高维修电工习题.docx
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高维修电工习题
一、选择题
电工基础及仪表知识部分
1.在直流电路中,基尔霍夫第二定律的正确表达式是(B)。
(A)Σ
=0(B)Σ
=0(C)ΣIR=0(D)ΣE=0
2.关于磁场的基本性质下列说法错误的是(D)。
(A)磁场具有能的性质(B)磁场具有力的性质
(B)磁场可以相互作用(D)磁场也是由分子组成
3.线圈自感电动势的大小与(D)无关。
(A)线圈中电流的变化率(B)线圈的匝数
(C)线圈周围的介质(D)线圈的电阻
4.与自感系数无关的是线圈的(D)。
(A)几何形状(B)匝数(C)磁介质(D)电阻
5.变压器的铁心采用绝缘硅钢片叠压而成,其主要目的是(D)。
(A)减小磁阻和杂散损耗(B)减小磁阻及铜耗
(C)减小磁阻和电阻(D)减小磁阻和铁耗
6.根据电磁感应定律e=-N(ΔΦ/Δt)求出的感应电动势,是在Δt这段时间内的(A)。
(A)平均值(B)瞬时值(C)有效值(D)最大值
7.在500匝的线圈中通入0.4安的电流,产生0.8韦的磁通,则该电流产生的磁势为(B)安匝。
(A)20(B)200(C)25(D)250
8.在一个磁导率不变的磁路中,当磁通势为10安匝时,磁通为0.5韦,当磁通势为5安匝时,磁阻为(A)1/亨利。
(A)20(B)0.5(C)2(D)10
9.互感电动势的大小正比于(D)。
(A)本线圈电流的变化量(B)另一线圈电流的变化量
(C)本线圈电流的变化率(D)另一线圈电流的变化率
10.在电磁铁线圈电流不变的情况下,衔铁被吸合过程中,铁心中的磁通将(A)。
(A)变大(B)变小(C)不变(D)无法确定
11.在铁磁物质组成的磁路中,磁阻非线性的原因是(A)是非线性的。
(A)磁导率(B)磁通(C)电流(D)磁场强度
12.正确的自感系数单位换算是(A)。
(A)1H=103mH(B)1μH=103mH
(C)1H=106mH(D)1μH=10-6mH
13.自感电动势的大小正比于本线圈中电流的(D)。
(A)大小(B)变化量(C)方向(D)变化率
14.磁极周围存在着一种特殊物质,这种物质具有力和能的特性,该物质叫(B)。
(A)磁性B)磁场(C)磁力(D)磁体
15.在磁路中(C)。
(A)有磁阻就一定有磁通(B)有磁通就一定有磁通势
(C)有磁通势就一定有磁通(D)磁导率越大磁阻越大
16.在一个磁导率不变的磁路中,当磁通势为5安培时,磁通为1Wb;当磁通势为10安匝时,磁通为(D)Wb。
(A)2.5(B)10(C)2(D)5
17.一直导体放在磁场中,并与磁力线垂直,当导体运动的方向与磁力线方向成(A)夹角时导体中产生的电动势最大。
(A)90°(B)30°(C)45°(D)0°
18.互感器线圈的极性一般根据(D)来判定。
(A)右手定则(B)左手定则(C)楞次定律(D)同名端
19.在线圈中的电流变化率一定的情况下,自感系数在,说明线圈的(D)。
(A)电流(B)电压(C)电阻(D)自感电动势
20.自感电动势的方向应由(B)确定。
(A)欧姆定律(B)楞次定律(C)焦耳定律(D)电磁感应定律
21.如图所示直流电路中I1为(D)。
(A)11(B)-5
(C)15(D)5
22.使用JSS-4A型晶体三极管测试仪时,在电源开关未接通前,将(C)。
(A)“VC调节”旋至最大,“IC调节”旋至最小
(B)“VC调节”旋至最小,“IC调节”旋至最大
(C)“VC调节”旋至最小,“IC调节”旋至最小
(D)“VC调节”旋至最大,“IC调节”旋至最大
23.JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪的偏压源部分有(B)的输出电压,供被测管偏压使用。
