09级技能大赛试题.docx

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09级技能大赛试题

一、填空题

A类

1．半导体是一种导电能力介于导体与半导体之间的物质。

2．半导体按导电类型分为p型半导体与_n____型半导体。

3．N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠（空穴）来导电。

4．PN结具有单向导电性性能，即加正向电压时，PN结截止;加反向电压时，PN结导通，

5．晶体二极管主要参数是最大整流电流与最高反向电压。

6．晶体二极管按所用的材料可分为硅管和锗管两类；按PN结的结构特点分为点接触型二极管

和面接触二极管两种。

7．PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。

8．晶体二极管的伏安特性可简单理解为正向导通，反向截止的物特性。

导通后，硅管的管压降约为0.7，锗管约为0.2

9．P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

10．N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

11．晶体三极管的三个电极分别称为发射极、集极和集电极，它们分别用字母e、b和c来表示。

12．为了使晶体三极管在放大器中正常工用，发射结须加正电压，集电结须加负电压。

13．由晶体三极管的输出特性可知，它有饱和区，截止区和放大区三个区域。

14．晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做发射结，另一个叫做集电结，

15．晶体三极管有pnp型和npn两种，硅管以npn型居多，锗管以pnp型居多。

16．晶体三极管具有电流放大作用的条件是：

第一，使发射区的多数载流子浓度高，发射区的面积大，集区区尽可能地薄；第二、使发射结正向偏置，基电结反向偏置。

17．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ie之间的关系是。

其中Ie/Ib叫做，用字母表示；△Ie/△Ib叫做，用字母表示。

18．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流。

19．硅晶体三极管的饱和电压降为，锗晶体三极管的饱和电压降为。

20．硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射的导通电压约为。

21．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是或偏置。

22．当晶体三极管处于饱和状态时，安的发射结必定加电压，集电结必定加或

电压。

23．当晶体三极管的Uce一定时，基极与发射极间的电压Ube与基极电流Ib之间的关系曲线称为基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流Ie的关系曲线称为。

24．晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将；而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能。

25．晶体三极管的穿透电流Iceo随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管，所以硅三极管的比锗三极管好。

B类

1．在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。

2．PN结中的内电场阻止多数载流子的运动，促进少数载流子的运动。

3．NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。

4．有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。

若晶体三极管的直流电放大系数β=50，要使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为。

5．2AP系列晶体二极管是材料做成的，其工作温度较，2CP、2CZ系列晶体二极管是材料做成的，其工作温度较。

6．点接触型晶体二极管因其结电容，可用于和的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于的场合。

7．按用途可的把晶体二极管分为、、、、等。

8．晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是和的比值。

C类

1．晶体二极管的直流电阻（即静态电阻）定义为，如果工作点改变，交流电阻。

2．晶体二极管的交流电阻（即动态电阻）定义为，如果工作点改变，交流电阻。

3．晶体二极管的结电容C包含两部分：

和，一般占主要地位。

4．晶体三极管的伏安特性曲线反映了各极之间的和关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。

晶体三极管的伏安特性曲线可分为和两类。

5．晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻Rbe和交流输入电阻rbe,Rbe=,rbe=。

工作点变化时，输入电阻。

6．晶体三极管的穿透电流Iceo定义为。

它是由产生的，随温度的增高。

7晶体三极管的集电极发射极击穿电压BVceo定义为，BVceo随温度增高。

8．在图1-1中分档开关与1端接通时，电压表V的读数是10V，毫安表mA的读数是20mA。

若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关S与2端接通时，毫安表mA的读数应为，电压表V的读数为；而当开关与3端接通时，mA的读数为，V的读数应为。

