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1、09级技能大赛试题一、填空题A类1 半导体是一种导电能力介于 导体 与 半导体 之间的物质。2 半导体按导电类型分为 p 型半导体与_n_型半导体。3 N型半导体主要靠 电子 来导电，P型半导体主要靠（空穴） 来导电。4 PN结具有 单向导电性 性能，即加正向电压时，PN结 截止 ;加反向电压时，PN结 导通 ，5 晶体二极管主要参数是 最大整流电流 与 最高反向电压 。6 晶体二极管按所用的材料可分为 硅管 和 锗管 两类；按PN结的结构特点分为点接触型二极管和 面接触二极管 两种。7PN结的正向接法是P型区接电源的 正 极，N型区接电源的 负 极。8晶体二极管的伏安特性可简单理解为 正向

2、导通， 反向 截止的物特性。导通后，硅管的管压降约为 0.7 ，锗管约为 0.2 9P型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。10N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。11晶体三极管的三个电极分别称为 发射 极、 集 极和 集电 极，它们分别用字母 e 、 b 和 c 来表示。12为了使晶体三极管在放大器中正常工用，发射结须加 正 电压，集电结须加 负 电压。13由晶体三极管的输出特性可知，它有 饱和区 ， 截止区 和 放大区 三个区域。14晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做 发射结 ，另一个叫做 集电结 ，15晶体三极管有 p

3、np 型和 npn 两种，硅管以 npn 型居多，锗管以 pnp 型居多。16晶体三极管具有电流放大作用的条件是：第一，使 发射 区的多数载流子浓度高， 发射 区的面积大， 集区 区尽可能地薄；第二、使 发射 结正向偏置， 基电 结反向偏置。17晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib 和集电极电流Ie 之间的关系是 。其中Ie/ Ib叫做 ，用字母 表示；Ie/ Ib叫做 ，用字母 表示。18晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。19硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。20硅晶体三极管发射结的导通电压约为 ，锗晶体三极管发

4、射的导通电压约为 。21当晶体三极管截止时，它的发射结必须是 偏置，集电结必须是 或 偏置。22当晶体三极管处于饱和状态时，安的发射结必定加 电压，集电结必定加 或电压。23当晶体三极管的Uce 一定时，基极与发射极间的电压Ube 与基极电流Ib 之间的关系曲线称为 基极电流Ib 一定时，集电极与发射极间的电压Uce 与集电极电流Ie的关系曲线称为 。24晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ；而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。25晶体三极管的穿透电流Iceo 随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的 比锗三极管好。B类1在判别锗、硅晶体二

5、极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为 时，就认为此二极管为硅二极管。2PN结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。3NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。4有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。若晶体三极管的直流电放大系数=50，要使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 。52AP系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 ，2CP、2CZ系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。6点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触

6、型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。7按用途可的把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。8晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是 和 的比值。C类1晶体二极管的直流电阻(即静态电阻)定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。2晶体二极管的交流电阻(即动态电阻)定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。3晶体二极管的结电容C包含两部分： 和 ，一般 占主要地位。4晶体三极管的伏安特性曲线反映了各极之间的 和 关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。晶体三极管的伏安特性曲线可分为 和 两类。5晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻Rbe和交

7、流输入电阻rbe, Rbe= , rbe= 。工作点变化时，输入电阻 。6晶体三极管的穿透电流Iceo定义为 。它是由 产生的，随温度的增高 。7晶体三极管的集电极 发射极击穿电压BVceo定义为 ，BVceo随温度增高 。8在图1-1中分档开关与1端接通时，电压表V的读数是10V，毫安表mA的读数是20mA。若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关S与2端接通时，毫安表mA的读数应为 ，电压表V的读数为 ；而当开关与3端接通时，mA的读数为 ，V的读数应为 。图1-19晶体三极管的集电极最大允许电流Icm定义为 ，它是晶体

8、三极管工作电流的上限。二、判断题(对的画，错的画X)A类1有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V，说明这个晶体三极管是锗PNP管。( )2晶体三极管由两个PN结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。( )3因为晶体三极管的发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。( )4晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基术断开后还可以作为晶体二极管使用。( )5晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。( )6N型半导体的多数载流

9、子是电子，因此N型半导体带负电。( )7P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。( )8晶体二极管是根据PN结单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。( )9当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中的少数载流子的漂移运动产生的。( )10当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。( )11若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。( )12发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定的工作在放大状态。( )13空穴和电子一亲，都是载流

