第5章-电阻版图.ppt

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集成电路版图基础电阻版图设计,电阻材料：

常用的电阻材料是多晶硅。

电阻影响因素：

1、薄层的厚度H。

较厚的多晶硅薄层有较低的电阻值，较薄的多晶硅薄层有较大的电阻值。

2、材料的类型、长度、宽度也将改变电阻值。

对于一个给定的集成电路工艺，可以认为薄膜厚度是常数，它是我们不能改变的参数之一。

对于一个给定的材料，我们能够改变的只有长度和宽度。

W,L,H（厚度）,I=电流,4.1、方块电阻,结论：

虽然面积是原来面积的四倍，但总电阻仍是原来正方形的电阻值。

因此，人们逐渐以每方欧姆来度量电阻。

每方欧姆是IC中电阻的基本单位，单位,有了每方欧姆的具体数值，电阻的计算就可以简单的计算方块的数量，而不必考虑方块的尺寸，在一个工艺中同一材料，不论方块的尺寸是什么，其阻值都是相同的。

1微米*1微米正方形的电阻=4米*4米正方形的电阻。

“方数=L/W”方数并不一定是整数，可以含有小数。

例子：

计算下面电阻的阻值设材料是“80x10”大小（任何可能单位），则80/10=8方,12345678,80,10,电流,方块/薄层电阻：

每个制造工艺有一个参数手册，可以查寻以每方欧姆表示的材料电阻率。

ic中典型的电阻值：

poly栅：

2-3欧姆/方metal层：

20-100毫欧姆/方（小电阻；良导体）diffusion：

2-200欧姆/方工艺中的任何材料都可以做电阻。

但某些材料比其他材料更适合一些。

常用的材料有poly和diffusion。

常用电阻器阻值范围：

1050欧姆1002k欧姆2k100k欧姆,6,四探针测试法：

对芯片上一个很大的正方形电阻器通以给定的电流并且测试两端电压差的方法。

根据已知的电流值，由公式V=IR，计算得到电阻值。

如何确定每方欧姆数值,4.2.1基本电阻器版图-以硅片作为衬底材料，在衬底上淀积一层多晶硅，再在多晶硅层上覆盖一层氧化层，形成隔离的绝缘层，然后在氧化层上刻蚀出用于连接的接触孔。

一般接触孔位于多晶硅的两头。

体区电阻公式：

4.2电阻公式,L,W,topview,crosssectionalview,substrate,poly,oxide,metalcontact,4.2.2考虑接触电阻rc,100,200,300,10,20,30,40,50,W/um,R/,100,200,300,10,20,30,40,50,W/um,R/,正方形尺寸和每方欧姆的关系,实际上，正方形尺寸小电阻大,原则上，因为同一种材料的各种正方形尺寸都具有相同的电阻值，所以，图形应该是呈水平直线。

然而，实际情况是，当通过金属接触点去测量一个较小尺寸的电阻时，测量高于预测值，就是因为接触电阻的存在。

以多晶硅电阻为例，电阻材料与外界相连的金属接触材料同样有电阻,4.2考虑接触电阻rc,由于有接触电阻的存在，所以R=rb+2rc（rc为两个接触端的接触电阻）,接触区被认为是有固定长度的。

如果接触区的宽度增大，接触电阻将变小；如果接触区的宽度减小，接触电阻将变大。

总接触电阻（Rc是由接触材料所决定的电阻因子，单位“*um”；Wc为接触区宽度）接触区的宽度可能并不一定和电阻器的宽度相同，它取决于工艺的设计规则，可能会要求接触区宽度必须小于电阻器宽度。

100,200,300,10,20,30,40,50,W/um,R/,100,200,300,10,20,30,40,50,W/um,R/,12,4.2.3改变体材料原因：

poly栅电阻大约只有23欧姆/方，有时我们要求电阻的范围更大一些。

改变体材料能够有效提高电阻率，有助于得到较高的、更有用的电阻率。

改变电阻率的方法：

1、可以淀积另一层具有不同电阻特性的多晶硅。

2、可以通过改变已淀积在芯片上的多晶硅材料层的结构来改变电阻率。

具体制作方法：

a、在所用的多晶硅材料的中部开一个窗口，并注入另外的杂质材料，阻碍电子的流动，来提高电阻率。

b、另一种方法是将中间的多晶硅刻蚀掉一部分使其变薄。

这些被改变的材料块为电阻的“体”。

通常会有一个设计规则用以说明体区边界与接触区的最小距离，这个间隔上原始的多晶硅被称为电阻器的“头”。

总电阻：

14,多晶硅电阻公式：

改变体材料,体,头,头,15,4.2.4接触区误差和体区误差、头区误差原因：

实际做出来的电阻器经常是明显地小于或者大于你所画的，被称为项，需要在公式里对该项进行补偿。

接触区误差：

接触孔刻蚀的时候，得到的实际接触孔尺寸和宽度产生了误差，我们称之为（也称为公差、误差、变化量、尺寸变化、溢出或者变化）。

可正可负，即过加工或者欠加工。

宽度、长度变化分别用W和L表示。

如假设W是4um，而W是0.06um，这表明实际的宽度最大是4.06um，最小是3.94um，大小取决于表示的是过加工还是欠加工。

“体区误差”和“头区误差”同样也需考虑。

电阻公式改写为：

4.2.5考虑扩展电阻,smallspreadregion,bigspreadregion,uncertainregion,uncertainregion,电子经接触孔进入电阻后，并非直线流动，而是逐渐扩展开，直到最终到达整个多晶硅宽度，导致实际流经的路径增长，方块数增多。

