元器件降额标准参考.docx

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元器件降额标准参考

元器件降额准则(参考件)

兀器件种类

降额参数

降额等级

I

n

集成

电路

模拟电路

放大器

电源电压

输入电压

输出电流

功率

最高结温(C)

80

95

105

比较器

电源电压

输入电压

输出电流

功率

最高结温(C)

80

95

105

电压调

整器

电源电压

输入电压

输出输入电压差

输出电流

功率

最高结温(C)

80

95

105

模拟开关

电源电压

输入电压

输出电流

功率

最高结温(C)

80

95

105

数各字电

双极型电

频率

输出电流

最高结温(C)

85

100

115

MOS型电

电源电压

输出电流

功率

最高结温(C)

85

100

115

混和集成电路

厚模集成电路(W/cm2)

薄模集成电路(W/cm2)

最高结温(C)

85

100

115

大规模集成电路

最高结温(C)

改进散热方式降低结温

分离

半导体器件

晶体管

方向

电压

般晶体吕

功率MOSFET的栅源电压

电流

功率

功率管安

全工作区

集电极一发射极电压

集电极最大允许电流

取冋纟□温

Tjm(C)

200

115

140

160

175

100

125

145

<150

Tjm-65

Tjm-40

Tjm-20

微波晶体管

最高结温

同晶体管

二极管(基准管除外)

电压(不适用于稳压管)

电流

功率

取咼结温

Tjm(C)

200

115

140

160

175

100

125

145

<150

Tjm-65

Tjm-40

Tjm-20

微波二极管

最高结温

同二极管

基准

圭二极管

可控

电压

硅/半

电流

导体

最高结温

Tjm(C)

200

115

140

160

光电

175

100

125

145

器件

<150

Tjm-65

Tjm-40

Tjm-20

合成

电压

型电

功率

阻器

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

薄膜

电压

型电

功率

固定

阻器

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

电阻

电阻

网络

电压

功率

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

电压

线绕

功率

精密型

电阻

功率型

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

非线

绕电

位器

电压

功率

合成、薄膜微调

电位

精密塑料型

不采用

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

线绕

电压

电位

功率

普诵型

非密封功率型

微调线绕型

环境温度

按元件负荷特性曲线降额

热敏电阻器

功率

最咼环境温度(C)

Tam-15

Tam-15

Tam-15

电容

固定玻璃釉型

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-10

Tam-10

Tam-10

固定云母型

直流工作电压

固^定厶母^型

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-10

Tam-10

Tam-10

固定陶瓷型

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-10

Tam-10

Tam-10

固定纸/塑料薄膜

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-10

Tam-10

Tam-10

电解

电容

铝电解

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-20

钽电解

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-20

Tam-20

Tam-20

微调电容器

直流工作电压

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-10

Tam-10

Tam-10

电感

兀件

热点温度Ths(C)(简写T)

T-40~25

T-25~10

T-15~0

工作电流

瞬间电压/电流

介质耐压

扼流圈工作电压

继电

连续

触点

电流

小功率负荷(v100mW)

不降额

电阻负载

电容负载(最大浪涌电流)

电感负载

电感额定电流的

电阻额定电流的

电机负载

电机额定电流的

电阻额定电流的

灯丝负载

灯泡额定电流的

电阻额定电流的

触点功率(用于舌簧水银式)

线圈吸合电压

最小维持电压

最小线圈电压

线圈释放电压

最大允许值

最小允许值

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-20

Tam-20

Tam-20

振动极限

工作寿命(循环次数)

开关

连续

触点

电流

小功率负荷(v100mW)

不降额

电阻负载

电容负载(电阻额定电流的)

电感负载

电感额定电流的

电阻额定电流的

电机负载

电机额定电流的

电阻额定电流的

灯丝负载

灯泡额定电流的

电阻额定电流的

触点电压

触点功率

连接

工作电压

工作电流

最高接触对额定温度Tm(C)

Tm-40

Tm-20

Tm-15

电机

最咼工作温度(C)

T-40

T-20

T-15

最低极限(C)

0

0

0

轴承载荷额定值

灯泡

白炽灯

工作电压(如可行)

氖/氩灯

工作电压(如可行)

电路断路器

电流

阻性负载

容性负载

感性负载

电机负载

灯丝负载

最咼额定环境温度Tam(C)

Tam-20

保险

电流额定值

>0.5A

<0.5A

T>25C时,增加降额1/C

晶体

最低温度(C)

Tl+10

Tl+10

Tl+10

最高温度(C)