10、子。( )14.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( )15一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减少。( )16常温下，硅晶体三极管的Ube=0.7V。且随温度升高Ube 也增加。( )B类1用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体二极管的正向电阻，那么，和标有“+”号的测试棒相边接的是晶体的二极管的正极，另一端是负极。( )2国产小功率晶体三极管的务管脚的极性如图1-2所示。( )3N型半导体是在本征半导体中，加少量的三价元素构成的杂质半导体。( )4P型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。( )5在N型半导体中，自由电子的数目比空

11、穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴为少数载流子。( )图126在P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。( )7当外加反向电压增加时，PN结的结电容减少。( )8一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于锗晶体二检管的死区电压。( )C类1晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。2在图1-3所示的电路中，晶体二极管V若为硅管则能导通，为锗管则不导通。( )3在图1-4所示电路中，断开或接上晶体二极管V对电流表A的读数没有影响。( )4当外加电压为零时，PN结的电容最小。(

12、) 图1-35当反向电压小于反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( )6晶体二极管地击穿后立即烧毁。( )7特定的晶体二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作的变化而改变。( )8特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。( )9当晶体三极管的工作电流小于集电极最大允许电流，且Uce小于BVceo 时，晶体三极管就能安全工作。( )图1-4三、选择题 (将正确答案的序号写在括号内)A类1当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是( )。a. 多数载流子； b. 少数载流子； c.既有多数载流子又有少数载

13、流子2如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管( )。a. 正常； b. 已被击穿； c.内部断路3如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管( )。a. 正常； b. 已被击穿； c.内部断路4当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于( )。a. 饱和状态； b. 放大状态； c.截止状态5当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于( )。a. 截止状态； b. 放大状态； c.饱和状态6当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于( )。a. 放大状态； b. 饱和状态； c.截止状态7晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。

14、a. 随基极电流的增加而增加； b.随基极电流的增加而减小 ；c.与基极电流变化无关，只决定于Ec和Rc8. 当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将( )。a. 反向； b. 增大； c. 中断9. 硅晶体三极管各电极对地电位如图1-5所示，则该晶体三极管的工和状态是( )。a. 饱和； b. 正常放大； c. 截止10当温度升高时，半导体电阻将( )。a. 增大； b. 减小； c. 不变 图1-5B 类1晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该晶体二极管处于( )。a. 反偏； b. 正偏； c. 零偏2当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将(

15、)。a. 增大； b. 减小； c. 不变3在二极管特性的正向区，晶体二极管相当于( )。a. 大电阻； b. 接通的开关； c. 断开的开关4用直流电压表测某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，如图1-6所示，各电极对地的电位是：U1=2V，U 2=6V，U 3=2.7V，则该晶体三极管各管脚的名称是( )。a. 1脚为e，2脚为b，3脚为c； b. 1脚为e，2脚为c，3脚为b；c.1脚为b，2脚为e，3脚为c；5用直流电压表测量NPN型晶体三极管电路，晶体三极管电极对地电位是：Ub=4.7V，Uc=4.3V，Ue=4V(图1-7)，则该晶体三极管的工作状态是( )a. 截止状态； b.

16、饱和状态； c.放大状态C类1点接触型晶体二极管比较适用于( )。a.大功率整流； b.小信号检波； c.小电流开关2面接触型晶体二极管比较适用于( )。 图1-6a.高频检波； b.大功率整流； c.大电流开关3用万用表欧姆档测量小功第晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到( )a. RX100或RX1K档；b.RX1档；c. RX10档4半导体中的自由电子和空穴的数目本等，这样的半导体称为( )半导体。a . N型； b. P型； c.本征5当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时，该晶体二极管相当于( )。a .很小的电阻； b. 很大的电阻； c.短路6晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧

17、毁的现象称为( )。图1-7a. 齐纳击穿； b. 雪崩击穿； c.热击穿一、填空题A类1导体；绝缘体 2N；P 3电子；空穴 4单向导电；导通；截止 5电大正向电流；电高反向 电压 6锗；硅；点接触型； 1正； 负 8正向；反向； 0.7V； 0.2V 9空穴；电子 10电子；空穴 11发射； 基； 集电；e；b；c 12正向；反向 13截止区；放大区；饱和区 14集电结； 发射结 15PNP；NPN；NPN；PNP 16发射；集电；基；发射；集电 17Ie=Ib+Ic；直流放大系数；交流电流放大系数； 18基极；集电极；微小；较大 190.3V；0.1V 200.7V；0.3V 21反向；

