《传感器原理及应用》实验指导书.docx
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《传感器原理及应用》实验指导书
《传感器原理及应用》实验指导书
闻福三郭芸君编著
电子技术省级实验教学示范中心
实验一金属箔式应变片——单臂电桥性能实验
一、实验目的
了解金属箔式应变片的应变效应，单臂电桥工作原理和性能。
二、实验仪器
1、传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
2、万用表MY601个
三、实验原理
金属丝在外力作用下发生机械形变时，其电阻值会发生变化，这就是金属的电阻应变效应。
金属的电阻表达式为：
（1）
当金属电阻丝受到轴向拉力F作用时，将伸长
，横截面积相应减小
，电阻率因晶格变化等因素的影响而改变
，故引起电阻值变化
。
用应变片测量受力时，将应变片粘贴于被测对象表面上。
在外力作用下，被测对象表面产生微小机械变形时，应变片敏感栅也随同变形，其电阻值发生相应变化。
通过转换电路转换为相应的电压或电流的变化，可以得到被测对象的应变值ε，而根据应力应变关系
（2）
式中：
σ——测试的应力；
E——材料弹性模量。
可以测得应力值σ。
通过弹性敏感元件，将位移、力、力矩、加速度、压力等物理量转换为应变，因此可以用应变片测量上述各量，从而做成各种应变式传感器。
电阻应变片可分为金属丝式应变片，金属箔式应变片，金属薄膜应变片。
四、实验内容与步骤
1、应变式传感器已装到应变传感器模块上。
用万用表测量传感器中各应变片R1、R2、R3、R4，R1=R2=R3=R4=350Ω。
2、将主控箱与模板电源±15V相对应连接，无误后，合上主控箱电源开关，按图1-1顺时针调节Rw2使之中间位置，再进行放大器调零，方法为：
将差放的正、负输入端与地短接，输出端与主控箱面板上数显电压表输入端Vi相连，调节实验模板上调零电位器Rw3，使数显表显示为零，（数显表的切换开关打到2V档）。
关闭主控箱电源。
（注意：
当Rw2的位置一旦确定，就不能改变。
）
3、应变式传感器的其中一个应变片R1（即模板左上方的R1）接入电桥作为一个桥臂与R5、R6、R7接成直流电桥，（如四根粗实线），把电桥调零电位器Rw1，电源±5V，此时应将±5V地与±15V地短接（因为不共地）如图1-1所示。
检查接线无误后，合上主控箱电源开关。
调节Rw1，使数显表显示为零。
4、按表1-1中给出的砝码重量值，读取数显表数值填入表1-1中。
图1-1应变式传感器单臂电桥实验接线图
表1－1单臂电桥输出电压与所加负载重量值
重量（g）
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压（mv）
5、根据表1－1计算系统灵敏度
（
输出电压的变化量，
重量变化量）和非线性误差δf1=Δm/yFS×100％式中
（多次测量时为平均值）为输出值与拟合直线的最大偏差：
yFS满量程输出平均值,此处为200g.
五、实验注意事项
1、不要在砝码盘上放置超过1kg的物体，否则容易损坏传感器。
2、电桥的电压为±5V，绝不可错接成±15V，否则可能烧毁应变片。
六、实验报告要求
1、记录实验数据，并绘制出单臂电桥时传感器的特性曲线。
2、从理论上分析产生非线性误差的原因。
实验二金属箔式应变片——半桥、全桥、电子秤实验
一、实验目的
1、了解半桥及全桥测量电路的原理及优点。
2、比较半桥与单臂电桥的不同性能、了解其特点。
二、实验仪器
传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
三、实验原理
把不同受力方向的两只应变片接入电桥作为邻边，电桥输出灵敏度提高，非线性得到改善。
当应变片阻值和应变量相同时，其桥路输出电压UO2＝EGε／2。
式中E为电桥供电电压。
四、实验内容与步骤
1、将主控箱与模板电源±15V相对应连接，检查无误后，合上主控箱电源开关，进行放大器调零，方法为：
将差放的正、负输入端与地短接，输出端与主控箱面板上数显电压表输入端Vi相连，调节实验模板上调零电位器Rw3，使数显表显示为零，（数显表的切换开关打到2V档）。
关闭主控箱电源。
图2-1应变式传感器半桥实验接线图
2、根据图2-1接线。
R1、R2为实验模板左上方的应变片，注意R2应和R1受力状态相反，即将传感器中两片受力相反（一片受拉、一片受压）的电阻应变片作为电桥的相邻边。
