中国场效应管市场发展研究报告.docx
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中国场效应管市场发展研究报告
第一章中国场效应管市场概述1
第一节产品市场定义1
第二节产品分类3
第三节市场特性4
一、所处生命周期4
二、该产品生产技术变革与产品革新5
第二章场效应管市场发展概况7
第一节国际市场发展概况7
一、本产品国际现状分析7
二、本产品主要国家和地区概况7
第二节2009年中国场效应管市场分析20
一、国内总体市场分析20
二、国内市场发展存在的问题24
第三章2009年中国场效应管市场供需调查分析25
第一节需求分析25
一、需求量及其增长分析25
二、需求地域结构分析26
三、产品结构分析26
四、客户调查分析28
第二节供给分析31
一、产量及其增长分析31
二、生产区域结构分析32
三、投资动态33
第三节供需平衡分析34
第四节上游原材料市场分析35
第四章国内场效应管进出口现状分析39
第一节我国出口及增长情况39
第二节主要海外市场分布情况40
第三节经营海外市场的主要品牌41
第四节进口分析42
第五章2009年中国场效应管市场竞争格局与企业竞争力评价44
第一节同类产品国内企业与品牌分析44
第二节同类产品竞争格局分析44
第三节同类产品竞争群组分析46
第四节同类产品市场分额分析48
第五节主力企业市场竞争力评价49
一、产品竞争力49
二、价格竞争力51
三、渠道竞争力51
四、销售竞争力53
五、服务竞争力54
六、品牌竞争力55
第六章国内市场产品价格分析56
第一节价格特征分析56
第二节主要品牌产品价位分析57
第三节竞争对手的价格策略57
第七章国内场效应管市场渠道分析60
第一节销售渠道形式60
第二节市场渠道结构60
第三节销售渠道要素对比61
第四节对竞争对手渠道的策略研究63
第五节各区域市场主要代理商情况64
第八章国内主要生产企业盈利能力比较分析66
第一节2006-2009年该产业利润总额分析66
一、2006-2009年行业利润总额分析66
二、不同规模企业的利润总额比较分析67
三、不同所有制企业的利润总额比较分析67
第二节2006-2009年该产业销售毛利率分析68
第三节2006-2009年该产业销售利润率分析69
第四节2006-2009年该产业总资产利润率分析70
第五节2006-2009年该产业净资产利润率分析71
第六节2006-2009年该产业产值利税率分析72
第九章国内前10家场效应管生产企业分析73
第一节无锡华润华晶微电子有限公司73
一、企业基本情况73
二、企业资产负债分析73
三、企业收入及利润分析74
第二节吉林华微电子股份有限公司75
一、企业基本情况75
二、企业资产负债分析75
三、企业收入及利润分析76
第三节杭州士兰微电子股份有限公司77
一、企业基本情况77
二、企业资产负债分析77
三、企业收入及利润分析78
第四节天津中环半导体股份有限公司79
一、企业基本情况79
二、企业资产负债分析79
三、企业收入及利润分析80
第五节江苏东光微电子股份有限公司81
一、企业基本情况81
二、企业资产负债分析81
三、企业收入及利润分析82
第六节江苏长电科技股份有限公司83
一、企业基本情况83
二、企业资产负债分析83
三、企业收入及利润分析84
第七节广东风华高新科技股份有限公司85
一、企业基本情况85
二、企业资产负债分析85
三、企业收入及利润分析86
第八节佛山市蓝箭电子有限公司87
一、企业基本情况87
二、企业资产负债分析87
三、企业收入及利润分析88
第九节宁波市明昕微电子股份有限公司89
一、企业基本情况89
二、企业资产负债分析89
三、企业收入及利润分析90
第十节无锡市新区海天微电子有限公司91
一、企业基本情况91
二、企业资产负债分析91
三、企业收入及利润分析92
第十章影响2010-2013年中国场效应管市场发展因素93
第一节有利因素93
第二节不利因素95
第十一章2010-2013年场效应管市场发展前景预测96
第一节国际市场发展前景预测96
第二节我国场效应管市场资源配置的前景96
第三节市场空间分析97
第四节市场中长期预测98
一、2010-2013年经济增长与该产品需求预测98
二、2010-2013年该产品总产量预测99
第五节2010-2013年中国场效应管市场发展趋势分析99
一、产品发展趋势99
二、价格变化趋势100
三、渠道发展趋势100
四、用户需求趋势101
五、服务发展趋势101
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第一章中国场效应管市场概述
第一节产品市场定义
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（108-109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
1、场效应管基本特点
场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有如下特点：
①场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
②场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。
③它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
④它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
⑤场效应管的抗辐射能力强；