18、反向；零 22正向；正向；零 23输入特性曲线；输出特性曲线 24较差；不稳定 25小得多；热稳定性B类10.2V；0.7V 2扩散；漂移 3N；N；P 40.12mA 5锗；低；硅；高 6不；高频；超高频；大功率 7检波二极管；整流二极管；稳压二极管；开关二极管；变压二极管 8伏安特性；Ube的增量；Ib的增量C类1R=UV/IV；也要改变 2R=UV/IV；也要改变 3PN结电容；引线和壳体电容；PN结电容 4电压；电流；输入特性曲线；输出特性曲线 5Ube/Ib；Ube/Ib；也随之变化 6基极开路时集电极流向发射极的电流；少数截流子；而增高 7基极开路时Uce的最大允许电压值；而减小

19、8100mA；50V；0mA；0V 9下降到最大值的一半时的Ic值二、判断题A类1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16B类1 2 3 4 5 6 7 8C类1 2 3 4 5 6 7 8 9三、选择题A类1a 2c 3b 4c 5c 6a 7c 8c 9b 10BB类1a 2a 3b 4b 5b一、填空题A类1晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用 耦合电路。2放大器的静态是指 时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用 方法确定，也可以用 方法确定。3表征放大器中晶体极管的动态工作点的参数有 、 和 。4晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为

20、放大和 放大两类。5为了使大顺输出波形失真，除需设置 外，还需要采用 的方法，且输入信号幅度要适中。6从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的 ，近似等于 。7.从放大器输出端看进去的等效电阻称为放大器的 ，近似等于 。8在放大电路中，为达到阻抗匹配的目的，常采用 进行阻抗变换。9.功率放大器按工作状态可分为 放大和 放大。10对功率放大器的要求是 、 和 。11根据反馈的本相位不同，可分为 和 两种，在放大器中主要有采用 ， 主要用于振荡器。12所谓电压反馈是指 ，所谓电流反馈是指 。13常用的耦合方式有 、 和 三种形式。它们各主要用于 、 和 。14.阻容耦合放大器的特点是 ，因此它常

21、被用在 作为电压放大器。15为了能使功率放大器输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在 。16功率放大器主要用作 ，以供给负载 。功率放大器的形式主要有 和 两类。17按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成 、 和 三种基本电路。18共发射极电路的输入端由 和 组成，输出端由 和 组成，它不但具有 放大、 放大作用，而且其或第增益也是三种基本线路中最大的。19晶体三极管是依靠基极电流控制集电流的，而场效应晶体管则是以 控制 的，所以它的输入阻抗 。20场效应晶体管的静太工作点由 、 和 确定。B类1共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为 ，这是放大器的重要特征，称为 。2在晶体三

22、极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作 点设置太低将产生 失真，静态工作点设置太高将产生 失真。3在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使Ic的 半周用Uce的 半周失真静态工作点设置太低时，会使有Ic的 半周及Uce的 半周失真。4晶体三极管在放大状态时Uce承Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将 如果Ib减小，则Uce将 。因此，Ib可以起调节电压作用。5.在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb，则静态工作点沿着负载线 ，容易出现 失真若增在Rb，工作点沿着负载线 ，容易出现 失真。6如果晶体三极管放大器Ec增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的

23、静态工作点将承负载线 移。7在晶体三极管放大器中Rc减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变 。8对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 些，以减轻信号源的负担，输出电阻 些，以增大带负载的能力。9变压器耦合的推挽功率放大器，当静态工作点Ie=0时，常产生 失真，为减小这个失真，通常都加 电路。10.共发射极电路的输出电压输入电压有 的相位关系，所以该电路有时被称为 。11由于电容C有 ，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的 部分。12所谓图解公析法，说是利用 ，通过作图来分析 。13为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选

24、在 。14分压式电流负反馈偏置电路中，Re的数值一般为 。另外，因Re同样会对交流信号产生 ，使交流信号减小，所以应在Re的两端 。15.推挽功率放大电路由两只 的晶体三极管组成，且两管的输入信号 、 。由此可知，在输入信号的一个周期内，两只晶体三极管是 工作。16当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性 ，故在两和交替工作时将产生 。17场效应晶体管主要有 和 两类。18场效应晶体管一般采用 和 两和偏置电路。19.由于场效应晶体管几乎在 ，所以其输入直流电阻 。C类1由于负载电阻RL的接入，对交流信号来说，负载线的斜率将由 代替，新的负载线比原来的要 ，其中R