接入桥路电源±5V，调节电桥调零电位器Rw1进行桥路调零，重复实验一中的步骤
4、5。
按表2-1中给出的砝码重量值，读取数显表数值填入表2-1中。
计算灵敏度
，非线性误差
。
若实验时显示数值不变化说明R1与R2两应变片受力状态相同。
则应更换应变片。
表2－1半桥测量时，输出电压与加负载重量值
重量（g）
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压（mV）
3、根据图2-2接线，将四个应变片接入电路。
接入桥路电源±5V，调节电桥调零电位器Rw1进行桥路调零。
4、按表2-2中给出的砝码重量值，读取数显表数值填入表2-2中，进行灵敏度和非线性误差计算。
图2-2应变式传感器全桥实验接线图
表2-2全桥输出电压与加负载重量值
重量（g）
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压（mV）
—0.200V。
7、拿去托盘上的所有砝码，调节电位器Rw1（零位调节）使数显表显示为0.000V。
8、重复2、3步骤的标定过程，一直到精确为止，把电压量纲V改为重量量纲g，就可以称重，成为一台原始的电子秤。
9、把砝码依次放在托盘上，填入下表2-3中。
表（2-3）电桥输出电压与加负载重量值
重量（g）
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
电压（mv）
根据上表，计算误差与非线性误差。
五、实验注意事项
1、不要在砝码盘上放置超过1kg的物体，否则容易损坏传感器。
2、电桥的电压为±5V，绝不可错接成±15V，否则可能烧毁应变片。
六、实验报告要求
1、记录实验数据，并绘制出单臂电桥时传感器的特性曲线。
2、比较单臂、半桥、全桥输出时的灵敏度和非线性度，并从理论上加以分析比较，得出相应的结论。
实验三差动变压器的性能测定
一、实验目的
1、了解差动变压器的工作原理和特性。
2、了解三段式差动变压器的结构。
二、实验仪器
1、传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
2、示波器MOS-620CH1台
三、实验原理
差动变压器由一只初级线圈和二只次线圈及铁芯组成，根据内外层排列不同，有二段式和三段式，本实验采用三段式结构。
当传感器随着被测体移动时，由于初级线圈和次级线圈之间的互感发生变化促使次级线圈感应电势产生变化，一只次级感应电势增加，另一只感应电势则减少，将两只次级反向串接，即同名端接在一起，就引出差动输出，其输出电势则反映出被测体的位移量。
四、实验内容与步骤
1、将差动变压器及测微头安装在差动变压器实验模板上。
2、将传感器引线插头插入实验模板的插座中，在模块上按图3-1接线，音频振荡器信号必须从主控箱中的音频振荡器的端子（正相或反相）输出，调节音频振荡器的频率，使输出频率为4-5KHZ（可用主控箱的频率计来监测）。
调节输出幅度为峰—峰值Vp-p=2V（可用示波器监测）。
3、旋动测微头，使示波器第二通道显示的波形峰峰值Vp-p为最小，这时可以左右位移，假设其中一个方向为正位移，另一个方向为负位移，从Vp-p最小开始旋动测微头，每从示波器上读出输出电压Vp-p值，填入下表3-1，再从Vp-p最小处反向位移做实验，在实验过程中，注意左、右位移时，初、次级波形的相位关系。
图3-1双踪示波器与差动变压器连接示意图
表（3－1）差动变压器位移X值与输出电压数据表
V（mv）
X（mm）
4、实验过程中注意差动变压器输出的最小值即为差动变压器的零点残余电压的大小，根据表3-1画出Vop-p—X曲线，求出量程为±1mm、±3mm灵敏度和非线性误差。
五、实验注意事项
1、在做实验前，应先用示波器监测差动变压器激励信号的幅度，使之为Vp-p值为4V，不能太大，否则差动变压器发热严重，影响其性能，甚至烧毁线圈。
2、模块上L2、L3线圈旁边的“*”表示两线圈的同名端。
六、思考题
用差动变压器测量较高频率的振幅，例如1KHz的振动幅值，可以吗？
差动变压器测量频率的上限受什么影响？
七、实验报告要求
1、根据实验测得的数据，绘制出测微头左移和右移时传感器的特性曲线。
2、分析产生非线性误差的原因。
实验四电容式传感器的位移特性实验
一、实验目的
了解电容式传感器结构及其特点。
二、实验仪器
传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