(A)1V和10V(B)10V和30V
(C)30V和60V(D)60V和100V
24.用晶体管图示仪观察二极管正向特性时,应将(A)。
(A)X轴作用开关置于集电极电压,Y轴作用开关置于集电极电流
(B)X轴作用开关置于集电极电压,Y轴作用开关置于基极电流
(C)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于基极电流
(D)X轴作用开关置于基极电压,Y轴作用开关置于集电极电流
25.JSS-4型晶体三极管测试仪是测量中小型功率晶体三极管在低频状态下的h参数和(C)的常用仪器。
(A)击穿电压(B)耗散功率(C)饱和电流(D)频率特性
26.JSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的直流放大器采用了(C)放大器。
(A)交流(B)脉冲(C)差动(D)功率
27.示波器面板上的“辉度”是调节(A)的电位器旋钮。
(A)控制栅极负电压(B)控制栅极正电压
(C)阴极负电压(D)阴极正电压
28.示波器面板上的“聚焦”是调节(C)的电位器旋钮。
(A)控制栅极正电压(B)控制栅极负电压
(C)第一阳极正电压(D)第二阳极负电压
29.使用SR-8型示波器时,如果找不到光点,可调整(D)借以区别光点的位置。
(A)X轴位移(B)Y轴位移(C)辉度(D)寻迹
30.SR-8型双踪示波器中的电子开关有(D)个工作状态。
(A)2(B)3(C)4(D)5
31.双踪示波器的示波管中装有(A)偏转系统。
(A)一个电子枪和一套(B)一个电子枪和两套
(C)两个电子枪和一套(D)两个电子枪和两套
32.用SR-8型双踪示波器观察直流信号波形时,应将“触发耦合方式”开关置于(C)位置。
(A)AC(B)AC(H)(C)DC(D)任意
33.JT-1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是(B)伏。
(A)100(B)200(C)500(D)1000
34.使用SBT-5型同步示波器观察宽度为50微秒、重复频率为5000赫兹的矩形脉冲,当扫描时间置于10微秒档(扫描微调置于校正)时,屏幕上呈现(A)。
(A)约5厘米宽度的单个脉冲(B)约10厘米宽度的单个脉冲
(C)约5厘米宽度的两个脉冲(D)约10厘米宽度的两个脉冲
35.SBT-5型同步示波器中采用了( B )扫描。
(A)连续(B)触发(C)断续(D)隔行
36.示波器中的示波管采用的屏蔽罩一般用(D)制成。
(A)铜(B)铁(C)塑料(D)坡莫合金
37.使用SB-10型普通示波器观察信号时,欲使显示波形稳定,可以调节(B)旋钮。
(A)聚集(B)整步增幅(C)辅助聚焦(D)辉度
38.在SBT-5型同步示波器使用的过程中,希望荧光屏上波形的幅度不大于(D)厘米。
(A)1(B)2(5)5(D)8
39.观察持续时间很短的脉冲时,最好用(C)示波器。
(A)普通(B)双踪(C)同步(D)双线
40.SR-8型双踪示波器中的“DC-⊥-AC”是被测信号馈至示波器输入端耦合方式的选择开关,当此开关置于“⊥”档时,表示(A)。
(A)输入端接地(B)仪表应垂直放置
(C)输入端能通直流(D)输入端能通交流
41.SR-8型双踪示波器中的电子枪开关处在“交替”状态时,适合于显示(B)的信号波形。
(A)两个频率较低(B)两个频率较高
(C)一个频率较低(D)一个频率较高
42.使用示波器观察信号波形时,一般将被测信号接入(D)端钮。
(A)“Y轴输入”(B)“X轴输入”
(C)“Y轴输入”与“X轴输入”(D)“Y轴输入”与“接地”
43.示波器中扫描发生器实际上是一个(B)振荡器。
(A)正弦波(B)多谐振荡器(C)电容三点式(D)电感三点式
