2CW56硅稳压二极管伏安特性曲线.docx
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2CW56硅稳压二极管伏安特性曲线
实验原理
1、稳压二极管伏安特性描述
2CW56属硅半导体稳压二极管，其正向伏安特性类似于1N4007型二极管，其反向特性变化甚大。
当2CW56二端电压反向偏置，其电阻值很大，反向电流极小，据手册资料称其值≤0.5
。
随着反向偏置电压的进一步增加，大约到7－8.8V时，出现了反向击穿（有意参杂而成），产生雪崩效应，其电流迅速增加，电压稍许变化，将引起电流巨大变化。
只要在线路中，对“雪崩”产生的电流进行有效的限流措施，其电流有小许一些变化，二极管二端电压仍然是稳定的（变化很小）。
这就是稳压二极管的使用基础，其应用电路见图3－1。
图中，E—供电电源，如果二极管稳压值为7～8.8V，则要求E为10V左右；R—限流电阻，2CW56，工作电流选择8mA，考虑负载电流2mA，通过R的电流为10mA，计算R值：
R=
=
=200
C—电解电容，对稳压二极管产生的噪声进行平滑滤波。
VZ—稳压输出电压。
图3－1稳压二极管应用电路
2、实验设计
图3－2稳压二极管反向伏安特性测试电路
1）2CW56反向偏置0～7V左右时阻抗很大，拟采用电流表内接测试电路为宜；反向偏置电压进入击穿段，稳压二极管内阻较小（估计为R=8/0.008=1K
），这时拟采用电流表外接测试电路。
结合图3－1，测试电路图见图3－2。
实验过程
电源电压调至零，按图3－2接线，开始按电流表内接法，将电压表＋端接于电流表＋端；变阻器旋到1100
后，慢慢增加电源电压，记下电压表对应数据。
当观察到电流开始增加，并有迅速加快表现时，说明2CW56已开始进入反向击穿过程，这时将电流表改为外接式，按表3－1继续慢慢地将电源电压增加至10V。
为了继续增加2CW56工作电流，可以逐步地减少变阻器电阻，为了得到整数电流值，可以辅助微调电源电压。
数据记录
2CW56稳压二极管正向伏安特性
电流表内接法
U（V）
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.78
内接法I（mA）
0
0
0
0.01
0.07
0.17
0.3
0.63
0.9
11.9
17.3
电流表外接法
U（V）
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.55
0.6
0.65
0.7
0.75
0.76
外接法I（mA）
0
0
0
0.03
0.1
0.3
0.5
0.8
1.5
16.4
19.5
2CW56稳压二极管反向向伏安特性
电流表内接法
U（V）
0
2
4
6
7
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
7.95
内接法I（mA）
0
0
0
0.01
0.1
0.25
0.48
1.3
5.7
11.2
16.8
电流表外接法
U（V）
0
2
4
6
7
7.5
7.6
7.7
7.8
7.9
外接法I（mA）
0
0
0
0.02
0.2
0.5
1.2
5.5
9.4
17.9
图表
六、实验总结
当稳压二极管尚未反向击穿时其反向电阻很大，使用电流表内接法，电流表的内阻相对于稳压二极管而言，压降很小，可以忽略。
当稳压二极管反向击穿后其反向电阻很小，使用电流表外接法，电压表相对于稳压二极管而言，分流很小，可以忽略。
总之，二极管正向导通时电阻值很小，采用电流表外接法测试电路产生的误差较小，二极管反向导通时电阻值很大，采用电流表内接法测试电路产生的误差较小。
姓名：
姚春明
学号：
20150679
实验时间：
17周周五7、8节
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