第四章镀铜.docx

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第四章镀铜

 第四章鍍銅 

4.1銅的性質

色澤：

玫瑰紅色 

原子量：

63.54

原子序：

29

電子組態：

1 

  S22S22P63d104S1

比重：

8.94

熔點：

1083℃ 

沸點：

2582℃ 

Brinell硬度43-103

電阻：

1.673lW-cm，20  ℃

抗拉強度：

220～420MPa

12.標準電位：

Cu++e-→Cu為＋0.52Ｖ；

   Cu++＋2e-→Cu為＋0.34V。

質軟而韌，延展性好，易塑  性加工

導電性及導熱性優良

良好的拋光性

易氧化，尤其是加熱更易氧  化，不能做防護性鍍層

會和空氣中的硫作用生成褐  色硫化銅

會和空氣中二氧化碳作用形  成銅錄

  會和空氣中氯形成氯化銅粉末 

  銅鍍層具有良好均勻性、緻密性、附著性及拋光性等所以 

  可做其他電鍍金屬之底鍍鍍層。

鍍層可做為防止滲碳氮化銅

唯一可實用於鋅鑄件電鍍打  底用

銅的來源充足

銅容易電鍍，容易控制

銅的電鍍量僅次於鎳

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4.2銅鍍液配方之種類

　　   可分為二大類：

1.酸性銅電鍍液：

　優點有：

成份簡單

毒性小，廢液處理容易

鍍浴安定，不需加熱

電流效率高

價廉、設備費低

高電流密度，生產速率高

 　缺點有：

鍍層結晶粗大

不能直接鍍在鋼鐵上

均一性差

2.氰化銅電鍍液配方：

  優點有：

鍍層細緻

均一性良好

可直接鍍在鋼鐵上

　缺點有：

毒性強，廢液處理麻煩

電流效率低

價格貴，設備費高

電流密度小，生產效率低

鍍液較不安定，需加熱

　 P.S 配合以上二種配方優點，一般採用氰化銅鍍液打底後，再         用酸性銅鍍液鍍銅，尤其是鍍層厚度需較厚的鍍件。

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4.3硫酸銅鍍浴（CopperSulfateBaths）

     硫酸銅鍍浴的配製（prepare）、操作（operate）及廢液處理都很經濟，可應用於印刷電路（printedcircuits）、電子（electronics）、印刷板（photogravure）、電鑄（electroforming）、裝飾（decorative）及塑膠電鍍（platingonplastics）。

     其化學成份簡單，含硫酸銅及硫酸，鍍液有良好導電性，均一性差但目前有特殊配方及添加劑可以改善。

鋼鐵鍍件必須先用氰化銅鍍浴先打底或用鎳先打底（strike），以避免置換鍍層（replacementdiposits）及低附著性形成。

     鋅鑄件及其他酸性敏感金屬要充份打底，以防止被硫酸浸蝕。

鍍浴都在室溫下操作，陽極必須高純度壓軋銅，沒有氧化物及磷化（0.02到0.08wt％P），陽極銅塊（copperanodenuggets）可裝入鈦籃（titaniumbaskets）使用，陽極必須加陽極袋（anodebag），陽極與陰極面積比應2：