44.SR-8型双踪示波器与普通示波器相比,主要是SR-8型双踪示波器有(A)。
(A)两个Y轴通道和增加了电子开关(B)两个X轴通道和增加了电子开关
(C)一个Y轴通道和一个X轴通道(D)两个Y轴通道和两个X轴通道
45.TSS-4A型晶体三极管h参数测试仪中的偏流源部分有(B)档输出且连续可调,给被测管提供偏流。
(A)一(B)二(C)三(D)四
46.JT-1型晶体管图示仪“基极阶梯信号”中的串联电阻的作用是(C)。
(A)限制基极电流(B)将输入电流变化转化为电流变化
(C)将输入电压变化转化为电流变化(D)限制功耗
47.使用示波器之前,宜将“Y轴衰减”置于(A),然后视所显示波形的大小和需要再适当调节。
(A)最大(B)最小(C)正中(D)任意档
48.电感为0.1H的线圈,当其中电流在0.5秒内从10A变化到6A时,线圈上所产生电动势的绝对值为()。
(A)4V(B)0.4V(C)0.8V(D)8V
49.JT-1型晶体管特性图示仪测试台上的“测试选择”开关是用于改变(C)。
(A)被测管的类型(B)被测管的接地形式
(C)被测管A或B(D)被测管耐压
50.晶体管特性图示仪(JT-1)示波管X偏转板上施加的电压波形是(B)。
(A)锯齿波(B)正弦半波(C)阶梯波(D)尖脉冲
51.使用示波器时,要使圆光点居于屏幕正中,应调节(D)旋钮。
(A)“Y轴衰减”与“X轴位移”(B)“Y轴位移”与“X轴衰减”
(C)“Y轴衰减”与“X轴衰减”(D)“Y轴位移”与“X轴位移”
52.用信号发生器与示波器配合观测放大电路的小型时,为了避免不必要的机壳间的感应和干扰,必须将所有仪器的接地端(A)。
(A)连接在一起(B)加以绝缘隔离
(C)悬空(D)分别接地
模拟、数字电子技术部分
1.在实际调整模拟放大电路的静态工作点时,一般是以(B)为准。
(A)Ib(B)Ic(C)Uce(D)Ube
2.低频信号发生器的振荡电路一般采用的是(D)振荡电路。
(A)电感三点式(B)电容三点式(C)石英晶体(D)RC
3.在工业生产中,若需要低压大电流可控整流装置,常采用(D)可控整流电路。
(A)三相半波(B)三相全波
(C)三相桥式(D)带平衡电抗器的双反星形
4.在运算电路中,集成运算放大器工作在线性区域,因而要引入(B),利用反馈网络实现各种数学运算。
(A)深度正反馈(B)深度负反馈
(C)浅度正反馈(D)浅度负反馈
5.一般要求模拟放大电路的输入电阻(A)。
(A)大些好,输出电阻小些好(B)小些好,输出电阻大些好
(C)和输出电阻都大些好(D)和输出电阻都小些好
6.在模拟放大电路中,集电极负载电阻Rc的作用是(C)。
(A)限流(B)减小放大电路的失真
(C)把三极管的电流放大作用转变为电压放大作用
(D)把三极管的电压放大作用转变为电流放大作用
7.串联型稳压电路中的调整管工作在(A)状态。
(A)放大(B)截止(C)饱和(D)任意
8.在三相半控桥式整流电路中,要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为(B)。
(A)60°(B)120°(C)150°(D)180°
9.电子设备的输入电路与输出电路尽量不要靠近,以免发生(C)。
(A)短路(B)击穿(C)自激振荡(D)人身事故
10.在共发射极放大电路中,计算静态工作点的常用方法(C)。
(A)直接分析法(B)图形分析法
(C)近似估算法(D)正交分析法
11.在多级放大电路的级间耦合中,低频电压放大电路主要采用(A)耦合方式。
(A)阻容(B)直接(C)变压器(D)电感
12.影响放大电路静态工作点稳定的主要因素是(D)。
(A)三极管的β值(B)三极管的穿透电流
(C)放大信号的频率(D)工作环境的温度
13.电容三点式正弦波振荡器属于(B)振荡电路。