图1-1

9．晶体三极管的集电极最大允许电流Icm定义为，它是晶体三极管工作电流的上限。

二、判断题（对的画О，错的画X）

A类

1．有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V和-6.2V，说明这个晶体三极管是锗PNP管。

（）

2．晶体三极管由两个PN结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。

（）

3．因为晶体三极管的发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。

（）

4．晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基术断开后还可以作为晶体二极管使用。

（）

5．晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。

（）

6．N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。

（）

7．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。

（）

8．晶体二极管是根据PN结单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。

（）

9．当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中的少数载流子的漂移运动产生的。

（）

10．当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。

（）

11．若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。

（）

12．发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定的工作在放大状态。

（）

13．空穴和电子一亲，都是载流子。

（）

14.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（）

15．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减少。

（）

16．常温下，硅晶体三极管的Ube=0.7V。

且随温度升高Ube也增加。

（）

B类

1．用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体二极管的正向电阻，那么，和标有“+”号的测试棒相边接的是晶体的二极管的正极，另一端是负极。

（）

2．国产小功率晶体三极管的务管脚的极性如图1-2所示。

（）

3．N型半导体是在本征半导体中，加少量的三价元素构成的杂质半导体。

（）

4．P型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。

（）

5．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴为少数载流子。

（）　　　　　　　　　　　　　　　图1－2

6．在P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

（）

7．当外加反向电压增加时，PN结的结电容减少。

（）

8．一般来说，硅晶体二极管的死区电压。

小于锗晶体二检管的死区电压。

（）

C类

1．晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。

2．在图1-3所示的电路中，晶体二极管V若为硅管则能导通，为锗管则不导通。

（）

3．在图1-4所示电路中，断开或接上晶体二极管V对电流表A的读数没有影响。

（）

4．当外加电压为零时，PN结的电容最小。

（）图1-3

5．当反向电压小于反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。

（）

6．晶体二极管地击穿后立即烧毁。

（）

7．特定的晶体二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作的变化而改变。

（）

8．特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。

（）

9．当晶体三极管的工作电流小于集电极最　　　　　　　　　　大允许电流，且Uce小于BVceo时，晶体三极管就能安全工作。

（）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　图1-4

三、选择题（将正确答案的序号写在括号内）

A类

1．当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的是（）。

a.多数载流子；b.少数载流子；c.既有多数载流子又有少数载流子

2．如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（）。

a.正常；b.已被击穿；c.内部断路

3．如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（）。

a.正常；b.已被击穿；c.内部断路

4．当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于（）。

a.饱和状态；b.放大状态；c.截止状态

5．当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处于（）。

a.截止状态；b.放大状态；c.饱和状态

6．当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于（）。

a.放大状态；b.饱和状态；c.截止状态

7．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）。

a.随基极电流的增加而增加；b.随基极电流的增加而减小；c.与基极电流变化无关，只决定于Ec和Rc

8.当晶体三极管的基极电源使发射结反向时，则晶体三极管的集电极电流将（）。

a.反向；b.增大；c.中断

9.硅晶体三极管各电极对地电位如图1-5所示，则该晶体三极管的工和状态是（）。

a.饱和；b.正常放大；c.截止

10．当温度升高时，半导体电阻将（）。

a.增大；b.减小；c.不变　图1-5

B类

1．晶体二极管的阳极电位是-20V，阴极电位是-10V，则该晶体二极管处于（）。

a.反偏；b.正偏；c.零偏

2．当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。

a.增大；b.减小；c.不变

3．在二极管特性的正向区，晶体二极管相当于（）。

a.大电阻；b.接通的开关；c.断开的开关

4．用直流电压表测某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，如图1-6所示，各电极对地的电位是：