1，其陽極與陰極電流效率可達100％，不電鍍時陽極銅要取出。

4.3.1硫酸銅鍍浴（standardacidcopperplating）

（1）一般性配方（generalformulation）：

      Coppersulfate195-248g/l 

　　　　Sulfuricacid30-75g/l 

　　　　Chloride50-120ppm 

　　　　Currentdensity20-100ASF 

（2）半光澤（semibrightplating）：

Clifton-Phillips配方

CopperSulfate248g/l 

   Sulfuricacid11g/l 

   Chloride50-120ppm 

   Thiourea0.00075g/l 

   Wettingagent0.2g/l 

 （3）光澤鍍洛（brightplating）：

beaver配方

Coppersulfate210g/l 

Sulfuric60g/l 

Chloride50-120ppm 

Thiourea0.1g/l 

Dextrin糊精0.01g/l 

（4）光澤電鍍（brightplating）：

Clifton-Phillips配方

Coppersulfate199g/l 

Sulfuricacid30g/l 

Chloride50-120ppm 

Thiourea0.375g/l 

Wolasses糖密0.75g/l 

4.3.2高均一性酸性銅鍍浴配方（HighThrowBath）

　　用於印刷電路，滾桶電鍍及其他需高均一性之電鍍應用。

Coppersulfate60-90g/l 

Sulfuricacid172-217g/l 

Chloride50-100ppm 

Proprietaryadditive專利商品添加劑　按指示量 

4.3.3酸性銅鍍浴之維護及控制

　　　（MaintenanceandControl）

1.組成：

硫酸銅是溶液中銅離子的來源，由於陰極及陽極

   電流效率正常情況接近100％，所以陽極銅補充銅離子

是相當安定的。

硫酸增進溶液導電度及減小陽極及陰極

的極化作用（polarization）並防止鹽類沈澱和提高均一性

（throwingpower）。

高均一性鍍浴中銅與硫酸比率要保持

1：

10。

硫酸含量超過11vol％則電流效率下降。

氯離

子在高均一性及光澤鍍浴中，可減少極化作用及消除高

電流密度之條紋沈積（striateddeposits）。

   #溫度：

太部份鍍浴在室溫下操作，如果溫度過低則電流

效率及電鍍範圍（platingrange）將會減少。

如果光澤性

不需要，則可將鍍浴溫度提升到50℃以提高電鍍範圍，應

用於電鑄（electroforming），印刷電路或印刷板等。

   #攪拌：

可用空氣、機械、溶液噴射（solutionjet）或移動鍍件

等方法攪拌，攪拌愈好則容許電流密度（allowablecurrent

density）愈大。

   #雜質:

有機雜質是酸性鍍浴最常見的、其來源有光澤劑

（brighteners）的分解生成物，槽襯、陽極袋未過濾

到物質、電鍍阻止物（stopoffs）、防銹物質（resists）及

酸和鹽之不純物。

鍍浴變綠色表示相當量之有機物

污染，必需用活性碳處理去除有機物雜質，有時過

氧化氫及過錳酸鉀（potassiumpermanganate）有助於活

性碳去除有機雜質，纖維過濾器（cellulosefilter）不能

被使用。

　 金屬雜質及其作用如下：

銻（antimony）：

10-80g/l，粗糙及脆化鍍層，加膠

（gelatin）或單檸酸（tannin）可抑制銻共同析出

（codeposition）。

砷（arsenic）20-100ppm：

同銻。

鉍（bismuth）：

同銻。

鎘（cadmium）＞500ppm：

會引起浸鍍沈積

（immersiondeposit）及陽極極化作用，能用氯子控制。

鎳＞1000ppm：

同鐵。

鐵＞1000ppm：

減低均一性及導電度。

錫500-1500ppm：

同鎘。

鋅＞500ppm：

同鎘。

4.3.4酸性銅鍍浴之故障及原因

 1.燒灼在高電流密度區：

銅含量太少

有機物污染

溫度太低

氯離子太少

攪拌不夠

2.失去光澤：

光澤劑太少

溫度太高

有機物污染

銅含量太少

低氯離子濃度

3.精糙鍍層：

固體粒子污染

陽極銅品質不佳

陽極袋破裂

氯離子含量不足

 4.針孔：

有機物污染

氯離子太少

陽極袋腐爛

5.電流太低：

有機物污染

氯含量太多

硫酸含量不夠

電流密度太小

添加劑不足

溫度過高

6.陽極極化作用：

錫、金污染

氯含量太多

溫度太低

硫酸含量過多

陽極銅品質不好

硫酸銅含量不足

4.3.5酸性銅鍍浴之添加劑

    有很多添加劑如膠、糊精、硫、界面活性劑、染料

    、尿素等，其主要目的有：

平滑鍍層

減少樹枝狀結晶

提高電流密度

光澤

硬度改變

防止針孔

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4.4化鍍銅浴（CopperCyanideBaths）

氰化鍍銅帶給人體健康危害及廢物處理問題，在厚鍍層

已減少使用但在打底電鍍仍大量使用。

氰化鍍銅鍍浴之

化學組成最重要的是自由氰化物（freecyanide）及全氰

化物（totalcyanide）含量，其計算方程式如下：

K2Cu（CN）3全氰化鉀量＝氰化亞銅需要量×1.45＋自由氰化鉀需要量 

K2Cu（CN）3全氰化鈉量＝氰化亞銅需要量×1.1＋自由氰化鈉需要量 

例:

鍍浴需2.0g/l的氰亞化銅及0.5g/l自由氰化鉀，求需多少氰化鉀？

解　需氰化鉀量＝2.0×1.45＋0.5＝3.4g/l  

陽極銅須用沒有氧化物之純銅，它可以銅板或銅塊裝入鋼籃 

內須陽極袋包住。

鋼陽極板用來調節銅的含量。

陰極與陽極面積比應1：

1勤1：

2。

4.4.1化銅低濃度浴配方（打底鍍浴配方）

氰化亞銅（coprouscyanide）CuCN20g/l 

　　　　氰化鈉（sodiumcyanide）NaCN30g/l 

　　　　碳酸鈉（sodiumcarbonate）Na2CO315g/l 

　　　　pH值11.5 

　　　　溫度40℃ 

　　　　電流效率30～60％ 

　　　　電流密度0.5～1A/cm2 

4.4.2　化銅中濃度浴配方

氰化亞銅（coprouscyanide）CuCN60g/l 

　　　　氰化鈉（sodiumcyanide）NaCN70g/l 

　　　　苛性鈉（sodiumhydroxide）NaOH10～20g/l 

　　　　自由氰化鈉（freecyanide）5～15g/l 

　　　　pH值12.4 

　　　　溫度60～70℃ 

　　　　電流密度1～2A/dm2 

　　　　電流效率80～90％ 

4.4.3氰化銅高濃度浴配方

氰化亞銅CuCN120g/l 

　　　　氰化鈉NaCN135g/l 

　　　　苛性鈉NaOH42g/l 

　　　　光澤劑Brightener15g/l 

　　　　自由氰化鈉freesodiumcyanide）3.75～  

       11.25g/l 

　　　　pH值12.4～12.6 

　　　　溫度78～85℃ 

　　　　電流密度1.2～11A/dm2 

　　　　電流效率90～99％ 

4.4.4氰化鍍銅全鉀浴配方

氰化亞銅CuCN60g/l 

　　　　氰化鉀KCN94g/l 

　　　　碳酸鉀15g/l 

　　　　氫氧化鉀KOH40g/l 

　　　　自由氰化鉀5～15g/l 

　　　　pH值＜13 

　　　　浴溫78～85℃ 

　　　　電流密度3～7A/dm2 

　　　　電流效率95％ 

4.4.5化鍍銅全鉀浴之優點之缺點

高電流密度也可得光澤   鍍層

導電度高

光澤範圍廣

帶出損失量少

光澤好

藥品較貴

平滑作用佳

4.4.6酒石酸鉀鈉氰化鍍銅浴配方

（RochellecyanideBuths） 

　　　　氰化亞銅CuCN26g/l 

　　　　氰化鈉NaCN35g/l 

　　　　碳酸鈉Na2CO330g/l 

　　　　酒石酸鉀鈉NaKC4H4O6‧6H2O45g/l 

　　　　自由氰化納5～10g/l 

　　　　pH值12.4～12.8 

　　　　浴溫60～70℃ 

　　　　電流密度1.5～6A/d㎡ 

　　　　電流效率50～70％ 

4.4.7化鍍銅浴各成份的作用及影響

1.主鹽：

NaCu（CN）2和Na2Cu（CN）3二種形式存在，其作用有：

CuCN＋NaCN＝NaCu（CN）2CuCN＋2NaCN＝Na2Cu（CN）3Na2Cu（CN）3?