这种电阻叫“扩展电阻”。

若采用宽的接触区和宽的电阻条结构，这种影响可以忽略。

若采用宽电阻而窄的接触区，则电流在展开到全部电阻器宽度前将走更长的路径。

P159图4-27,解决方法：

可以将接触区延伸到多晶硅之外，这消除了展开区的问题。

能否这样设计取决于工艺技术。

有些工艺只允许正方形的接触孔，则我们必须在电阻器宽度方向上用许多接触孔来保持低的接触电阻。

减小扩展电阻的另一个方法：

使接触孔的宽度精确地与体相同。

对于扩展电阻项精确而详细的计算随制造商的不同而变，并且这属于商业秘密。

有多种技术和公式用于ic制造去确定扩展电阻项，这些技术和公式的大部分是不公开的。

总电阻方程：

R=rb+2rh+2rc+2rs（“rs”是来自于扩展区的电阻，扩展因子，见工艺手册）（也有将接触电阻和扩散电阻组合在一起以一个单独项表示的）,21,5、实际的最小电阻尺寸：

制造商可以很好地控制中部区域（体区）的材料，但对外部的区域，如头区或接触区的控制不太理想。

因此应保持最小体区长度为10um，这将使你的误差下降到百分之一。

如果需要一个相当精确的电阻，则要确保体区长度为10um或更长，以使的影响最小化。

-“确保体区长度至少达到10um，宽度5um。

”则电阻器的最小宽度也应为5um。

经验法则：

对高精度要求，将电阻做宽，做长，或即宽又长。

（经验是给出至少是10微米长，5微米宽）,高阻值低精度-在有些设计中，可能会需要很大的电阻值，如果对它的精度并不是很介意，允许有15%左右的变化。

那么也可以把电阻的宽度做到比引线孔的宽度还要小，这种电阻的形状非常象狗骨头。

叫“狗骨型电阻”。

在高阻值，精度没有特殊要求的情况下，可以使用这种结构。

4.3、特殊要求的电阻版图,折弯型电阻器,注意，拐角处方块数只计算1/2,外角没有电子流过，电阻误差较大,低阻值高精度电阻的原则,如果想要得到一个阻值极低的电阻，而精度要求很高，可以选择用金属来做。

大的面积将有助于减少delta的影响，从而保证精度。

对于选择电阻的宽度，电流密度是重要的。

如果需要通过电阻大量的电流，你会使用一个大的、粗的线。

电流密度是材料中能够可靠流过的电流量。

工艺手册中有关于某些特定材料电流密度的介绍，工艺中任何能够被用于传导电流的材料都有一个对应的电流密度。

典型的电流密度大约是“每微米宽度0.5mA”。

和宽度有关是因为设计得越宽，能够通过的电流越多。

-用下面公式就可以计算出电阻能够可靠流过的毫安值。

Imax=D*WImax：

最大允许可靠流过的电流mAD：

材料的电流密度mA/umW：

材料的宽度um,4.3、电阻设计的重要依据:

电流密度,1.某电阻需要通过100微安电流，该电阻宽3微米，如果它的电流密度值为0.2毫安/微米，该电阻能可靠工作吗？

2.某电阻器的图形尺寸为：

长度=95um，宽度=12um，材料的电阻率为每方65欧姆。

在制造时，测量得到的电阻器的宽度减小了0.2um，实际电阻值是多少呢？

3.假设需要一个能承受12毫安电流的电阻。

其大小为50欧姆，并且要求其对工艺变化不敏感。

有三个选择：

多晶硅：

电流密度为0.27mA/um,薄层电阻率为225；N阱：

电流密度为0.72mA/um,薄层电阻率为870；扩散电阻：

电流密度为0.93mA/um,薄层电阻率为1290；那个能满足设计要求呢？

不同类型的电阻比较,Poly电阻-集成电路设计中常用的一种电阻，它是由用制作MOSFET的Poly层来制作的电阻。

多晶硅的方块电阻-2欧姆左右扩散电阻-在衬底上做的，衬底是轻掺杂区，电阻率很高，可作大电阻，但精度不高。

阱电阻的方块电阻值比较大，通常都在几百欧姆以上。

金属薄膜电阻-这种薄膜电阻性能也优于扩散电阻和多晶硅电阻。

缺点是所需要的特殊工艺成本较高，在一定程度上限制了其应用。