资质认定证书附录.docx
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资质认定证书附录
序号
检测
对象
项目/参数
检测标准（方法）名称及编号（含年号）
限制
范围
说明
序号
名称
8.计量
8.1
电感
1
介质耐压
GJB1864A—2011射频固定和可变片式电感总规范
≤5kV,1.5%
2
绝缘电阻
≤1×1016Ω,0.6%
3
电感
1nH～10H,0.1%
4
Q值
≤1000,5%
5
自谐振频率
40Hz～3GHz,1%
6
直流电阻
10mΩ～100MΩ,0.01%
8.2
电容
1
绝缘电阻
GB/T2693—2001电子设备用固定电容器总规范第一部分：
通用技术指标
DC:
0.1V～1kV
电阻:
1×103Ω～1.6×1016Ω
精度为0.6%
2
耐电压
直流电压V≤5000V
3
电容量
1pF～10μF0.01%
4
损耗角正切和等效电阻
≤0.1
0.5×10-4
5
漏电流
1μA～100mA
1%
6
阻抗
100mΩ～100MΩ
0.1%
7
电容及自谐振频率
40Hz～3GHz
8
电容温度特性
-55℃～+150℃
8.3
电阻
1
直流电阻
GJB1432B—2009片式膜固定电阻器通用规范
10mΩ～100MΩ
0.01%
2
电阻温度特性
-55℃～+150℃
8.4
集成运算放大器
1
电源电流ICC
GB/T17940-2000
半导体器件集成电路第3部分：
模拟集成电路
0～100mA
2
输入失调电压VIO
0～100mV
3
输入失调电流IIO
0～100μA
4
输入偏置电流IIB
0～100μA
5
开环电压增益AVD
60dB～120dB
6
共模抑制比KCMR
60dB～120dB
7
电源电压抑制比KSVR
60dB～120dB
8
最大共模输入电压VICM
0～15V
9
输出电压峰峰值VOPP
0～40V
10
增益带宽积
G•BW
100kHz～100MHz
8.5
功率交流电源
1
频率
SJ10542-94
抗干扰型交流稳压电源测试方法
10Hz～1kHz
2
功率
≤9000VA
3
功率因数
0.00～1.00
4
负载调整率
1mV～100mV
8.6
防静电系统
1
防静电地面系统电阻和点对点电阻
SJT10694-2006
电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范
1×105Ω～1×109Ω
2
防静电台垫系统电阻和点对点电阻
1×105Ω～1×109Ω
3
防静电工作腕带电阻
穿戴状态下系统电阻：
7.5×105Ω～1×107Ω内表面对电缆扣电阻：
≤1×105Ω
4
防静电椅系统电阻和点对点电阻
系统电阻：
1×105Ω～1×109Ω点对点电阻：
1×105Ω～1×1010Ω
5
防静电工作服电阻
1×105Ω～1×1010Ω
6
防静电鞋电阻
1×105Ω～1×109Ω
8.7
接地系统
1
接地电阻
SJT10694-2006
电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范
0.1Ω～5Ω
8.8
环境试验设备
1
温度
GB/T5170.2-2008
电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备
-80℃～200℃
2
湿度
GB/T5170.5-2008
电工电子产品环境试验设备检验方法湿热试验设备
20%RH～95%RH
8.9
微波电子材料
1
复介电常数
GB/T7265.2-1987
固体电介质微波复介电常数的测试方法
0～100（1GHz～18GHz）
2
损耗
5×10-2～6×10-5（1GHz～18GHz）
8.10
功率二极管
1
击穿电压VR
GJB128A-97
半导体分立器件试验方法
30V～3kV
2
反向直流电流IR
100nA～10mA
3
正向直流电压VF
0.1V～30V
4
工作电压VZ
0.1V～30V
8.11
双极晶体管
1
IE=0时的集电极基极击穿电压V（BR）CBO
半导体分立器件和集成电路
第7部分:
双极型晶体管GB/T4587-1994
30V～3kV
2
IC=0时的发射极基极击穿电压V（BR）EBO
30V～3kV
3
IB=0时的集电极发射极击穿电压V（BR）CEO
30V～3kV
4
IE=0时的集电极基极截止电流ICBO
100nA～10mA
5
IB=0时的集电极发射极截止电流ICEO
100nA~10mA
6
IC=0时的发射极基极截止电流IEBO
100nA～10mA
7
共发射极正向电流传输比的静态值hFE
VCE:
0.1V～+30V
IC:
10A～500A
IB:
10µA～10A
8
集电极发射极饱和电压VCEsat
VCE:
0.1V～+30V；
VBE:
-30V～+30V；
IC:
10A～500A；
IB:
10µA～10A
9
基极发射极饱和电压VBEsat
VCE:
0.1V～+30V；VBE:
-30V～+30V；
IC:
10A～500A；
IB:
10µA～10A
10
开启时间ton
可测双极型中小功率晶体三极管开关时间参数。
开关参数测量范围:
5ns～1µs
偏置电源:
IB:
1mA、3mA、10mA、30mA、50mA、60mA
IC:
10mA、30mA、100mA、300mA、500mA、600mA
极性:
NPN型、PNP型
器件功率:
≤1W
U=3.2%（k=2）
11
延迟时间td
12
上升时间tr
13
关闭时间toff
14
贮存时间ts
15
下降时间tf
16
