CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc

上传人:b****1 文档编号:13064976 上传时间:2022-10-04 格式:DOC 页数:20 大小:3.01MB
下载 相关 举报
CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc_第1页
第1页 / 共20页
CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc_第2页
第2页 / 共20页
CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc_第3页
第3页 / 共20页
CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc_第4页
第4页 / 共20页
CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc_第5页
第5页 / 共20页
点击查看更多>>
下载资源
资源描述

CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc

《CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc(20页珍藏版)》请在冰豆网上搜索。

CMOS数字集成电路设计-八位加法器实验报告Word文档格式.doc

3) 建立测试激励源 2

4) 测试电路 3

5) 波形仿真 4

(二) 4位全加器的电路设计与验证 4

1) 原理图设计 4

2) 生成符号图 5

3) 建立测试激励源 5

4) 测试电路 6

5) 波形仿真 6

(三) 8位全加器的电路设计与验证 7

1) 原理图设计 7

2) 生成符号图 7

3) 测试激励源 8

4) 测试电路 8

5) 波形仿真 9

6) 电路参数 11

四、 版图设计与验证 13

(一) 1位全加器的版图设计与验证 13

1) 1位全加器的版图设计 13

2) 1位全加器的DRC规则验证 14

3) 1位全加器的LVS验证 14

4) 错误及解决办法 14

(二) 4位全加器的版图设计与验证 15

1) 4位全加器的版图设计 15

2) 4位全加器的DRC规则验证 16

3) 4位全加器的LVS验证 16

4) 错误及解决办法 16

(三) 8位全加器的版图设计与验证 17

1) 8位全加器的版图设计 17

2) 8位全加器的DRC规则验证 17

3) 8位全加器的LVS验证 18

4) 错误及解决办法 18

五、 设计总结 18

I

一、设计要求

本次设计要求实现一个8位的加法器,通过从前端到后端的设计过程,了解数字集成电路设计流程,熟悉Linux系统及其相关软件icfb的使用,加深对数字集成电路前端设计的认识。

二、设计思路

基本单元选用复杂cmos电路实现的一位全加器,采用pmos与nmos网络完全对偶的mirror型,将四个1位全加器级联成一个4位加法器,再将两个4位全加器级联成一个8位全加器。

Figure2-11位加法器级联图

如图Fig.1所示,四个1位加法器级联成一个4位加法器的级联图。

这种电路的好处是将每前一级的Cin与后一级的Cout直接级联,连接比较方便,电路比较好设计。

版图设计也相对较简单,画出一位全加器的版图,多位全加器的版图就迎刃而解。

由于采用直接级联,前一级的输出延时要累加到后一级的输入进位中,最后会导致级联越多,延时越多。

为了提高性能,可以采用曼彻斯特进位链或是进位旁路。

由于是初次接触icfb,对版图还不是太了解,本次试验采用最简单的直接级联形式。

三、电路设计与验证

(一)1位全加器的电路设计与验证

1)原理图设计

Figure3-11位全加器的原理图(镜像型)

如图Fig.3-1所示,为采用镜像型1位全加器的原理图。

其中A、B为两个输入信号也即两个一位加数,Cin为前一位的进位输入信号,Co为当前的进位输出信号,So为和输出信号。

2)生成符号图

Figure3-21位全加器的符号图

如图Fig.3-2所示,为检查并保存1位全加器原理图后生成的符号图,左侧为输入信号A、B、Cin,右侧为输出信号,Co和So。

3)建立测试激励源

为了验证原理图是否满足逻辑要求,新建一个关于激励源的cellview,建立functional文件,编辑测试激励源的verilog文件,遍历真值表,并生成相应的符号。

Figure3-31位全加器的测试激励

如图Fig.3-3所示,为用verilog编写的1位全加器的测试激励。

初始状态三个输入信号都设为1,之后给A、B、Cin赋值三个不同频率的脉冲信号,能遍历三个输入中,全0、全1、两个1、一个1的所有情况。

18

4)测试电路

Figure3-41位全加器的测试电路(模拟)

Figure3-51位全加器的测试电路(数模混合)

如图Fig.3-4,、Fig.3-5所示,为1位全加器的测试电路,Fig.3-4为加模拟信号激励,Fig.3-5为加数字信号激励。

从中比较可以看出,当输入信号较多时,才用数目混合测试要比采用模拟激励测试要方便,电路会简单些。

所以在接下来的4位全加器和8位全加器测试电路中,均采用数模混合方式。

5)波形仿真

Figure3-61位全加器的仿真波形a

Figure3-71位全加器的仿真波形b

如图Fig.3-6,、Fig.3-7所示,为1位全加器的仿真波形图。

从图Fig.3-6中可以看出,仿真波形结果与真值表相符合,从图Fig.3-7中可以看出1位全加器的延时为0.1ns.