⑥由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。
2、场效应管工作原理
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID"。
更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。
在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。
从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。
将这种状态称为夹断。
这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。
但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。
因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。
其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS（off），此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。
而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3、场效应管主要作用
①场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
②场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
③场效应管可以用作可变电阻。
④场效应管可以方便地用作恒流源。
⑤场效应管可以用作电子开关。
4、场效应管应用领域
场效应管是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。
在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。
但它还是非常娇贵的，虽然现在多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。
所以在应用中还是小心为妙。
第二节产品分类
场效应管分结型（JFET）、绝缘栅型（MOS）两大类。
按沟道材料，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式，可分为耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
1、结型场效应管（JFET）
①结型场效应管的分类：
结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：
栅极；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
②结型场效应管的工作原理（以N沟道结型场效应管为例），N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
2、绝缘栅场效应管（MOS管）
①绝缘栅场效应管的分类：
绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。
无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
②它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOS场效应管。
③绝缘栅型场效应管的工作原理（以N沟道增强型MOS场效应管）它是利用UGS来控制"感应电荷"的多少，以改变由这些"感应电荷"形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：
当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
第三节市场特性
一、所处生命周期
场效应管在发展的成长期。
在这个期间，我国的场效应管生产企业不多，绝大部分都在大力发展自主生产技术。
在发展期，新型企业的进入逐渐加大，来自外国品牌的竞争非常激烈，而行业逐渐形成品牌效应，产业整体的发展前景也很广阔。
场效应管行业产品生命周期简图
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二、该产品生产技术变革与产品革新
场效应管的独特而简单的作用原理赋予了场效应管许多优良的性能。
场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点，场效应管具有双向对称性，即场效应管的源和漏是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管根本不可能达到这一点。
其中，MOSFET是最重要的半导体器件之一，它已经被成功地应用在电路设计的各个领域。
以MOSFET为代表的CMOS工艺具有成本低、电路功耗小、集成度高等优点。
但是，随着CMOS工艺的进步，CMOS技术已进入了深亚微米乃至纳米时代，CMOS技术发展已经越来越接近基本的物理极限，因此有必要考虑CMOS发展的潜在能力，以及进入纳米范围CMOS器件的发展方向。
MOSFET是20世纪70年代问世的，是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件。