(A)RC(B)LC(C)RL(D)石英晶体
14.直流差动放大电路可以(B)。
(A)放大共模信号,抑制差模信号(B)放大差模信号,抑制共模信号
(C)放大差模和共模信号(D)抑制差模和共模信号
15.集成运算放大器是一种具有(C)耦合放大器。
(A)高放大倍数的阻容(B)低放大倍数的阻容
(C)高放大倍数的直接(D)低放大倍数的直接
16.如右图运算放大器属于(C)。
(A)加法器
(B)乘法器
(C)微分器
(D)积分器
17.在硅稳压管稳压电路中,限流电阻R的作用是(B)。
(A)既限流又降压(B)既限流又调压
(C)既降压又调压(D)既调压又调流
18.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,(B)。
(A)存在直流磁化问题(B)不存在直流磁化问题
(C)存在直流磁滞损耗(D)不存在交流磁化问题
19.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,两组共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为(B)。
(A)60°(B)120°(C)150°(D)180°
20.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,两组三相半波电路是(A)工作的。
(A)同时并联(B)同时串联
(C)不能同时并联(D)不能同时串联
21.集成运放,其开环差模放大倍数Ad高,说明(D)。
(A)电压放大倍数高(B)电流放大倍数高
(C)功率放大倍数高(D)运算精度高
22.简单逆阻型晶闸管斩波器的调制方式是(C)。
(A)定频调宽(B)定宽调频
(C)可以人为地选择(D)调宽调频
23.晶闸管逆变器输出交流电的频率由(D)决定。
(A)一组晶闸管的导通时间(B两组晶闸管的导通时间
(C)一组晶闸管的触发脉冲频率(D)两组晶闸管的触发脉冲频率
24.在简单逆阻型晶闸管斩波器中,(D)晶闸管。
(A)只有一只(B)有两只主
(C)有两只辅助(D)有一只主晶闸管,一只辅助
25.在并联谐振式晶闸管逆变器中,为求得较高的功率因数和效率,应使晶闸管触发脉冲的频率(C)负载电路的谐振频率。
(A)远大于(B)大于(C)接近于(D)小于
26.电力场效应管MOSFET是理想的(A)控制器件。
(A)电压(B)电流(C)电阻(D)功率
27.在斩波器中,作为主开关器件,若用晶闸管代替电力晶体管,则会(C)。
(A)减小体积(B)减轻重量(C)增加损耗(D)降低损耗
28.在电力电子装置中,电力晶体管一般工作在(D)状态。
(A)放大(B)截止(C)饱和(D)开关
29.绝缘栅双极晶体管内部为(D)层结构。
(A)1(B)2(C)3(D)4
30.电力晶体管GTR有(B)个PN结。
(A)1(B)2(C)3(D)4
31.绝缘栅双极晶体管(A)。
(A)不必有专门的强迫换流(B)可以有专门的强迫换流
(C)必须有专门的强迫换压(D)可以有专门的强迫换压
32.要使绝缘栅双极晶体管导通,应(A)。
(A)在栅极加正电压(B)在集电极加正电压
(C)在栅极加负电压(D)在集电极加负电压
33.电力场效应管MOSFET是(B)器件。
(A)双极型(B)多数载流子(C)少数载流子(D)无载流子
34.逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用(D)。
(A)晶闸管(B)电力晶体管
(C)可关断晶闸管(D)电力场效应管
35.电力晶体管GTR有(B)个PN结。
(A)1(B)2(C)3(D)4
36.电力晶体管的开关频率(B)电力场效应管。
(A)稍高于(B)低于(C)远高于(D)等于