(二)4位全加器的电路设计与验证

Figure3-84位加法器的原理图

如图Fig.3-8所示,为4位加法器的原理图设计。

4位加法器采用4个1位加法器直接串联,前一级的输出直接连到下一级的输入。

左侧为四位输入信号A[3:

0]、B[3:

0]和进位输入Cin,右侧为四位输出信号D[3:

0]和进位输出Co.

Figure3-94位加法器的符号图

如图Fig.3-9所示,为检查并保存4位全加器原理图后生成的符号图,左侧为输入信号A[3:

0]、Cin,右侧为输出信号,Co和D[3:

0]。

为验证原理图是否满足逻辑要求,新建一个关于激励源的cellview,建立functional文件,编辑测试激励源的verilog文件,遍历真值表,并生成相应的符号。

Figure3-104位全加器的测试激励

如图Fig.3-10所示,为用verilog编写的4位全加器的测试激励。

初始状态进位输入设为0,a[3:

0]设为1001,b[3:

0]设为0111;

之后分别给每一位加数不同周期的脉冲信号,使得激励信号能够遍历所有的情况。

Figure3-114位全加器的测试电路(数模混合)

如图Fig.3-11所示,为4为全加器测试电路,采用数目混合形式。

从图中可以看出,采用数模混合测试方法,电路比较简单,不需要每个输入信号都给一个模拟脉冲,简洁、方便。

Figure3-124位全加器的仿真波形

如图Fig.3-12所示,为4为全加器的仿真波形图,从图中可以看出,仿真波形结果与4位全加器真值表相符合。

其中,关键路径上的延时为0.37ns,延时较大,这与每一级输出都加入一个反相器有很大关系。

(三)8位全加器的电路设计与验证

Figure3-134位加法器的原理图

如图Fig.3-13所示,为8位加法器的原理图设计。

8位加法器采用2个4位加法器串联,前一级的输出直接连到下一级的输入。

其中A[7:

0]、B[7:

0]分别为八位输入信号,Cin为进位输入信号,D[7:

0]为输出信号,Co为进位输出信号。

Figure3-148位加法器的符号图

如图Fig.3-9所示,为检查并保存8位全加器原理图后生成的符号图,左侧为两个八位的输入信号A[7:

0]和进位输入信号Cin,右侧为A[7:

0]与B[7:

0]的和输出信号D[7:

0]和进位输出信号Co。

3)测试激励源

Figure3-158位全加器的测试激励

如图Fig.3-15所示,为用verilog编写的8位全加器的测试激励。

初始状态进位输入设为0,a[7:

0]设为10100111,b[7:

0]设为10011101;

之后分别给每一位加数不同周期的脉冲信号,进位输入Cin设置为周期脉冲信号,使得激励信号能够遍历所有的情况。

Figure3-168位全加器的测试电路(数模混合)

如图Fig.3-16所示,为8位全加器测试电路,采用数模混合形式。

从图中可以看出,采用数模混合测试方法,电路比较简单,不需要每个输入信号都给一个模拟脉冲。

当输入信号数目比较大时,采用数模混合方式更加有效。

Figure3-178位加法器的仿真波形a

Figure3-188位加法器的仿真波形b

Figure3-198位加法器的仿真波形c

如图Fig.3-17、Fig.3-18、Fig.3-19所示,为8位全加器的仿真波形,电路关键路径为从Cin到Co的路径,延时为160.64-159.98=0.66ns。

Figure3-20关键路径上的最大延时波形

如图Fig.3-20所示,为Cin到Co路径上的最大延时波形图。

当A[7:

0]=8’hff,B[7:

0]=8’h00,Cin=1时候,测出Cin和Co的状态转换时间差即为关键路径上的最大延时。

从图中可以看出,关键路径上的最大延时为80.87ns-80ns=0.87ns。

Figure3-21关键路径的上升时间波形

如图Fig.3-21所示,为关键路径上的上升时间波形图,从图中可以看出,上升时间为80.536-80.445=0.091ns。

Figure3-22关键路径的下降时间波形

如图Fig.3-22所示,为关键路径上的下降时间波形图,从图中可以看出,下降时间为160.628-160.566=0.062ns。

下降时间比上升时间小的原因可能是pmos比nmos管速度慢。

6)电路参数

************************************************************************

*auCdlNetlist:

*

*LibraryName:

wangkeqin2

*TopCellName:

8_full_adder

*ViewName:

schematic

*Netlistedon:

May2504:

46:

152012

*.EQUATION

*.SCALEMETER

*.MEGA

*.GLOBALgnd!

+vdd!

*.PINgnd!

*+vdd!

wangkeqin2

*CellName:

1_full_adder

schematic

.SUBCKT1_full_adderABCinCoSo

*.PININFOCo:

OSo:

OA:

BB:

BCin:

B

Mpmos_3p315Sonet90vdd!

vdd!

pmos_3p3W

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 党团工作 > 党团建设

copyright@ 2008-2022 冰豆网网站版权所有

经营许可证编号:鄂ICP备2022015515号-1