与BJT（双极型晶体管）不同，MOSFET可以做得更小，功率更低，制造工艺也相对更为简单，因此可以制造高密度超大规模集成（VLSI）电路和大容量存储器。
它的出现，导致了第二次电子革命，也由此产生了台式计算机和手持计算机。
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。
了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实现效率最大化。
经验证明，采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET，除简单地导通电阻上的差异之外，更重要的是，还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：
如高压功率MOSFET，其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET，其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET（如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm"LittleFoot"系列）。
另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
功率MOSFET主要用于计算机外设（软、硬驱动器、打印机、绘图机）、电源（AC／DC变换器、DC／DC变换器）、汽车电子、音响电路及仪器、仪表等领域。
第二章场效应管市场发展概况
第一节国际市场发展概况
一、本产品国际现状分析
由于世界市场的激烈竞争，各功率半导体器件制造商正投入大量资金发展新的设计、改进新的工艺、开发新的产品。
好些产品甚至每个季度都有新的发展，品种的更新换代几乎到了使人眼花缭乱的程度。
随着消费电子、计算机等领域的快速发展，对功率器件产品的需求也呈现快速增长的趋势，而产品的小型化也使得高可靠性、节能、高性能、小尺寸、符合RoHs指令成为功率器件未来的发展趋势。
封装工艺的提升则是提高MOSFET性能以及稳定性的有效途径。
随着市场上对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求的快速增加，全球主要MOSFET生产企业IR、安森美、英飞凌等都在不断通过提升封装工艺来改善器件散热水平。
MOSFET技术可大致分成平面型和沟槽型两大类。
对于低压MOSFET产品，沟槽MOSFET技术已被市场所接受，并成为市场的发展趋势。
在高压MOSFET市场上，平面技术仍具有一定的发展潜力。
未来，含有高端工艺的平面技术将是高压MOSFET的发展趋势之一。
二、本产品主要国家和地区概况
美国
美国威世集团（Vishay）
Vishay集团成立于1962年，总部位于美国宾西法尼亚州，48年中VISHAY通过科技创新及不断并购迅速发展成为世界最大的分立式半导体及无源器件制造商之一。
目前，Vishay在全球16个国家设有工厂，拥有超过25000名员工。
Vishay集团的无源器件包括电阻、无源传感器、电容、电感，半导体器件则包括二极管和各类晶体管、光电子产品、功率IC和模拟开关IC，产品被美国、欧洲和亚洲的许多制造商DELL，IBM，SONY，BENZ，FORD，NOKIA，GE，BOENG，MOTOROLA，HP，SAMSUNG，LOCKHEEDMARTIN广泛应用于计算机、电话、电视、汽车、家用器具、医疗仪器、卫星、军事/航空设备领域。
威世半导体（上海）有限公司是由美国威世集团投资的在华独资企业，公司正式成立于1996年6月28日，坐落于上海市闸北工业区江场西路501号。
公司自成立以来，规模日益扩大，主要产品有发光二极管、整流器、晶体管和光电藕合器等，客户涉及通讯、汽车、IT、航空等多种行业领域。
目前公司员工已超过500多人，具备资深的研发技术人员和生产管理队伍以及完善配套的质量服务。
美国万代半导体元件有限公司（AOS）
万代半导体元件有限公司AOS是一家集设计、开发和生产分立元件及模拟电源管理芯片于一体的、处于领先地位的半导体公司，主要提供功率MOSFET，电源IC和瞬态电压抑制器TVS，以满足当今先进的电子系统和消费类电子对于电源的复杂的要求。
公司致力于通过强硬的质量和优异的供货服务，为客户提供一站式的先进的电源解决方案。
1983年创立，公司位于美国加州硅谷，拥有BIPOLAR、CMOS、BIMOS等先进的工艺技术，具有产品设计开发，自动检测和生产能力。
初期主要从事代工服务业务。
1988年开始为OEM厂家设计定制产品，1994年拥有自己的产品--电源管理产品，如今已经拥有一系列属于自己的产品，成为高性能标准，半标准模拟和混合信号IC制造商。
产品主要运用于电源管理的领域，例如电脑、数码相机、LCD液晶显示器，手机，电池等。
万代是一家设计公司，与晶圆制造厂和封装厂紧密合作，将成为世界最大的电源功率半导体器件公司之一。
技术、管理和操作团队有着平均15年的经验，均来自于世界知名的公司。
为了实施其全球发展战略，2002年12月，万代半导体元件（上海）有限公司成立，并开始正式运营。
美国仙童半导体公司（Fairchild）
美国仙童半导体公司（FairchildSemiconductor，ThePowerFranchise）作为硅谷的创立者和世界上第一个晶体管与集成电路的发明者，是在1957年是由著名的仙童仪器科学家RobertNevce和GordonMoore创建的，著名的半导体公司Intel，AMD和NationalSemiconductor等就是从仙童半导体公司分离出来的。
美国仙童半导体公司（FairchildSemiconductor，ThePowerFranchise）是全球首屈一指针对多元终端市场提供高性能功率产品的供应商。
