模拟电子技术教案汇总Word格式文档下载.docx
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80本学期总学时数：
80
本学期上课周数：
15平均每周学时数：
5.3
讲课：
64实验：
16
测验：
0习题课：
课程性质：
必修
课程考核方式：
平时考核占课程总成绩30％，期末命题考试占课程总成绩70％
平时考核：
考勤（15分），提问、互动、作业（15分）
答疑安排：
平时答疑，每周一下午2：
00～4：
00，地点：
信息学院楼B306，期末考试前3天全天答疑，地点信息学院楼B306
课程表：
第1次课教案
一．讲授章节
第一章常用半导体器件
1.1半导体基础知识
二．教学目标
1、半导体及其导电性能
2、本征半导体的结构及其导电性能
3、半导体的本征激发与复合现象
4、半导体的导电机理
5、杂质半导体
6、PN结的形成及其单向导电性
7、PN结伏安特性
8、PN结温度特性。
9、PN结电容效应
三．教学要求
1．掌握内容
掌握PN结的形成过程和PN结的特性
2．了解内容
了解本征半导体，杂质半导体基本概念
了解两种载流子的扩散和漂移概念
四．教学重点
1．PN结的单向导电性；
2．PN结的伏安特性；
五．教学难点
1．半导体的导电机理:
两种载流子参与导电；
2．掺杂半导体中的多子和少子
3．PN结的形成；
六．教学方法、手段
启发式教学方法，利用多媒体教学手段。
七．教学组织
本讲宜教师讲授。
用多媒体演示半导体的结构、导电机理、PN结的形成过程及其伏安特性等，便于学生理解和掌握。
八．小结
九．课后练习题或作业
习题1.1、1.3、1.4、1.6、1.8、1.13、1.15、1.19、1.22、1.24
第2次课教案
1.2半导体二极管
1、半导体二极管的几种常见结构及其应用场合
2、二极管的伏安特性以及与PN结伏安特性的区别
3、温度对二极管伏安特性的影响
4、二极管的等效电路（或称为等效模型）
5、二极管的主要参数
6、稳压二极管（稳压管）及其伏安特性
7、稳压管等效电路
8、稳压管的主要参数
9、稳压管稳压电路
10、特殊二极管
掌握二极管的工作原理及使用方法
2．熟悉内容
熟练掌握二极管伏安特性及主要参数
3．了解内容
了解二极管的基本结构及分类；
了解二极管的等效电路及应用；
了解其它类型二极管的特点及应用
1、二极管的伏安特性、单向导电性及等效电路（三个常用模型）；
2、稳压管稳压原理及简单稳压电路；
3、二极管的箝位、限幅和小信号应用举例；
1、二极管在电路中导通与否的判断方法，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题；
2、稳压管稳压原理；
本讲以教师讲授为主。
用多媒体演示二极管的结构、伏安特性以及温度对二极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。
二极管的箝位、限幅和小信号应用举例可以启发讨论。
见第1次课
第3次课教案
1.3双极型晶体管
1、晶体管的主要类型和应用场合
2、BJT具有放大作用的内部条件和外部条件
3、BJT的电流放大作用及电流分配关系
4、晶体管的输入特性和输出特性
5、晶体管的主要参数
6、温度对晶体管特性及参数的影响
掌握晶体管的共射特性曲线；
掌握晶体管的主要参数
熟练掌握晶体管的电流放大作用
了解温度对晶体管特性及参数的影响
1、BJT电流放大原理及其电流分配关系式；
2、BJT的输入、输出特性；
3、BJT三种工作状态的判断方法；
1、BJT放大原理及电流分配关系式；
2、BJT三种工作状态的判断方法；
用多媒体演示三极管的结构、输入与输出特性以及温度对三极管特性的影响等，便于学生理解和掌握。
三极管工作状态、电位和管型的判断方法可以启发讨论。
第4次课教案
1.4场效应管
１、效应管及其类型
2、N沟道增强型MOS管结构
3、N沟道增强型MOS管的工作原理
4、N沟道耗尽型MOSFET
5、P沟道增强型和耗尽型MOSFET
6、场效应管的伏安特性
7、场效应管的主要参数
8、场效应管FET与晶体管BJT的比较
掌握结型场效应管的工作原理和特性曲线；
掌握绝缘栅型场效应管的工作原理和特性曲线
了解场效应管的主要参数；
了解场效应管与晶体管的异同
1、MOS管结构原理；
2、MOS管的伏安特性及其在三个工作区的工作条件；
MOS管各工作区的工作条件；
本讲以教师讲授为主。
用多媒体演示FET的结构原理、输出与转移特性等，便于学生理解和掌握。
FET的工作区、管型的判断方法可以启发讨论。
本章首先介绍了半导体的基础知识，然后阐述了半导体二极管、晶体管（BJT）和场效应管（FET）的工作原理、特性曲线和主要参数。
现将各部分归纳如下：
1、杂质半导体与PN结
本征半导体中掺入不同的杂质就形成N型半导体和P型半导体，控制掺入杂质的多少就可以有效地改变其导电性能，从而实现导电性能的可控性。
半导体中有两种载流子：
自由电子与空穴。
载流子有两种有序运动：