2Na+（aq）+Cu（CN）3-（aq）Na2Cu（CN）3?

2Na+（aq）+Cu（CN）3-（aq）Cu（CN）3-?

Cu++3CN-Cu（CN）2-?

Cu++2CN- 

由於銅的錯離子Cu（CN）2-及Cu（CN）3-的電離常數非常小，使陰

極之極化作用很大，使銅不易置換析出，所以可直接在鋼鐵上鍍銅，但

使電流效率降低，有氫氣產生，電鍍產量降低。

主鹽對陰極極化作用影

響很大，主鹽濃度提高則可降低陰極極化作用，幫助陽極溶解，防止陽

極鈍態形成。

2.自由氰化物，NaCN，KCN，幫助陽極溶解，防止錯鹽沈澱，

安定鍍浴。

含量太多會加深極化作用產生大量氫氣使電流效率降低。

3.碳酸鈉，防止氰化鈉水解，降低陽極極化作用，幫助陽極溶解。

4.苛性鈉，降低氫離子濃度，增加導電度，提高電流效率及使用的電

流密度。

5.酒石酸鉀鈉，可提高陽極鈍化開始的電流密度。

6.亞硫酸鹽或次亞硫酸鹽，可防止氰化鈉與空氣中的氧作用而分解，

穩定亞銅離子Cu並有光澤作用，但含量過多則生成硫化銅，使鍍層

變脆變黑。

7.鉛雜質，少量時使鍍層變亮，超過0.002g/l則變脆。

8.銀雜質，使結晶粗大，含量大於0.005g/l時鍍層呈海綿狀和樹枝狀結          晶。

9.有機物雜質會使鍍層不均勻，變暗色，精糙或針孔，陽極亦會被極

10.化，通常以活性碳處理去除之。

10.六價鉻雜質會使低電流密度區的鍍層起泡或不均勻，防止六價鉻的

   危害的最好方法是阻止它的來源或者用一些專利還元劑加以還元成

   三價鉻。

11.鋅雜質，會使鍍層不均勻及黃銅顏色出現，可用低電流密度

   （0.2～0.4A/d㎡）電解去除。

12.硫及硫化合物，使鍍層變暗色，在低電流密度區出現紅色鍍層，

   此現象在新的鍍浴容易發生，其原因是不純的氰化物及槽襯。

13.其他金屬雜質會使鍍層粗糙，可用過濾或弱電鍍去除之。

14.碳酸鈉可用冷凍方沈澱去除之，或用氧化鈣、氫氧化鈣、硫酸

   沈澱去除之。

4.4.8化鍍銅浴之配製

（1）用冷水溶解所需之氰化鈉。

2.將所需之氰化亞銅緩慢加入氰化鈉水溶解中，此過程為放熱

   反應，不能過度加熱。

（2）加入其他添加劑，攪拌均勻，取樣分析。

（3）根據分析結果，補充和校正各成份。

（4）低電流密度下弱電解去除雜質約數小時。

4.4.9化鍍銅之缺陷及其原因

1.鍍層呈暗紅色，發黑，氫氧劇烈析出，其原因為：

電流密度太高

浴溫太低

銅鹽太少

氰化砷太多

2.鍍層不均勻，有些沒鍍上，其原因為：

裝掛不當

電流太小

氰化物太多

3.鍍層起泡、起皮、附著性不佳，其原因有：

表面前處理不完全，有油    膜，氧化物膜

浴溫太低

電流太大

4.鍍層有白色膜層，出現藍色結晶、電鍍液變藍色，其原因有：

陽極面積小

酒石酸鉀鈉不足

氰化鈉不足

4.4.10化滾桶鍍銅配方

（1）　

       氰化鈉NaCN65～89g/l 

　　　　氰化亞銅CuCN45～60g/l 

　　   碳酸鈉Na2CO315g/l 

　　　　氫氧化鈉NaOH7.5～22.5g/l 

　　　　酒石酸鉀鈉（rochellesalt）45g/l 

　　　　自由氰化鈉15～22.5g/l 

　　　　浴溫60～70℃ 

（2）全鉀浴

氰化鉀KCN80～110g/l 

　　　　氰化亞銅CuCN45～60g/l 