25、L为 。2由于晶体三极管参数的 较大，即使同一种型号的晶体三极管，它的 差别也相当大，而且在小信号时也无法作图。另外，计算放大电路的 和 很困难，因此要用微变等效电路来分析计算。3为了保证功率放大器晶体三极管的使用安全，即要选用 、 足够大的晶体三极管，还应注意 。4晶体三极管交流放大器级间耦合方式有 、 和 。5在多级放大器中， 的输入电阻是 的负载， 的输出电阻是 的信号源内阻 放大器输出信号是 放大器输入信号电压。图2-1 b)6在为功率放大器选用晶体三极管时，应考虑 、 和 三个参数。在实际工作中，除Ic不得不大于Icm，Uce不得大于BVceo外Ic与Uce的乘积不得大于 。7在图2

26、-1a所示电路中，输入电压Ui，请在图2-1b所示坐标中填 入适当的交流信号波形图。8场效应晶体管只依靠 的运动而工作，因此又称场效应晶体管为 晶体管晶体三极管的工作则与 和 的运动都有关，因此又称晶体三极管为 晶体管。9场效应晶体管的工作特性受温度的影响比晶体三极管来得 。10实际工作中，焊接MOS管时，三个电极的焊接次序是 、 、 。二、判断题(对的画o，错的画X)A类1、为了使变压器耦合的单管功率放大器有足够磊的输出功率，允许晶体三极管工作在极限状态。( )2为了保证变压器耦合的单管功率放大器中的晶体三级管不被反向击穿，晶体三极管的BVceo应略大于电源电压E。( )3当输入信号为零时，

27、输出功率也为零，电源供电路的功率最小，因此这时单管功率放大器的效率电高。( )4当单管功率放大器有交流信号输入时，输出功率为EcIc/2，所以效率最低。( )5甲类单管功率放大器的效率低，其主要是静态工作点在选在交流负载线的中点，使静态电沪Ic很大造成的。( )6.推挽功率放大器输入交流信号时，总有一只晶体三极管是截止的，所以输出波形必然失真。( )7只要保证推挽功率放大器的两只晶体三极管有合适的静态工作点，且都处于放大状态，就可以保证输出信号不失真。( )8.在推挽功率放大器，当两只晶体三极管有合适的偏流时，就可消除交越失真。( )9由于推挽功率放大器的静态电流Ic比单管功率放大器小得多，故

28、根据PB=IcEc，可以得出推挽功率放大电路的效率放大电路低。( )10.在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加正向电压，集电结加反向电压。( )11在晶体三极管低步是压放大电路中，输入电压波形如图2-2a所示，那么输出波形应该如图2-2b所示。( )12在图2-3所示电路中，设输入信号为Umsin(t+180)，Kv为电压放大倍数，则输出电压为Usc=KvUmsin(t +0)。13在图2-3中，设Ub为基极静态电位，若Rb2短路，则Ub=0。( )14.场效应晶体管的内部噪声比晶体三极管大，它不可用于高灵敏的接收装置。( )15同晶体三极管一样，场效应晶体管也是电流控制元件。( )

29、B类1某晶体三极管的BVceo=25V，Icm=125mA，Pcm=125mW，那么I=130mA，Uce=5V。( )2为了驱动灯泡发光，可以采用图2-4所示的电路。( )3在图2-5所示电路中，微安表读数最大的是图2-5b。( )4图2-6所示电路对交流正弦电压信号有放大作用。( ) 图2-4a) b) c)图2-55NPN型晶体三极管工作在放大区时，Ucb 必然大于零。( )6当单级放大器的静态工作过高时，根据Ib=Ic/，可选用大的晶体三极管来减小Ib。( )7当单级放大器的静态工作点过高时，可减小电源电压Ec，使直流负载线向下平移。( )8当单级放大器的静态工作点过高时，可减小集电极

30、电阻Rc，使直流负载线的低利率减小。( )9当单级放大器的静态工作点过高时，在Ec和Rc 不变的情况下，可增加基极电阻Rb,使Ib减小。( )10图2-7所示电路，利用Rb1和Rb2组成的分压器固定了基极电位，所以Ib就固定不变，根据Ic=Ib,则Ic也就固定不变。( ) 图2-611图2-7所示电路，利用发射极电阻Re,将Ie的变化以电压的形式反馈到输入回路。当UbUbe 时,就认为Ue也基本不变，所以可认为Ie是恒定的。( )12. 图2-7所示电路是以Ic随温度的变化来牵制Ie，从而使Ie近似恒定不变的。( )13. 图2-7所示电路稳定工作点的实质，是通过Ic的变化引起Rc上的电压降变化而实现的。( )14图2-7所示电路利用了电流负反馈，所以Rc愈小，Re两端的电压变化收起的Ie的变化就愈大，负反馈就愈强，电路的稳定作用就越显著。( )15有的场效应晶体管的漏极可以和源极交换使用，