、偏振敏感、损耗大、而且造价也高。

但谱线宽度窄。

机械调制、电光调制、声光调制、磁光调制

2.2说明利用泡克尔斯效应的横向电光调制的原理。

画出横向电光调制的装置图，说明其中各个器件的作用。

若在KDP晶体上加调制电压U=Um，U在线性区内，请写出输出光通量的表达式。

Pockels效应：

折射率的改变与外加电场成正比的电光效应。

也称线性电光效应。

光传播方向与电场施加的方向垂直，这种电光效应称为横向电光效应。

2.3说明利用声光布拉格衍射调制光通量的原理。

超声功率Ps的大小决定于什么？

在石英晶体上应加怎样的电信号才能实现光通量的调制？

该信号的频率和振幅分别起着什么作用？

当超声波在介质中传播时，将引起介质的弹性应变作时间上和空间上的周期性的变化，并且导致介质的折射率也发生相应的变化。

当光束通过有超声波的介质后就会产生衍射现象，这就是声光效应。

声光介质在超声波的作用下，就变成了一个等效的相位光栅，当光通过有超声波作用的介质时，相位就要受到调制，其结果如同它通过一个衍射光栅，光栅间距等于声波波长，光束通过这个光栅时就要产生衍射，这就是声光效应。

布拉格衍射是在超声波频率较高，声光作用区较长，光线与超声波波面有一定角度斜入射时发生的。

2.4说明利用法拉第电磁旋光效应进行磁光强度调制的原理。

磁场使晶体产生光各向异性，称为磁光效应。

法拉第效应：

光波通过磁光介质、平行于磁场方向传播时，线偏振光的偏振面发生旋转的现象。

电路磁场方向在YIG棒轴向，控制高频线圈电流，改变轴向信号磁场强度，就可控制光的振动面的旋转角，使通过的光振幅随角的变化而变化，从而实现光强调制。

3.1热电探测器与光电探测器相比较，在原理上有何区别？

光电探测器的工作原理是将光辐射的作用视为所含光子与物质内部电子的直接作用，而热电探测器是在光辐射作用下，首先使接收物质升温，由于温度的变化而造成接受物质的电学特性变化。

光电探测器响应较快，噪声小；

而热电探测器的光谱响应与波长无关，可以在室温下工作。

3.2光电效应有哪几种？

各有哪些光电器件？

物质在光的作用下释放出电子的现象称为光电效应。

光电效应又分为外光电效应（如光电发射效应）和内光电效应（如光电导效应和光伏效应）。

当半导体材料受光照时，由于对光子的吸收引起载流子浓度的增大，因而导致材料电导率的增大，这种现象称光电导效应。

光敏电阻、光导探测器

当半导体PN结受光照射时，光子在结区（耗尽区）激发电子-空穴对。

在自建场的作用下，电子流向N区，空穴流向P区，从而在势垒两边形成电荷堆积，使P区、N区两端产生电位差。

P端为正，N端为负。

这种效应称为光伏效应。

光电池、光电二极管、双光电二极管，光电三极管、光电场效应管、光电开关管、光电雪崩二极管

某些金属或半导体受到光照时，物质中的电子由于吸收了光子的能量，致使电子逸出物质表面，这种现象称为光电发射效应，又称外光电效应。

光电倍增管，真空光电管、充气光电管。

3.3光电器件的光电特性（光照特性）有哪两种情况？

每种特性的器件各自的用途是什么？

当光电器件上的电压一定时，光电流与入射于光电器件上的光通量的关系I=F（Ф）称为光电特性，光电流与光电器件上光照度的关系I=F（L）称为光照特性。

3.4什么是光电器件的光谱特性？

了解它有何重要性？

光电器件对功率相同而波长不同的入射光的响应不同，即产生的光电流不同。

光电流或输出电压与入射光波长的关系称为光谱特性。

光谱特性决定于光电器件的材料。

应尽量使所选的光电器件的光谱特性与光源的光谱分布较接近。

由光电器件的光谱特性可决定光电器件的灵敏度（响应率）——光谱灵敏度和积分灵敏度。

3.5为什么结型光电器件在正向偏置时没有明显的光电效应？

结型光电器件必须工作在哪种偏置状态?