37.电力场效应管MOSFET适合于(C[应为A])容量的设备。
(A)高速大(B)低速大(C)高速小(D)低速小
38.电力晶体管在使用时,要防止(A)。
(A)二次击穿(B)静电击穿
(C)时间久而失效(D)工作在开关状态
39.绝缘栅双极晶体管的开关速度(B)电力场效应管。
(A)稍高于(B)低于(C)等于(D)远大于
40.在大容量三相逆变器中,开关元件一般不采用(B)。
(A)晶闸管(B)绝缘栅双极晶体管
(C)可判断晶闸管(D)电力晶体管
41.电力场效应管MOSFET(B)现象。
(A)有二次击穿(B)无二次击穿
(C)防止二次击穿(D)无静电击穿
42.在晶闸管斩波器中,保持晶闸管触发频率不变。
改变晶闸管导通的时间从而改变直流平均电压值的控制方式叫(A)。
(A)定频调宽法(B)定宽调频法(C)定频定宽法(D)调宽调频法
43.绝缘栅双极晶体管属于(A)控制元件。
(A)电压(B)电流(C)功率(D)频率
44.绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由(C)来控制。
(A)栅极电流(B)发射极电流(C)栅极电压(D)发射极电压
45.电力晶体管GTR内部电流是由(C)形成的。
(A)电子(B)空穴(C)电子和空穴(D)有电子但无空穴
46.斩波器也可称为(C)变换。
(A)AC/DC(B)AC/AC(C)DC/DC(D)DC/AC
47.TTL与非门输入端全部接高电平时,输出为(B)。
(A)零电平(B)低电平
(C)高电平(D)可能是低电平,也可能是高电平
48.或非门RS触发器的触发信号为(B)。
(A)正弦波(B)正脉冲(C)锯齿波(D)负脉冲
49.多谐振荡器(D)。
(A)有一个稳态(B)有两个稳态
(C)没有稳态,有一个暂稳态(D)没有稳态,有两个暂稳态
50.数码寄存器的功能主要是(B)。
(A)产生CP脉冲(B)寄存数码
(C)寄存数码和移位(D)移位
51.TTL与非门的门槛电压在理论上等于(D)。
(A)0.3V(B)0.5V(C)0.7V(D)1.4V
52.由基本RS触发器组成的数码寄存器清零时,需在触发器(B)。
(A)
端加一个正脉冲(B)
端加一个负脉冲
(C)
端加一个正脉冲(D)
端加一个负脉冲
53.(C)电路的逻辑表达式为Y=
。
(A)与门(B)或门(C)与非门(D)或非门
54(B)电路的逻辑表达式是Y=A+B。
(A)与门(B)或门(C)与非门(D)或非门
55如果需要寄存两位二进制数码,需要(B)个触发器。
(A)1(B)2(C)3(4)4
56.一个发光二极管显示“7”,实际显示“1”,则故障段应以应为(A)。
(A)a(B)b(C)d(D)f
57.将十进制59转换为二进制是(A)。
(A)00111011(B)00111101(C)01001111(D)00100111
58.将二进制00111011转换为十六进制数是(D)。
(A)2AH(B)3AH(C)2BH(D)3BH
59.TTL与非门RC环形多谐振荡器的振荡频率由(D)决定。
(A)TTL与非门的个数(B)电阻R的大小
(C)电容C的容量(D)RC
60.一个异步三位二进制加法计数器,当第8个脉冲过后,计数器状态变为(A)。
(A)000(B)010(C)110(D)101
61.一个异步三位二进制加法计数器,当第4个脉冲过后,计数器状态变为(C)。
(A)000(B)010(C)100(D)101
61.寄存器主要由(D)组成。
(A)触发器(B)门电路
(C)多谐振荡器(D)触发器和门电路
62.最常用的显示器件是(B)数码显示器。
(A)五段(B)七段(C)九段(D)十一段
63.与非门的逻辑功能为(C)。
(A)入0出0,全1出1(B)入1出0,全0出0
(C)入0出1,全1出0(