资质认定证书附录.docx

1、资质认定证书附录序号检测对象项目/参数检测标准（方法）名称及编号（含年号）限制范围说明序号名称8.计量8.1电感1介质耐压GJB1864A2011射频固定和可变片式电感总规范5kV,1.5%2绝缘电阻11016,0.6%3电感1nH10H,0.1%4Q值1000,5%5自谐振频率40Hz3GHz,1%6直流电阻10m100M,0.01%8.2电容1绝缘电阻GB/T26932001电子设备用固定电容器总规范 第一部分：通用技术指标DC: 0.1 V1kV电阻: 1103 1.61016 精度为0.6%2耐电压直流电压 V5000 V3电容量1pF10F 0.01%4损耗角正切和等效电阻0.10.

2、510-45漏电流1A100mA1%6阻抗100m100M0.1%7电容及自谐振频率40Hz3GHz8电容温度特性-55+1508.3电阻1直流电阻GJB1432B2009片式膜固定电阻器通用规范10m100M0.01%2电阻温度特性-55+1508.4集成运算放大器1电源电流ICCGB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路0100mA2输入失调电压VIO0100mV3输入失调电流IIO0100A4输入偏置电流IIB0100A5开环电压增益AVD60dB120dB6共模抑制比KCMR60dB120dB7电源电压抑制比KSVR60dB120dB8最大共模输入电压VICM

3、015V9输出电压峰峰值VOPP040V10增益带宽积GBW100kHz100MHz8.5功率交流电源1频率SJ 10542-94抗干扰型交流稳压电源测试方法10Hz1kHz2功率9000VA3功率因数0.001.004负载调整率1mV100mV8.6防静电系统1防静电地面系统电阻和点对点电阻SJT 10694-2006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范110511092防静电台垫系统电阻和点对点电阻110511093防静电工作腕带电阻穿戴状态下系统电阻：7.51051107 内表面对电缆扣电阻：11054防静电椅系统电阻和点对点电阻系统电阻：11051109点对点电阻：11051101

4、05防静电工作服电阻1105110106防静电鞋电阻110511098.7接地系统1接地电阻SJT 10694-2006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范0.158.8环境试验设备1温度GB/T5170.2-2008电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备-802002湿度GB/T5170.5-2008电工电子产品环境试验设备检验方法湿热试验设备20%RH95%RH8.9微波电子材料1复介电常数GB/T 7265.2-1987固体电介质微波复介电常数的测试方法0100(1GHz18GHz) 2损耗510-2610-5(1GHz18GHz) 8.10 功率二极管1击穿电压VRGJB12

5、8A-97半导体分立器件试验方法30V3kV2反向直流电流IR100nA10mA3正向直流电压VF0.1V30V4工作电压VZ0.1V30V8.11双极晶体管1IE=0时的集电极基极击穿电压V(BR)CBO半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-199430V3kV2IC=0时的发射极基极击穿电压V(BR)EBO30V3kV3IB=0时的集电极发射极击穿电压V(BR)CEO30V3kV4IE=0时的集电极基极截止电流ICBO100nA10mA5IB=0时的集电极发射极截止电流ICEO100nA10mA6IC=0时的发射极基极截止电流IEBO100nA10mA7共发射极

6、正向电流传输比的静态值hFEVCE:0.1V+30 VIC: 10A500AIB: 10A10A8集电极发射极饱和电压VCEsatVCE: 0.1V+30V；VBE: -30V+30V；IC: 10A500A；IB: 10A10A9基极发射极饱和电压VBEsatVCE: 0.1V+30V；VBE: -30V+30V；IC: 10A500A；IB: 10A10A10开启时间ton可测双极型中小功率晶体三极管开关时间参数。开关参数测量范围:5ns1s偏置电源:IB:1mA 、3mA、10mA、30mA、50mA、60mA IC:10mA、30mA、100mA、300mA、500mA、600mA 极