Tu-10

Tu-10

Tu-10

微波

最咼额定环境温度(C)

Tam-20

Tam-20

Tam-20

输出功率

反射功率

占空比

声表面波器

输入功率(f>100MHz)

降低+10dBm

输入功率(fv100MHz=

降低+20dBm

纤维

光学

光纤光源

峰值光输出功率

(适用于ILD)

电流

(适用于ILD)

器件

结温

设法降低

光纤探测器

PIN反向压降

结温

设法降低

光纤

与光

温度

上限额定值—20;下限额定值+20

张力

光纤

耐拉试验的

光缆

拉伸额定值的

弯曲半径

最小允许值的

核辐射

按产品详细规范降额或加固

导线

与电

最大应用电压

最大绝缘电压规疋值的

最大应用电流(A)

线规Avg

30/28/26/24/2720/18/16

单根导线电流Isv

线规Avg

14/12/10/8/6/4

单根导线电流Isv

双极型数字电路降额准则

降额参数

降额等级

I

n

电源电容容限

±3%

±5%

见技术条件

频率

输出电流

最高结温(C)

85

100

115

HP电压降额标准

器件型号

正常状态

最差状态

电阻

峰值电压(%)

功率(%)

温度

峰值电压(%)

功率(%)

温度

碳膜、金属膜

50

50

PCB的

标准焊

接温度

85°

C

50

80

PCB的

标准焊

接温度

100°

C

100

Kohm

1/4W

1/2W

50

50

50

80

1W

40

50

40

80

100

Kohm

1/4W

80

50

80

80

1/2W

80

50

80

80

1W

80

60

80

80

2W

80

50

80

60

玻璃釉电阻

70

60

压敏电阻

80

50

80

80

不同功率下的峰值电压:

1/6W-200(150)V;1/4W-250V;1/2W-350V;1W-350V;2W-350V;

3W-500V;5W-500V

器件型号

Isteady(%)

Im(%)

Isteady(%)

Im(%)

NTC电阻

PTC电阻

80

80

电容

VDC

(%)

VCP

(%)

V

peak

(%)

Irms

(%)

IP-P

(%)

Tem

P

(%)

VDC

(%)

VCP

(%)

V

peak

(%)

Irms

(%)

IP-P

(%)

Tem

P

(%)

薄膜电容

85

85

PE

MPE

90

85

MPP

85

85

85

Ceramicfixed

陶瓷电容

75

80

90

90

Electrolytic

(85C2000h)

80

80

85

60

90

95

90

70

Electrolytic

(105°,2000h)

80

80

90

60

90

95

90

70

ComponentTyp

NormalCase

WorstCase

Inductors

CoreTemp(C°

CoreTemp(%)

CoreTemp(C)°

CoreTemp(%)

ChokeCoil

80

Transformer

Semiconductors

Tjmin.

=150C

Note:

TjtoTcasehastobecalculatedforverificationinanycase

Diode

Vrm(%)

Io(%)

Ifsm(%)

Tcase

Vrm(%)

Io(%)

Ifsm(%)

Tcase

(C)

(C)

90

50

70

90

ZenerDiode

Pd(%)

Iz(%)

IFM(%)

Tcase

Pd(%)

Iz(%)

IFM(%)

Tcase

(C)

(C)

50

50

80

90

Damp/Modulati

Vrm(%)

Io(%)

Ifsm(%)

Tcase

onDiode

(C)

90

50

70

90

Transistors

Vce(%)

Veb(%)

IC(%)

Tcase

Vce(%)

Veb(%)

IC(%)

Tcase(C

(C

85

85

85

85

85

85

90

MOSFET

Vpss(%)

Ip(%)

IDM

VGS

Vpss(%)

Ip(%)

IDM

VGS

(%)

(%)

(%)

(%)

85

80

80

85

90

85

80

85

IC

Vpeak(%)

Pd(%)

Tcase(C°

Vpeak(%)

Pd(%)

Tcase(C°

80

80

90

85

80

90

PCB(Solder

Temp)

85C

100C

SpecialParts

Vpeak(%)

Irms(%)

Tcase(C°

Vpeak(%)

Irms(%)

Tcase(C°

SwitchPower

MOSFET

85

90

85

100

DC-DCbooster

MOSFET

DC-DCboosterrectifier

output

器件型号

NormalCase

WorstCase

SpecialParts

Vpeak(%)

Irms(%)

Tcase(%)

Vpeak(%)

Irms(%)

Tcase(%)

H-Driver/Vertical

行场驱动

80

80

75

85

80

80

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