该公司锐意开发尖端的产品，以配合今日以至未来的电子器件对功率的最小化、转换、分配和管理的需要。
仙童的组件广为计算机、通信、消费、工业、自动汽车及航天等应用系统所采用。
美国仙童半导体从事设计、制造和推广功率半导体、模拟及混合信号、接口、逻辑及光电子产品的工作。
这些产品都是美国仙童半导体在美国缅因州南波特兰市、犹他州WestJordan、宾西法尼亚州Mountaintop、韩国富州市及新加坡的晶元厂所制造。
公司同时在菲律宾宿雾、马来西亚槟城及中国苏州设有组装及测试工厂。
仙童半导体总部在南波特兰市，制造半导体的历史，是全球最悠久的。
美国仙童半导体公司于2001年4月在苏州注册成立快捷半导体（苏州）有限公司，简称"快捷半导体"，首次投资总额为1亿美金，2004年7月增资至10亿美金，员工人数目前已达千余人，未来3年将达到3500人。
快捷半导体公司坐落于中国新加坡苏州工业园区首期开发区内苏桐路1号，是集团1997年重组后首家兴建的工厂，2003年6月开始正式大规模投产。
主要从事分立功率器件的封装和测试，产品类别达数千种，被广泛运用于微电子应用领域，包括汽车、通信、电脑、外围设备、工业及消费品应用。
并于2004年9月建成国际一流的自动化仓库，将成为美国仙童半导体公司在亚太地区重要的仓储配送中心。
美国仙童半导体公司一直把人才视为企业技术创新和发展的重要财富，在全球设立了六个技术创新中心（美国、德国、上海、深圳、台北、韩国）。
美国国际整流器公司（IR）
美国国际整流器公司（IR）是世界上最早从事功率半导体器件研制、开发和生产的企业，是该产品在全球范围的主要供应商，产品年销售额超过7亿美元。
它始终围绕功率半导体发展，从早期的硒整流器到后来的晶闸管，从发明MOSFET到生产HVIC，造就并迈入到今天的电源管理时代，是世界上惟一一家能够提供各类先进元件的厂商。
在全球15个国家拥有雇员6000名，为2001年美国《商业周刊》全球IT100强。
IR成立于1947年，是全球电源管理技术领袖，IR的模拟及混合信号集成电路，集成功率系统和组件广泛用于驱动高性能运算设备，以降低电机的能耗，是众多国际知名厂商开发下一代计算器，节能电器，照名设备，汽车，卫星，导航系统的电源管理基准。
2005年，经过对中国市场的周密考察和对陕西西安长安园综合投资环境的充分论证，该企业决定在西安高新技术产业开发区长安科技产业园光电子园征地103亩，独立出资6900万美元，建设半导体器件封装厂。
计划建设厂房18000平方米，辅助建筑6000平方米，建成后年产6亿支功率器件，80%将销往海外。
美国安森美半导体公司（ON）
美国安森美半导体公司（ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：
ONNN）拥有跨越全球的物流网络和强大的产品系列，是电源、汽车、通信、计算机、消费产品、医疗、工业、手机和军事/航空等市场客户之首选高能效电源解决方案供应商。
公司广泛的产品系列包括电源、模拟、数字信号处理器、混合信号、先进逻辑、时钟管理和标准元器件。
公司的全球总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯，并在北美、欧洲和亚太地区等关键市场运营包括制造厂、销售办事处和设计中心的强大网络。
欧洲
荷兰恩智浦半导体公司（NXP）
恩智浦半导体（NXP）前身为飞利浦半导体公司，NXP是业界最丰富的多重市场半导体产品的供应商之一，产品包含从基础器件到可提升媒体处理、无线连接与宽带通信等功能复杂的芯片等。
这些产品能够根据客户需求量身订制定制解决方案，也让最后的修改变得更加简单。
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）是全球前十大半导体公司，创立于2006年，先前由飞利浦于50多年前所创立。
公司总部位于荷兰Eindhoven，在全球20多个国家拥有37000名员工（欧洲37%、亚洲37%、大中国区21%、美洲5%），2007年公布的销售额达63亿美元。
恩智浦提供半导体、系统解决方案和软体，为手机、个人媒体播放器、电视、机上盒、辨识应用、汽车以及其他广泛的电子设备提供更优质的感官体验。
2006年11月16日NXP半导体正式宣布将以"恩智浦半导体"为其中文品牌名称，在大中华地区进行相关的市场营销与运营活动。
除原有的英文品牌名NXP之外，恩智浦半导体希望借此进一步其新品牌与大中华地区客户的沟通，进而提升品牌知名度。
目前，恩智浦约有35%的业务来自于大中华地区。
恩智浦（NXP）自2006年9月1日起，成为全球半导体市场的独立领导厂商之一。
恩智浦的产品技术与解决方案应用于以下五个市场领域：
汽车电子、智能识别、家庭娱乐、手机及个人移动通信以及多重市场半导体，进而建立各大市场中的领导地位。
意法半导体公司（ST）
意法半导体是世界第五大半导体公司，2009年全年收入85.1亿美元。
公司销售收入在半导体工业主要高速增长市场之间分布均衡（2009年目标市场收入占意法半导体销售收入的百分比：
通信（40%），消费（12%），计算机（13%），汽车（12%），工业（8%）及分销（15%））。
意法半导体在很多市场占据领先地位，是世界第一大专用模拟芯片和功率转换芯片制造商，世界第一大工业控制芯片、机顶盒芯片和便携设备及消费电子（包括游戏机和智能电话）用MEMS（微机电系统）芯片供应商。
意法半导体在车用集成电路（第三）和计算机外设（第三）等市场也位居世界前列，目前公司正在快速开拓整个MEMS（第五）市场。
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