U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则该晶体三极管各管脚的名称是（）。

a.1脚为e，2脚为b，3脚为c；b.1脚为e，2脚为c，3脚为b；

c.1脚为b，2脚为e，3脚为c；

5．用直流电压表测量NPN型晶体三极管电路，晶体三极管电极对地电位是：

Ub=4.7V，Uc=4.3V，Ue=4V（图1-7），则该晶体三极管的工作状态是（）

a.截止状态；b.饱和状态；c.放大状态

C类

1．点接触型晶体二极管比较适用于（）。

a.大功率整流；b.小信号检波；c.小电流开关

2．面接触型晶体二极管比较适用于（）。

图1-6

a.高频检波；b.大功率整流；c.大电流开关

3．用万用表欧姆档测量小功第晶体二极管的特性好坏时，应把欧姆档拨到（）

a.RX100Ω或RX1KΩ档；b.RX1Ω档；c.RX10Ω档

4．半导体中的自由电子和空穴的数目本等，这样的半导体称为（）半导体。

a.N型；b.P型；c.本征

5．当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时，该晶体二极管相当于（）。

a.很小的电阻；b.很大的电阻；c.短路

6．晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧毁的现象称为（）。

　　图1-7

a.齐纳击穿；b.雪崩击穿；c.热击穿

一、填空题

A类

1．导体；绝缘体2．N；P3．电子；空穴4．单向导电；导通；截止5．电大正向电流；电高反向电压6．锗；硅；点接触型；1．正；负8．正向；反向；0.7V；0.2V9．空穴；电子10．电子；空穴11．发射；基；集电；e；b；c12．正向；反向13．截止区；放大区；饱和区14．集电结；发射结15．PNP；NPN；NPN；PNP16．发射；集电；基；发射；集电17．Ie=Ib+Ic；直流放大系数；

；交流电流放大系数；

18．基极；集电极；微小；较大19．0.3V；0.1V20．0.7V；0.3V21．反向；反向；零22．正向；正向；零23．输入特性曲线；输出特性曲线24．较差；不稳定25．小得多；热稳定性

B类

1．0.2V；0.7V2．扩散；漂移3．N；N；P4．0.12mA5．锗；低；硅；高6．不；高频；超高频；大功率7．检波二极管；整流二极管；稳压二极管；开关二极管；变压二极管8伏安特性；Ube的增量；Ib的增量

C类

1．R=UV/IV；也要改变2．R=ΔUV/ΔIV；也要改变3．PN结电容；引线和壳体电容；PN结电容4．电压；电流；输入特性曲线；输出特性曲线5．Ube/Ib；ΔUbe/ΔIb；也随之变化6．基极开路时集电极流向发射极的电流；少数截流子；而增高7．基极开路时Uce的最大允许电压值；而减小8．100mA；50V；0mA；0V9．