三、实验原理
利用平板电容C＝εS／d和其它结构的关系式通过相应的结构和测量电路可以选择ε、S、d中三个参数中，保持两个参数不变，而只改变其中一个参数，则可以有测谷物干燥度（ε变）测微小位移（变d）和测量液位（变S）等多种电容传感器。
变面积型电容传感器中，平板结构对极距特别敏感，测量精度受到影响，而圆柱形结构受极板径向变化的影响很小，且理论上具有很好的线性关系，（但实际由于边缘效应的影响，会引起极板间的电场分布不均，导致非线性问题仍然存在，且灵敏度下降，但比变极距型好得多。
）成为实际中最常用的结构，其中线位移单组式的电容量C在忽略边缘效应时为：
（1）
式中
——外圆筒与内圆柱覆盖部分的长度；
——外圆筒内半径和内圆柱外半径。
灵敏度与
有关，
越接近，灵敏度越高，虽然内外极筒原始覆盖长度
与灵敏度无关，但
不可太小，否则边缘效应将影响到传感器的线性。
本实验为变面积式电容传感器，采用差动式圆柱形结构，因此可以很好的消除极距变化对测量精度的影响，并且可以减小非线性误差和增加传感器的灵敏度。
四、实验内容与步骤
1、将电容式传感器装于电容传感器实验模板上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中。
2、将电容传感器实验模板的输出端Vo1与数显单元Vi相接（插入主控箱Vi孔）Rw调节到中间位置。
3、接入±15V电源，旋动测微头改变电容传感器动极板的位置，当电压变为最小值时开始记输出电压值，然后向左右移动，每隔记下位移X与输出电压值，填入表4-1。
表4－1电容传感器位移与输出电压值
X（mm）
0
1.8
V（mv）
4、根据表4-1数据计算电容传感器的系统灵敏度S和非线性误差
。
五、实验注意事项
1、传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。
2、做实验时，不要接触传感器，否则将会使线性变差。
图4-1电容传感器位移实验接线图
六、思考题
1、简述什么是传感器的边缘效应，它会对传感器的性能带来哪些不利影响。
2、电容式传感器和电感式传感器相比，有哪些优缺点？
七、实验报告要求
1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线，并利用最小二乘法做出拟合直线，计算该传感器得非线性误差。
2、根据实验结果，分析引起这些非线性得原因，并说明怎样提高传感器得线性度。
实验五直流激励时霍尔传感器位移特性实验
一、实验目的
了解霍尔式传感器原理与应用。
二、实验仪器
传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
三、实验原理
金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于磁场和电流的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。
具有这种效应的元件成为霍尔元件，根据霍尔效应，霍尔电势UH＝KHIB，当保持霍尔元件的控制电流恒定，而使霍尔元件在一个均匀梯度的磁场中沿水平方向移动，则输出的霍尔电动势为
，式中k—位移传感器的灵敏度。
这样它就可以用来测量位移。
霍尔电动势的极性表示了元件的方向。
磁场梯度越大，灵敏度越高；磁场梯度越均匀，输出线性度就越好。
四、实验内容与步骤
1、将霍尔传感器安装在霍尔传感器实验模块上，将传感器引线插头插入实验模板的插座中，实验板的连接线按图5-1进行。
1、3为电源±5V，2、4为输出。
2、开启电源，调节测微头使霍尔片大致在磁铁中间位置，再调节Rw1使数显表指示为零。
图5-1直流激励时霍尔传感器位移实验接线图
3、测微头往轴向方向推进，每转动记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表5-1。
表5－1
X（mm）
V（mv）
4、作出V-X曲线，计算不同线性范围时的灵敏度和非线性误差。
五、实验注意事项
1、对传感器要轻拿轻放，绝不可掉到地上。
2、不要将霍尔传感器的激励电压错接成±15V，否则将可能烧毁霍尔元件。
六、思考题
本实验中霍尔元件位移的线性度实际上反映的时什么量的变化？
七、实验报告要求
1、整理实验数据，根据所得得实验数据做出传感器的特性曲线。
2、归纳总结霍尔元件的误差主要有哪几种，各自的产生原因是什么，应怎样进行补偿。
实验六集成温度传感器的特性
一、实验目的