S-参数
只测量晶体管Gp参数Gp:
（0～50）dBf:
30MHz～1GHz。
U=0.6dB（k=2）使用的测量器具HP8753B网络分析仪，可在（0～50）dB范围检测晶体管Gp参数
17
共基极输出电容
只测交流参数，晶体管电容参数:
电容:
1pF～3000pF频率:
1MHzU=（1～3）%（k=2）使用的测量器具FET3400半导体分立器件测试系统，可在1pF～3nF范围检测晶体管电容参数
8.12
场效应晶体管
1
栅—源阈值电压VGS（th）
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
电压范围-30V～+30V
2
漏极电流ID（on）
10A～500A
3
静态漏—源通态电阻rDS（on）
VDS:
0.1V～+30V；
VGS:
-30V～+30V；
ID:
10A～500A；
IG:
10µA～10A
4
漏—源“通态”电压VDS（on）
VDS:
0.1V～+30V
5
正向跨导gm
VDS:
0.1V～+30V；
VGS:
-30V～+30V；
ID:
10A～500A
6
漏—源击穿电压V（BR）DSS
30V～3kV
7
栅—源短路时的漏极电流IDSS
100nA～10mA
8
漏—源短路时栅极截止电流IGSS
100nA～10mA
9
小信号短路输入、输出电容
频率:
1MHz
电容:
1pF～3000pF
U=（1～3）%（k=2）
10
小信号短路输出电导
8.13
绝缘栅双极晶体管（IGBT）
1
集电极—发射极的击穿电压V（BR）CEO
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
30V～3kV
2
发射极—集电极的击穿电压V（BR）ECO
30V～3kV
3
集电极—发射极的饱和电压VCEsat
VCE:
0.1V～+30V
4
栅极阈电压VGE（th）
VGE:
0.1V～+30V
5
零栅压时的集电极电流ICES
100nA~10mA
6
栅极—发射极的漏电流IGES
100nA～10mA
7
正向跨导gm
VCE:
01V～+30V
VGE:
-30V～30V
IC:
10A～500A
8.14
J型场效应管（JFET）
1
栅源截止电压VGS（off）
半导体器件
分立器件
第8部分:
场效应晶体管GB/T4586-1994
VGS:
-30V～+30V
2
饱和漏极电流IDSS
ID:
10µA～10A
3
跨导gfs
VDS:
-30V～+30V
VGS:
-30V～30V
ID:
10µA～10A
IG:
10µA～10A
4
栅极截止电流IGSS
100nA～10mA
5
源栅开路电压VSGO
30V～3kV
6
漏栅开路电压VDGO
30V～3kV
8.15
固态微波功率器件（100MHz～18GHz）
1
输出功率
微波电路放大器测试方法SJ20645-97
-30dBm～+50dBm
2
功率增益
0～40dB
3
功率增益平坦度
0～10dB
4
1dB压缩点输出功率
0～50dBm
5
1dB压缩点功率增益
0～40dB
8.16
洁净间测试
1
洁净度
洁净室施工及验收规范（E.4、E.5）GB50591-2010
只测：
5级～9级
2
温、湿度
只测：
温度15℃～30℃，
湿度：
20%RH～60%RH
8.17
单轴MEMS加速度计（冲击）
1
只测:
灵敏度、满量程输出
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
15g～1500g（g=9.80665m/s2）
8.18
单轴MEMS加速度计（振动）
1
只测：
满量程输出、频率响应范围、灵敏度
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
1g～50g（g=9.80665m/s2）
8.19
三轴MEMS加速度计（冲击）
1
只测：
灵敏度、满量程输出
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
15g～1500g（g=9.80665m/s2）
8.20
三轴MEMS加速度计（振动）
1
只测：
满量程输出量程、频率响应范围、灵敏度
单轴摆式伺服线加速度计试验方法GJB1037A-2004
1g～50g（g=9.80665m/s2）
8.21
MEMS湿度传感器
1
只测：
湿度偏差
高分子湿度传感器总规范SJ20760-1999
20%RH～95%RH
8.22
信号（包括开关）和调整二极管
1
反向电流
GB/T6571-1995
半导体器件分立器件第3部分:
信号（包括开关）和调整二极管
100pA～100mA
2
正向电压
0.1V～30V
8.23
半导体器件
1
热阻
JESD51-14（2010）
基于瞬态双界面法的单一路径散热半导体器件结壳热阻测试方法
电流施加：
0.5mA～50A
电压施加：
10mV～30V
电压测量：
1mV～4.9V
K系数校正温度：
20℃～150℃
定时：
5us～1000s
8.24
功率MOSFET器件
1
栅极电荷
MIL-STD-750F半导体器件试验方法方法3471.2
漏极电流：
1A～150A；
栅极电流：
±（0.1mA～200mA）；
漏极电压：
±（5V～15V）；
栅极电压：
1V～600V；
栅极电荷：
5nC～500nC；
8.25
微电子元件关键几何特征
1
线宽
GB/T16594-1996微米级长度的扫描电镜测量方法TCL/O-WD-5001微电子芯片关键几何尺寸测量方法
0μm～5000μm
2
线长
0μm～5000μm
升级会员 