因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。

p-n结必须在反向偏压的状态下，有明显的光电效应产生，这是因为p-n结在反偏电压下产生的电流要饱和，所以光照增加时，得到的光生电流就会明显增加。

3.6若光电PN结在照度L1下开路电压为U，求照度L2下的开路电压U。

3.7负电子亲和势光电阴极的能带结构如何？

它有哪些特点？

表面区域能带弯曲，真空能级降低到导带之下。

特点：

1.量子效率高2.光谱响应延伸到红外，光谱响应率均匀3热电子发射小4.光电发射小，光电子能量集中

3.8何谓“白噪声”？

何谓“噪声”？

要降低电阻的热噪声应采取什么措施？

功率谱大小与频率无关的噪声，称白噪声。

功率谱与f成反比，称1/f噪声。

措施：

1.尽量选择通带宽度小的2.尽量选择电阻值小的电阻3.降低电阻周围环境的温度

3.9探测器的D*=1011cm·

Hz1/2·

W-1,探测器光敏器的直径为0.5cm，用于f=5x103Hz的光电仪器中，它能探测的最小辐射功率为多少？

3.10应怎样理解热释电效应？

热释电探测器为什么只能探测调制辐射？

热电晶体的自发极化矢量随温度变化，从而使入射光可引起电容器电容改变的现象成为热释电效应。

由于热释电信号正比于器件的温升随时间的变化率，因此它只能探测调制辐射。

3.13一块半导体样品，有光照时电阻为50欧姆，无光照时电阻为5000欧姆，求该样品的光电导。

G光=G亮-G暗=1/50-1/5000=0.0198（s）该样品的光电导即为所求。

3.14

3.16试问图3.25和图3.26分别属于哪一种类型的偏置电路？

为什么？

当光照变化dL时，引起输出电压U0变化，分别写出这两种电路dU0的表达式。

3.17叙述光电池的工作原理以及开路电压、短路电流与光照度的关系。

为什么光电池的输出与所接的负载有关系？

（1）工作原理

光电池是一个简单得PN结。

当光线照射PN结时，PN结将吸收入射光子。

如果光子能量超过半导体材料的禁带宽度，则由半导体能带理论可知，在PN结附近会产生电子和空穴。

在内电场的作用下，空穴移向P区，电子移向N区，使N区聚集大量的电子而带上负电，在P区聚集大量的空穴而带上正电。

于是在P区和N区之间产生了电势，成为光生电动势。

如果用导线或电阻把N区和P区连接起来，回路中就会有光电流I流过，电流方向是由P区流向N区。

（6分）

（2）光电池的电动势即开路电压与照度成非线性关系，在照度光电池的短路电流与照度成线性关系（4分）

（3）当负载电阻较大时，光电流流过负载电阻时，必然使外加电场增大，由于外电场的方向是与内电场方向相反，故要削弱内电场的强度，从而使光生的电子和空穴不能移过PN结，使对外输出的光电流减少。

（5分）

3.202CR和2DR，2CU和2DU在结构上有何主要区别？

2DU光电二极管增设环极的目的是什么？

画出正确接法的线路图，使用时环极不接是否可用？

硅光电池按基底材料不同分为2CR和2DR。

2CR为N型单晶硅，2DR为P型单晶硅。

按衬底材料的不同，硅光电二极管分为2CU和2DU两种系列。

2DU光电二极管增设环极的目的是为了减少暗电流和噪声。

3.21说明PIN管、雪崩光电二极管的工作原理和各自特点。

PIN管的频率特性为什么比普通光电二极管好？

工作原理：

PIN管加反向电压时，势垒变宽，在整个本征区展开，耗尽层宽度基本上是I区的宽度，光照到I层，激发光生电子空穴时，在内建电场和反向电场作用下，空穴向P区移动，电子向N区移动，形成光生电流，通过负载，在外电路形成电流。

频带宽，线性输出范围宽。

优点：

1，工作电压比较低，一般为5V。

2，探测灵敏度比较高；

3，内量子效率较高；

4，响应速度快；

5，可靠性高；

6，PIN管能低噪声工作。

当光电二极管的PN结上加相当大的反向偏压时，在耗尽层内将产生一个很高的电场，它足以使在该强电场区产生和漂移的光生载流子获得充分的动能，电子空穴与晶格原子碰撞，将产生新的电子空穴对。

新的电子空穴对在强电场作用下，分别向相反的方向运动，在运动过程中，又可能与原子碰撞，再一次产生新的电子空穴对。

如此反复，形成雪崩式的载流子倍增。

特性：

灵敏度高，响应速度快；

PIN光电二极管因由较厚的i层，因此p-n结的内电场就基本上全集中于i层中，使p-n结的结间距离拉大，结电容变小，由于工作在反偏，随着反偏电压的增大，结电容变的更小，从而提高了p-n光电二极管的频率响应。

由于PIN管耗尽层变宽，这就相当于增大了结电容之间的距离，使结电容变小，而且耗尽层的厚度随反向电压的增加而加宽，因而结电容随着外加反向偏压的增大而变得更小。

同时，由于I层的电阻率很高，故能承受很高的电压，I层电场很强，对少数载流子漂移运动起加速作用，虽然渡越距离增大一些，但少数载流子的渡越时间相对还是短了。

总之，由于结电容变小，载流子渡越耗尽层的时间短，因此PIN管的特性好。

3.23光电二极管2CU2E，其光电灵敏度S=0.5μA/μW，拐点电压U=10V，输入辐射功率=（5+3sint）μW，偏置电压Ub=40V，信号由放大器接收，求取得最大功率时的负载电阻Rb和放大器的输入电阻R的值，