下降到最大值的一半时的Ic值

二、判断题

A类

1．Ο2．×3．×4．×5．×6．×7．×8．Ο9．Ο10．Ο11．Ο12．×13．Ο14．Ο15．×16．×

B类

1．×2．×3．×4．×5．Ο6．×7．Ο8．×

C类

1．Ο2．×3．×4．×5．Ο6．×7．×8．×9．×

三、选择题

A类

1．a2．c3．b4．c5．c6．a7．c8．c9．b10．B

B类

1．a2．a3．b4．b5．b

一、填空题

A类

1．晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用耦合电路。

2．放大器的静态是指时的工作状态，静态工作点可根据电路参数用方法确定，也可以用方法确定。

3．表征放大器中晶体极管的动态工作点的参数有、和。

4．晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为放大和放大两类。

5．为了使大顺输出波形失真，除需设置外，还需要采用的方法，且输入信号幅度要适中。

6．从放大器输入端看进去的等效电阻称为放大器的，近似等于。

7.从放大器输出端看进去的等效电阻称为放大器的，近似等于。

8．在放大电路中，为达到阻抗匹配的目的，常采用进行阻抗变换。

9.功率放大器按工作状态可分为放大和放大。

10．对功率放大器的要求是、和。

11．根据反馈的本相位不同，可分为和两种，在放大器中主要有采用，主要用于振荡器。

12．所谓电压反馈是指，所谓电流反馈是指。

13．常用的耦合方式有、和三种形式。

它们各主要用于、和。

14.阻容耦合放大器的特点是，因此它常被用在作为电压放大器。

15．为了能使功率放大器输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在。

16．功率放大器主要用作，以供给负载。

功率放大器的形式主要有和两类。

17．按晶体三极管在电路中不同的连接方式，可组成、和三种基本电路。

18．共发射极电路的输入端由和组成，输出端由和组成，它不但具有放大、放大作用，而且其或第增益也是三种基本线路中最大的。

19．晶体三极管是依靠基极电流控制集电流的，而场效应晶体管则是以控制的，所以它的输入阻抗。

20．场效应晶体管的静太工作点由、和确定。

B类

1．共发射极单管放大电路，输出电压与输入电压相位差为，这是放大器的重要特征，称为。

2．在晶体三极管放大器中，当输入电流一定时，静态工作点设置太低将产生失真，静态工作点设置太高将产生失真。

3．在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，静态工作点设置太高，会使Ic的半周用Uce的半周失真﹔静态工作点设置太低时，会使有Ic的半周及Uce的半周失真。

4．晶体三极管在放大状态时Uce承Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将﹔如果Ib减小，则Uce将。

因此，Ib可以起调节电压作用。

5.在晶体三极管放大电路中，如果其它条件不变，减小Rb，则静态工作点沿着负载线，容易出现失真﹔若增在Rb，工作点沿着负载线，容易出现失真。

6．如果晶体三极管放大器Ec增大，而其它条件不变，则晶体三极管放大器的静态工作点将承负载线移。

7．在晶体三极管放大器中Rc减小，而其它条件不变，则晶体三极管负载线变。

8．对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增大带负载的能力。

9．变压器耦合的推挽功率放大器，当静态工作点Ie=0时，常产生失真，为减小这个失真，通常都加电路。

10.共发射极电路的输出电压输入电压有的相位关系，所以该电路有时被称为。

11．由于电容C有，所以，交流放大器负载两端的电压，只是晶体三极管c、e极间总电压的部分。

12．所谓图解公析法，说是利用，通过作图来分析。

13．为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大，并且有最大的动态范围，静态工作点应选在。

14．分压式电流负反馈偏置电路中，Re的数值一般为。

另外，因Re同样会对交流信号产生，使交流信号减小，所以应在Re的两端。

15.推挽功率放大电路由两只的晶体三极管组成，且两管的输入信号、。

由此可知，在输入信号的一个周期内，两只晶体三极管是工作。

16．当推挽功率放大器两只晶体三极管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性，故在两和交替工作时将产生。

