芯片测试规范Word格式文档下载.docx

1、 6.1：如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启10次） 6.2：如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：500M/拷贝次数/重启5次） PS：1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1 2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上； 3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。7.常温老化：PND我们一般

2、跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；8.高低温老化：环境（60度，-10度） 基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。 从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。输出精度记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值，进行计算纹波及噪声如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子，将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。开关频率测试纹波的同时

3、，记录相应的纹波频率，即为开关频率电压调整率1）设置可调电子负载，使电源满载输出；2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；5按下式计算：电压调整率=（U- U0）/U0100式中：U为U1 和U2中相对U0变化较大的值；负载调整率1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；4）负载调整率按以下公式计算：负载调整率=（U- U0）/U0电

4、源效率电源效率随负载大小变化，如图3所示。25、80%负载情况下电源效率测试方法如下：1）调节电子负载，保证输出电流为80%满载情况；此时对应的输出电压记为U0，电流记为I0；2）调节输入端可调电源，保证给电源芯片提供额定输入电压U1，并记录此时可调电源的输出电流，记为I1；3）电源效率按以下公式计算：电源效率=（U0I0）/（U1I1）输出最大功率该参数与环境温度有关，如图4所示。该测试可借助高温环境实验进行空载对应芯片功耗电源输出端为空载时，记录此时对应可调电源对应的电压、对应电流，分别记为U、I，则：空载功耗=UI；隔离电压只针对隔离DC/DC隔离电阻芯片最大温升（结温）如果手册给出芯片

5、结-壳之间热阻系数JC：1）将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳体表面；2）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；3）待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0；4）则芯片结温=T0+ P0JC;如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数JA：1）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；2）记录测试现场对应环境温度，记为T0;3）则芯片结温= T0+ P0JA比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1T3?工作环境温度借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求存储环境温度借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求图2 电源纹波测试图3 电源效率曲线图4 输出功率曲线 以下无正文