半导体常用术语.docx
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半导体常用术语
Fab厂常用术语
somephrasesandwordsinFABcleanroomsystem
A.M.U原子质量数
ADIAfterdevelopinspection显影后检视
AEI蚀科后检查
Alignment排成一直线,对平
Alloy融合:
电压与电流成线性关系,降低接触的阻值
ARC:
anti-reflectcoating防反射层
ASHER:
一种干法刻蚀方式
ASI光阻去除后检查
Backside晶片背面
BacksideEtch背面蚀刻
Beam-Current电子束电流
BPSG:
含有硼磷的硅玻璃
Break中断,stepper机台内中途停止键
Cassette装晶片的晶舟
CD:
criticaldimension关键性尺寸
Chamber反应室
Chart图表
Childlot子批
Chip(die)晶粒
CMP化学机械研磨
Coater光阻覆盖(机台)
Coating涂布,光阻覆盖
ContactHole接触窗
ControlWafer控片
Criticallayer重要层
CVD化学气相淀积
Cycletime生产周期
Defect缺陷
DEP:
deposit淀积
Descum预处理
Developer显影液;显影(机台)
Development显影
DG:
dualgate双门
DIwater去离子水
Diffusion扩散
Doping掺杂
Dose剂量
Downgrade降级
DRC:
designrulecheck设计规则检查
DryClean干洗
Duedate交期
Dummywafer挡片
E/R:
etchrate蚀刻速率
EE设备工程师
EndPoint蚀刻终点
ESD:
electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤
ET:
etch蚀刻
Exhaust排气(将管路中的空气排除)
Exposure曝光
FAB工厂
FIB:
focusedionbeam聚焦离子束
FieldOxide场氧化层
Flatness平坦度
Focus焦距
Foundry代工
FSG:
含有氟的硅玻璃
Furnace炉管
GOI:
gateoxideintegrity门氧化层完整性
Hexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片,将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物,称
HCI:
hotcarrierinjection热载流子注入
HDP:
highdensityplasma高密度等离子体
High-Voltage高压
Hotbake烘烤
ID辨认,鉴定
Implant植入
Layer层次
LDD:
lightlydopeddrain轻掺杂漏
Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污
LOCOS:
localoxidationofsilicon局部氧化
Loop巡路
Lot批
Mask(reticle)光罩
Merge合并
MetalVia金属接触窗
MFG制造部
Mid-Current中电流
Module部门
NIT:
Si3N4氮化硅
Non-critical非重要
NP:
n-dopedplus(N+)N型重掺杂
NW:
n-dopedwellN阱
OD:
oxidedefinition定义氧化层
OM:
opticmicroscope光学显微镜
OOC超出控制界线
OOS超出规格界线
OverEtch过蚀刻
Overflow溢出
Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度
OX:
SiO2二氧化硅
P.R.Photoresisit光阻
P1:
poly多晶硅
PA;passivation钝化层
Parentlot母批
Particle含尘量/微尘粒子
PE:
1.processengineer;2.plasmaenhance1、工艺工程师2、等离子体增强
PH:
photo黄光或微影
Pilot实验的
Plasma电浆
Pod装晶舟与晶片的盒子
Polymer聚合物
PORProcessofrecord
PP:
p-dopedplus(P+)P型重掺杂
PR:
photoresist光阻
PVD物理气相淀积
PW:
p-dopedwellP阱
Queuetime等待时间
R/C:
runcard运作卡
Recipe程式
Release放行
Resistance电阻
Reticle光罩
RF射频
RM:
remove.消除
Rotation旋转
RTA:
rapidthermalanneal迅速热退火
RTP:
rapidthermalprocess迅速热处理
SA:
salicide硅化金属
SAB:
salicideblock硅化金属阻止区
SAC:
sacrificelayer牺牲层
Scratch刮伤
Selectivity选择比
SEM:
scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜
Slot槽位
Source-Head离子源
SPC制程统计管制
Spin旋转
SpinDry旋干
Sputter溅射
SRSirichoxide富氧硅
Stocker仓储
Stress内应力
STRIP:
一种湿法刻蚀方式
TEOS–(CH3CH2O)4Si四乙氧基硅烷/正硅酸四乙酯,常温下液态。
作LPCVD/PECVD生长SiO2的原料。
又指用TEOS生长得到的SiO2层。
Ti钛