7、性: NPN型、PNP型器件功率:1WU= 3.2%(k=2)11延迟时间td12上升时间tr13关闭时间toff14贮存时间ts15下降时间tf16S-参数只测量晶体管Gp参数 Gp: (050)dB f:30MHz1GHz。U= 0.6dB (k=2) 使用的测量器具HP8753B网络分析仪，可在(050)dB范围检测晶体管Gp参数17共基极输出电容只测交流参数，晶体管电容参数: 电容: 1pF3000pF 频率:1MHz U= (13)% (k=2) 使用的测量器具FET3400半导体分立器件测试系统，可在1pF3nF范围检测晶体管电容参数8.12场效应晶体管1栅源阈值电压VGS(th)

8、半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 4586-1994电压范围-30V+30V2漏极电流ID(on)10A500A3静态漏源通态电阻rDS(on)VDS: 0.1V+30V；VGS: -30V+30V；ID: 10A500A；IG: 10A10A4漏源“通态”电压VDS(on)VDS: 0.1V+30V5正向跨导gmVDS: 0.1V+30V；VGS: -30V+30V；ID: 10A500A6漏源击穿电压V(BR)DSS30V3kV7栅源短路时的漏极电流IDSS100nA10mA8漏源短路时栅极截止电流IGSS100nA10mA9小信号短路输入、输出电容频率: 1MHz电容:1

9、pF3000pFU= (13)% (k=2)10小信号短路输出电导8.13绝缘栅双极晶体管（IGBT）1集电极发射极的击穿电压V(BR)CEO半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 4586-199430V3kV2发射极集电极的击穿电压V(BR)ECO30V3kV3集电极发射极的饱和电压VCEsatVCE: 0.1V+30V4栅极阈电压VGE(th)VGE: 0.1V+30V5零栅压时的集电极电流ICES100nA10mA6栅极发射极的漏电流IGES100nA10mA7正向跨导gmVCE:01V+30VVGE:-30V30V IC: 10A500A8.14J型场效应管（JFET）1栅

10、源截止电压VGS（off）半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管GB/T 4586-1994VGS:-30V+30V2饱和漏极电流IDSSID:10A10A3跨导gfsVDS:-30V+30VVGS:-30V30V ID: 10A10AIG: 10A10A4栅极截止电流IGSS100nA10mA5源栅开路电压VSGO30V3kV6漏栅开路电压VDGO30V3kV8.15固态微波功率器件（100MHz18GHz）1输出功率微波电路放大器测试方法SJ20645-97-30dBm+50dBm2功率增益040dB3功率增益平坦度010dB41dB压缩点输出功率050dBm51dB压缩点功率增益040

11、dB8.16洁净间测试1洁净度洁净室施工及验收规范（E.4、E.5)GB 50591-2010 只测：5级9级2温、湿度只测：温度1530，湿度：20%RH60%RH8.17单轴MEMS加速度计（冲击）1只测:灵敏度、满量程输出单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB 1037A-200415g1500g（g=9.80665m/s2）8.18单轴MEMS加速度计（振动）1只测：满量程输出、频率响应范围、灵敏度单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB 1037A-20041g50g（g=9.80665m/s2）8.19三轴MEMS加速度计（冲击）1只测：灵敏度、满量程输出单轴摆式伺服线加速度计试验方法G

12、JB 1037A-200415g1500g（g=9.80665m/s2）8.20 三轴MEMS加速度计（振动）1只测：满量程输出量程、频率响应范围、灵敏度单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB 1037A-20041g50g（g=9.80665m/s2）8.21MEMS湿度传感器1只测：湿度偏差高分子湿度传感器总规范SJ 20760-1999 20%RH95%RH8.22信号(包括开关)和调整二极管1反向电流GB/T 6571-1995半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管100pA100mA2正向电压0.1V30V8.23半导体器件1热阻JESD51-14 (2010) 基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法电流施加：0.5mA50A电压施加：10mV30V电压测量：1mV4.9VK系数校正温度：20150定时：5us1000s8.24功率MOSFET器件1栅极电荷MIL-STD-750F半导体器件试验方法 方法3471.2漏极电流：1A150A；栅极电流：(0.1mA200mA)；漏极电压：(5V15V)；栅极电压：1V600V；栅极电荷：5nC500nC；8.25微电子元件关键几何特征1线宽GB/T 16594-1996微米级长度的扫描电镜测量方法 TCL/O-WD-5001微电子芯片关键几何尺寸测量方法0m5000m2线长0m5000m