因浓度差异而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运动称为漂移运动。
将两种杂质半导体制作在同一块硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，上述两种运动达到动态平衡，从而形成PN结。
正确理解PN结单向导电性、反向击穿特性、温度特性和电容效应，有利于了解半导体二极管、晶体管和场效应管等电子器件的特性和参数。
2、半导体二极管
一个PN结经封装并引出电极后就构成二极管。
二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流与电压成指数关系；
加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小，体现出单向导电性。
、
和
是二极管的主要参数。
特殊二极管与普通二极管一样，具有单向导电性。
利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二极管，利用PN结的光敏性可制成光电二极管。
3、晶体管
晶体管具有电流放大作用。
当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流
，体现出
（或
）对
的控制作用。
此时，可将
看成为电流
控制的电流源。
晶体管的输入特性和输出特性表明各极之间电流与电压的关系，β、α、
（
）、
是它的主要参数。
晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注意使管子工作在不同工作区的外部条件。
4、场效应管
场效应管分为结型和绝缘栅型两种类型，每种类型均分为两种不同的沟道：
N沟道和P沟道，而MOS管又分为增强型和耗尽型两种形式。
场效应管工作在恒流区时，利用栅一源之间外加电压所产生的电场来改变导电沟道的宽窄，从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流
。
看成电压
控制的电流源，转移特性曲线描述了这种控制关系。
输出特性曲线描述
三者之间的关系。
或
和极间电容是它的主要参数。
和晶体管相类似，场效应管有夹断区（即截止区）、恒流区（即线性区）和可变电阻区三个工作区域。
尽管各种半导体器件的工作原理不尽相同，但在外特性上却有不少相同之处。
例如，晶体管的输入特性与二极管的伏安特性相似；
二极管的反向特性（特别是光电二极管在第三象限的反向特性）与晶体管的输出特性相似，而场效应管与晶体管的输出特性也相似。
第5次课教案
第二章基本放大电路
2.1放大的概念和放大电路的主要性能指标
2.2基本共射放大电路的工作原理
1、放大的概念
2、电路的主要性能指标
3、两种常见的共射放大电路组成及各部分作用
4、静态工作点设置的必要性
5、基本共射放大电路的工作原理及波形分析
6、放大电路的组成原则
掌握放大电路的性能指标；
掌握设置静态工作点的必要性；
掌握基本共射放大电路的工作原理
了解放大的概念；
了解基本共射放大电路的组成及各元件的作用；
了解放大电路的组成原则
1、放大的本质；
2、利用放大电路的组成原则判断放大电路能否正常工作；
1、放大电路静态工作点的设置方法；
用多媒体演示放大电路的组成原理、信号传输过程和设置合适Q点的必要性等，便于学生理解和掌握。
判断放大电路能否正常工作举例可以启发讨论。
习题2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6、2.11、2.12、2.13、2.18、2.19、2.20、2.24
第6次课教案
2.3放大电路的分析方法
1、直流通路、交流通路及其画法
2、放大电路的静态分析和动态分析
3、图解法确定Q点和最大不失真输出电压
4、等效电路法求解静态工作点
5、5、BJT的h参数等效模型
6、等效电路法求解放大电路的动态参数
掌握直流通路与交流通路；
掌握图解法
2．熟练掌握内容
熟练掌握等效电路法
1、基本放大电路静态工作点的估算；
2、BJT的h参数等效模型及放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算；
1、放大电路的微变等效电路的画法；
2、放大电路输入电阻、输出电阻与电压放大倍数的计算；
用多媒体演示图解法求Q点、
及分析非线形失真；
用直流通路估算Q点；
BJT的h参数模型建立、微变等效电路的画法及动态参数计算等，便于学生理解和掌握。
见第5次课
第7次课教案
2.4放大电路静态工作点稳定
1、静态工作点稳定的必要性
2、温度变化对静态工作点产生的影响
3、稳定静态工作点的原则和措施
4、典型静态工作点稳定电路——分压式偏置电路的分析
熟练掌握典型静态工作点稳定电路
了解静态工作点稳定的必要性；
了解稳定静态工作点的措施
1、放大电路稳定静态工作点的原理和常用方法；
2、分压式偏
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