光电传感器应用技术 课件第1章 第2节重点.docx

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光电传感器应用技术课件第1章第2节重点

•3.激子吸收当入射到本征半导体上的光子能量hv小于Eg，或入射到杂质半导体上的光子能量hv小于杂质电离能（ΔED或ΔEA）时，电子不产生能带间的跃迁成为自由载流子，仍受原来束缚电荷的约束而处于受激状态。

这种处于受激状态的电子称为激子。

吸收光子能量产生激子的现象称为激子吸收。

显然，激子吸收不会改变半导体的导电特性。

4.自由载流子吸收对于一般半导体材料，当入射光子的频率不够高时，不足以引起电子产生能带间的跃迁或形成激子时，仍然存在着吸收，而且其强度随波长增大而增强。

这是由自由载流子在同一能带内的能级间的跃迁所引起的，称为自由载流子吸收。

自由载流子吸收不会改变半导体的导电特性。

5.晶格吸收晶格原子对远红外谱区的光子能量的吸收直接转变为晶格振动动能的增加，在宏观上表现为物体温度升高，引起物质的热敏效应。

以上五种吸收中，只有本征吸收和杂质吸收能够直接产生非平衡载流子，引起光电效应。

其他吸收都程度不同地把辐射能转换为热能，使器件温度升高，使热激发载流子运动的速度加快，而不会改变半导体的导电特性。