模拟ic版图设计实验讲义.docx
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模拟ic版图设计实验讲义
1、开机后，修改系统时间为当前时间。
2、启动虚拟机程序
3、进入虚拟机主界面，选择file——open
4、找到cadence径向文件
5、单击如图按钮
6、进入如下图界面，同时按下ctrl，Alt和回车键，全屏显示，用户名：
jcdl或lxb密码：
123456
7、输入用户名和密码，回车后，进入以下界面。
8、在桌面右键，选择第一个选项openterminal，启动命令行格式
9、cd回车，确保最根目录下，输入icfb回车
10、启动cadence，选择tools——librarymanager
11、进入下图界面
12、新建一个库。
13、取名：
new，然后点击ok按钮
14、选择第二项，Attachtoaexistingtechfile，然后点击ok按钮。
15、在TechnologyLibrary中选择csmc05v2,然后点击ok按钮。
16、选中新建的库new。
17、在new中建新的cell。
18、给新的cell取名123，点击ok。
19、出现绘制电路原理图窗口，点击一个按钮，chechandsave，然后关闭
20、在cell和view中分别显示刚刚建好的cell，以及电路原理图。
21、在选中new的情况下，再重复16的操作。
22、在cellname中，要取相同的名字。
23、出现undefinespacdets对话框，点yes.
24、出现版图输入界面，点击第一个save按钮，然后关闭。
25、返回桌面，双击jcdl’shome文件夹——进入lianxi文件夹，将其中的dracula文件夹和display.drf文件拷贝到new文件下。
26、除了命令行窗口，将所有其它窗口均关闭。
27、进入到新库new中，然后启动cadence。
28、在tools中选择librarymanager.
29、在出现的窗口中选择new——123——layout或schematic，就可以进行版图和电路原理图的输入和编辑了。
CADENCE：
在Cadence里画电路图：
按快捷键i，Browse，在analoglib中选PMOS4和NMOS4（四端器件，实际应用）c，r，vcc或gnd，再选择symbol，将器件放到图上，选中元件后，按M再按F3，可改变元件的方向。
然后按q可以修改长宽比。
[和]为放大缩小。
在Cadence里画版图:
版图里K是尺子，shift+K可清除尺子。
Ctrl+z和shift+z为放大缩小，按ctrl+x为适当屏显。
选择LSW里的objects，然后按r画矩形，按p画多边形。
画多边形过程中可按F3修改线宽和固定线宽。
按O是放置过孔，按shift+f和ctrl+f可改变过孔的显示方式。
在Cadence里画版图：
（注意高压管和低压管画法不同，高压稍麻烦一些）
TB表示N-Well，P管的N阱。
TO表示Active，P和N管的有源区。
GT表示Poly1，栅和多晶互连。
SN表示N+implantarea，定义N管区域或连接N阱。
SP表示P+implantarea，定义P管区域或连接P衬底。
PC表示Poly2，多晶互连、多晶电阻多晶电容的上部电极。
Al表示Metal1，第一层金属互连，尽可能作为本地互连。
A2表示Metal2，第二层金属互连。
RES-MARK表示电阻区。
IM表示HighResistor，低掺杂高阻区域。
CAP-MARK表示电容区。
HV表示HVOX，高压管防止栅氧刻蚀。
PG表示P-offset，高压P管定义P失调注入区域。
NG表示N-offset，高压N管定义N失调注入区域。
版图里的Label必须用A1text，字母大写，且必须放在金属1上。
连接（过孔）类型：
LVTO-M1：
有缘（扩散）区和金属1过孔。
POLY1_M1：
多晶与金属1过孔。
M1_M2：
金属1与金属2的过孔。
POLY2RES_M1：
多晶2（电阻）与金属1过孔。
POLY2CAP_M1：
多晶2（电容）与金属1过孔。
保护环：
内层保护环：
由SP、TO、A1、LVTO-M1构成，连接至GND（最低电位）。
外层保护环：
由TB、SN、TO、A1、LVTO-M1构成，连接至VCC（最高电位）。
高压管画法见下图：
TO
SP
PG
SN
HV
TB
高压P管
SN
TO
NG
SP
PX（虚拟P阱）
HV
高压N管
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