了解常用的集成温度传感器基本原理、性能与应用。
二、实验仪器
传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
三、实验原理
集成温度传器将温敏晶体管与相应的辅助电路集成在同一芯片上，它能直接给出正比于绝对温度的理想线性输出，一般用于－50℃－＋150℃之间测量，温敏晶体管是利用管子的集电极电流恒定时，晶体管的基极—发射极电压与温度成线性关系。
为克服温敏晶体管Ub电压生产时的离散性、均采用了特殊的差分电路。
集成温度传感器有电压型和电流型二种，电流输出型集成温度传感器，在一定温度下，它相当于一个恒流源。
因此它具有不易受接触电阻、引线电阻、电压噪声的干扰。
具有很好的线性特性。
本实验采用的是国产的AD590。
它只需要一种电源（＋4V－＋30V）。
即可实现温度到电流的线性变换，然后在终端使用一只取样电阻（本实验中为R2）即可实现电流到电压的转换。
它使用方便且电流型比电压型的测量精度更高。
四、实验内容与步骤
1、将主控箱上总电源关闭，把主控箱中温度检测与控制单元中的恒流加热电源输出与温度模块中的恒流输入正负极性对应连接起来。
2、将温度模块中的温控Pt100与主控箱的Pt100输入连接起来。
3、将温度模块中左上角的AD590接到a、b上（正端接a，负端接b），再将b、d连接起来。
4、将主控箱的+5V电源接入a和地之间。
5、将d和地与主控箱的电压表输入端相连（即测量1K电阻两端的电压）。
6、开启主电源，将温度控制器的SV窗口设定为
（设置方法见附录2），以后每隔
设定一次，即Δt=
，读取数显表值，将结果填入下表6-1。
表6－1
T（℃）
V（mV）
7、根据上表计算AD590的非线性误差。
五、实验注意事项
1、加热器温度不能加热到120℃以上，否则将可能损坏加热器。
2、不要将AD590的+、-端接反，因为反向电压可能击穿AD590。
六、思考题
大家知道在一定的电流模式下PN结的正向电压与温度之间具有较好的线性关系，因此就有温敏二极管，你若有兴趣可以利用开关二极管或其它温敏二极管在50℃－100℃之间，作温度特性，然后与集成温度传感器相同区间的温度特性进行比较，从线性看温度传感器线性优于温敏二极管，请阐明理由。
七、实验报告要求
1、简单说明AD590的基本原理，讨论电流输出型和电压输出型集成温度传感器的优缺点。
2、总结实验后的收获、体会。
实验七热敏电阻的特性研究实验
一、实验目的
了解热电阻的特性与应用。
二、实验仪器
1、传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
2、万用表MY601个
三、实验原理
热敏电阻是一种对热敏感的电阻元件，一般用半导体材料做成，可以分为负温度系数热敏电阻NTC（NegativeTemperaturecoefficientThermistor）和正温度系数热敏电阻PTC（PositiveTemperatureCoefficientThermistor），临界温度系数热敏电阻CTR（CriticalTemperatureResistor）三种，本实验主要研究前两种，半导体热敏电阻的工作原理一般用量子跃迁观点进行分析。
由于热运动（譬如温度升高），越来越多的载流子克服禁带（或电离能）引起导电，这种热跃迁使半导体载流子浓度和迁移发生变化，根据电阻率公式可知元件电阻值发生变化。
NTC通常是一种氧化物的复合烧结体，特别适合于
之间的温度测量，它的电阻值随着温度的升高而减小，其经验公式为：
，式中，R0是在25
时或其他参考温度时的电阻，T0是热力学温度（K）B称为材料的特征温度，其值与温度有关，主要用于温度测量。
PTC是由在BaTiO3和SrTiO3为主的成分中加入少量Y2O3和Mn2O3构成的烧结体。
其特征曲线是随温度升高而阻值增大，开关型的PTC在居里点附近阻值发生突变，有斜率最大的区段，即电阻值突然迅速升高。
PTC适用的温度范围为
，主要用于过热保护及作温度开关。
NTC和PTC的特征曲线为：
NTC、PTC电阻温度曲线图
四、实验内容与步骤
1、将主控箱中温度检测与控制单元中的恒流加热电源输出与温度模块中的恒流输入正负极性对应连接起来。
2、将温度控制器的SV窗口设置在
，设置方法见附录2。
然后每隔
设置一次。
3、用万用表测量温度模块上的NTC和PTC的输出，记下每次设置温度下的电阻值，将结果填入下表：
NTC：
t（℃）
R
t（℃）
R
PTC：