　　　　碳酸鉀K2CO315g/l 

　　　　氫氧化鉀KOH7.5～22.5g/l 

　　　　酒石酸鈉鉀（rochellesalt）45g/l 

　　　　自由氰化鈉12～22.5g/l 

　　　　浴溫60～70℃ 

4.4.11光澤氰化鍍銅

1.添加光澤劑：

（1）鉛：

用碳酸鉛或醋酸鉛溶於水0.015～0.03g/l

（2）硫代硫酸鈉：

用海波溶於水1.9～2g/l

　（3）硫：

用硫溶於水0.1～0.5g/l

　（4）砷：

用亞砷酸溶於NaOH0.05～0.1g/l

　（5）：

用亞酸溶於NaOH1～1.5g/l

　（6）硫氰化鉀：

硫氰化鉀溶於水3～10g/l

2.用電流波形

（1）PR電流：

　　a.平滑化：

陰極35秒，陽極15秒。

　　b.光澤化：

陰極15秒，陽極5秒。

（2）交直流合用：

　　a.平滑化：

直流25秒，交流10秒。

　　b.光澤化：

直流20秒，交流6秒，交流之週期為1.25～10cycle。

　（3）直流中斷：

瞬間中斷電流再行恢復電流。

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4.5焦磷酸銅鍍浴

　 它需較多的控制及維護，但溶液較氰化銅鍍浴毒性小，其主要應

用在印刷電路塑膠電鍍及電鑄。

鋼鐵及鋅鑄件會產生置換鍍層，附著

性不良，必須先用氰化鍍銅浴或P2O7Cu為10：

1之低焦磷酸銅

鍍浴先打底（strike）。

4.5.1焦磷酸銅打底鍍浴配方（StrikeBath）

　焦磷酸銅鹽Cu2P2O7‧3H2O25～30g/l 

　　　焦磷酸鉀K2P2O795.7～176g/l 

　　　醋酸鉀potassiumnitrate1.5～3g/l 

　　　氫氧化銨AmmoniumHydroxide1/2～1ml/l 

　　　pH值8～8.5 

　　　浴溫22～30℃ 

　　　電流密度0.6～1.5A/d㎡ 

　　　攪拌機械或空氣 

　　　過濾連續式 

　　　銅含量9～10.7g/l 

　　　焦磷酸鹽63～107g/l 

　　　P2O7/Cu比值7～10.1 

4.5.2　印刷電路鍍浴（PrintedCircuitBath）配方

 焦磷酸銅Cu2P2O7‧3H2O57.8～73.3g/l 

　　　焦磷酸鉀K2P2O7231～316.5g/l 

　　　醋酸鉀8.2～15.8g/l 

　　　氫氧化銨2.7～7.5m1/1 

　　　添加劑（改良鍍層延性及均一性）依指示量 

　　　pH值8～8.4 

　　　浴溫49～54 

　　　電流密度2.5～6A/d㎡ 

　　　攪拌機械式或空氣 

4.5.3　焦磷酸銅鍍浴之維護與控制

1.成份：

（1）氨水（ammonia），幫助陽極溶解，使結晶細緻，每天需補充蒸發損     失。

（2）醋酸鹽（nitrate），增加電流密度操作範圍及去除陰極極化作用。

　（3）pH值由焦磷酸或氫氧化鉀來調節控制。

2.溫度：

溫度超過60℃會使焦磷酸鹽水解成磷酸鹽（orthophosphate   ）。

3.攪拌：

需充足的攪拌，普通用空氣攪拌或機械式攪拌，也可用超音波  及溶液噴射方法。

4.雜質：

對有機物雜質很敏感如油及有機添加劑之分解物，會使鍍層變  暗色及不均勻，操作範圍變小氰化物及鉛雜質也會使鍍層不均勻及操  作範圍變小。

有機物雜質用活性碳處理。

處理前先加