17．场效应晶体管主要有和两类。

18．场效应晶体管一般采用和两和偏置电路。

19.由于场效应晶体管几乎在，所以其输入直流电阻。

C类

1．由于负载电阻RL的接入，对交流信号来说，负载线的斜率将由代替，新的负载线比原来的要，其中RL’为。

2．由于晶体三极管参数的较大，即使同一种型号的晶体三极管，它的差别也相当大，而且在小信号时也无法作图。

另外，计算放大电路的和很困难，因此要用微变等效电路来分析计算。

3．为了保证功率放大器晶体三极管的使用安全，即要选用、足够大的晶体三极管，还应注意。

4．晶体三极管交流放大器级间耦合方式有、和。

5．在多级放大器中，的输入电阻是的负载，的输出电阻是的信号源内阻﹔放大器输出信号是放大器输入信号电压。

图2-1b）

6．在为功率放大器选用晶体三极管时，应考虑、和三个参数。

在实际工作中，除Ic不得不大于Icm，Uce不得大于BVceo外Ic与Uce的乘积不得大于。

7．在图2-1a所示电路中，输入电压Ui，请在图2-1b所示坐标中填入适当的交流信号波形图。

8．场效应晶体管只依靠的运动而工作，因此又称场效应晶体管为晶体管﹔晶体三极管的工作则与和的运动都有关，因此又称晶体三极管为晶体管。

9．场效应晶体管的工作特性受温度的影响比晶体三极管来得。

10．实际工作中，焊接MOS管时，三个电极的焊接次序是、、。

二、判断题（对的画o，错的画X）

A类

1、为了使变压器耦合的单管功率放大器有足够磊的输出功率，允许晶体三极管工作在极限状态。

（）

2．为了保证变压器耦合的单管功率放大器中的晶体三级管不被反向击穿，晶体三极管的BVceo应略大于电源电压E。

（）

3．当输入信号为零时，输出功率也为零，电源供电路的功率最小，因此这时单管功率放大器的效率电高。

（）

4．当单管功率放大器有交流信号输入时，输出功率为EcIc/2，所以效率最低。

（）

5．甲类单管功率放大器的效率低，其主要是静态工作点在选在交流负载线的中点，使静态电沪Ic很大造成的。

（）

6.推挽功率放大器输入交流信号时，总有一只晶体三极管是截止的，所以输出波形必然失真。

（）

7．只要保证推挽功率放大器的两只晶体三极管有合适的静态工作点，且都处于放大状态，就可以保证输出信号不失真。

（）

8.在推挽功率放大器，当两只晶体三极管有合适的偏流时，就可消除交越失真。

（）

9．由于推挽功率放大器的静态电流Ic比单管功率放大器小得多，故根据PB=IcEc，可以得出推挽功率放大电路的效率放大电路低。

（）

10.在晶体三极管放大电路中，晶体三极管的发射结上加正向电压，集电结加反向电压。

（）

11．在晶体三极管低步是压放大电路中，输入电压波形如图2-2a所示，那么输出波形应该如图2-2b所示。

（）

12．在图2-3所示电路中，设输入信号为Umsin×（ωt+180°），Kv为电压放大倍数，则输出电压为Usc=KvUmsin（ωt+0°）。

13．在图2-3中，设Ub为基极静态电位，若Rb2短路，则Ub=0。

（）

14.场效应晶体管的内部噪声比晶体三极管大，它不可用于高灵敏的接收装置。

（）

15．同晶体三极管一样，场效应晶体管也是电流控制元件。

（）

B类

1．某晶体三极管的BVceo=25V，Icm=125mA，Pcm=125mW，那么I=130mA，Uce=5V。

（）

2．为了驱动灯泡发光，可以采用图2-4所示的电路。

（）

3．在图2-5所示电路中，微安表读数最大的是图2-5b。

（）

4．图2-6所示电路对交流正弦电压信号有放大作用。

（）图2-4

a）b）c）

图2-5

5．NPN型晶体三极管工作在放大区时，Ucb必然大于零。

（）

6．当单级放大器的静态工作过高时，根据Ib=Ic/

，可选用

大的晶体三极管来减小Ib。

（）

7．当单级放大器的静态工作点过高时，可减小电源电压Ec，使直流负载线向下平移。

（）

8．当单级放大器的静态工作点过高时，可减小集电极电阻Rc，使直流负载线的低利率减小。

（）

9．当单级放大器的静态工作点过高时，在Ec和Rc不变的情况下，可增加基极电阻Rb,使Ib减小。

（）

10．图2-7所示电路，利用Rb1和Rb2组成的分压器固定了基极电位，所以Ib就固定不变，根据Ic=

Ib,则Ic也就固定不变。

（）图2-6

11．图2-7所示电路，利用发射极电阻Re,将Ie的变化以电压的形式反馈到输入回路。

当Ub》Ube时,就认为Ue也基本不变，所以可认为Ie是恒定的。

（）

12.图2-7所示电路是以Ic随温度的变化来牵制

Ie，从而使Ie近似恒定不变的。

（）

13.图2-7所示电路稳定工作点的实质，是通过Ic的变化引起Rc上的电压降变化而实现

的。

（）

14．图2-7所示电路利用了电流负反馈，所以Rc愈小，Re两端的电压变化收起的Ie的变化就愈大，负反馈就愈强，电路的稳定作用就越显著。

（）

15．有的场效应晶体管的漏极可以和源极交换使用，