t（℃）
R
T（℃）
R
五、实验注意事项
加热器温度不能加热到120℃以上，否则将可能损坏加热器。
六、思考题
如何根据测温范围和精度要求选用热电阻？
七、实验报告要求
1、根据实验所得的数据绘制出NTC、PTC的特性曲线。
2、归纳总结NTC用作温度测量时应注意哪些问题，主要应用在什么场合，有哪些优缺点。
实验八光电二极管和光敏电阻的特性研究
一、实验目的
了解光电二极管和光敏电阻的特性与应用。
二、实验仪器
1、传感器特性综合实验仪THQC-1型1台
2、万用表MY601个
三、实验原理
（1）光电二极管
光电二极管是利用PN结单向导电性的结型光电器件，结构与一般二极管类似。
PN结安装在管的顶部，便于接受光照。
外壳上有以透镜制成的窗口以使光线集中在敏感面上，为了获得尽可能大的光生电流，PN结的面积比一般二极管要大。
为了光电转换效率高，PN结的深度比一般二极管浅。
光电二极管可工作在两种状态。
大多数情况下工作在反向偏压状态。
在这种情况下，当无光照时，处于反偏的二极管工作在截止状态，这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层形成微小的反向电流，即暗电流。
反向电流小的原因是在PN结中，P型中的电子和N型中的空穴（少数载流子）很少。
当光照射在PN结上时，PN结附近受光子轰击，吸收其能量而产生电子空穴对，使P区和N区的少数载流子浓度
大大增加，在外加反偏电压和内电场的作用下，P区的少数载流子渡越阻挡层进入N区，N区的少数载流子渡越阻挡层进入P区，从而使通过PN结的反向电流大为增加，形成了光电流，反向电流随光照强度增加而增加。
另一种工作状态是在光电二极管上不加电压，利用PN结受光照强度增加而增加。
N结受光照时产生正向电压的原理，将其作为微型光电池用。
这种工作状态一般用作光电检测。
光电二极管常用的材料有硅、锗、锑化铟、砷化铟等，使用最广泛的是硅、锗光电二极管。
光电二极管具有响应速度快、精巧、坚固、良好的温度稳定性和低工作电压的优点，因而得到了广泛的应用。
上图为光电流信号转换电路，Vo=IpR，Ip为光电流，R是反馈电阻。
（2）光敏电阻：
光敏电阻是利用光的入射引起半导体电阻的变化来进行工作的。
光敏电阻的工作原理是基于光电导效应：
在无光照时，光敏电阻具有很高的阻值；在有光照时，当光电子的能量大于材料禁带宽度，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电的电子—空穴对，使电阻降低，光线愈强，激发出的电子—空穴对越多，电阻值越低；光照停止后，自由电子与空穴复合，导电能力下降，电阻恢复原值。
制作光敏电阻的材料常用硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、硫化铅（PbS）锑化铟（InSb）等。
由于光导效应只限于光照表面的薄层，所以一般都把半导体材料制成薄膜，并赋予适当的电阻值，电极构造通常做成梳形，这样，光敏电阻与电极之间的距离短，载流子通过电极的时间
少，而材料的载流子寿命
又较长，于是就有很高的内部增益G，从而获得很高的灵敏度。
光敏电阻具有灵敏度高，光谱响应范围宽，重量轻，机械强度高，耐冲击，抗过载能力强，耗散功率大，以及寿命长等特点。
光敏电阻的阻值R和光的强度呈现强烈的非线性。
四、实验内容与步骤
1、将主控箱的0~20mA恒流源调节到最小。
2、把0~20mA恒流源的输出和光电模块上的恒流输入连接起来，以驱动LED光源。
3.1、硅光电池实验：
将恒流源从0开始每隔2mA记录一次，填入下列相应的表格，光电二极管的强度指示在光电模块的右边数显上。
3.2、光敏电阻实验：
由于光敏电阻光较弱时变化较大，所以在0~2mA之间，每隔0.5mA记录一次，以后每隔2mA做一次实验，测得的数据填入下列相应表格。
光敏电阻的大小用万用表测量光电模块上的光敏电阻输出端。
（1）光电二极管
I（mA）
V（mv）
（2）光敏电阻
I（mA）
R
五、实验注意事项
注意要将主控箱上恒流输出的正负端和光电模块上的正负端对应接好，否则，光发送端将不能发光。
六、思考题
1、当将硅光电池作为光探测器时应注意那些问题？
2、讨论光敏电阻主要应用在什么场合。
七、实验报告要求
1、根据实验数据做出光敏电阻和硅光电池的特性曲线图。
2、简述光敏电
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