芯片测试规范Word格式文档下载.docx

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6.1：

如果替代料是FLASH的话，我们一般需要做10个循环的拷贝校验（我们测试工具APK设置：

500M/拷贝次数/重启10次）

6.2：

如果替代料是DDR的话，我们也需要验证DDR的运行稳定性，那么也需要做循环拷贝校验（测试工具APK设置：

500M/拷贝次数/重启5次）

PS：

1.拷贝次数=（FLASH可用容量*1024M/500M）-1

2.DDR验证只需要验证运行稳定性，所以一般做3-5个循环就OK了，FLASH要求比较严格，一般需要做10个循环以上；

3.考虑到FLASH压力测试超过20次以上可能会对MLC造成影响，故对于验证次数太多的机器出货前需要更换。

7.常温老化：

PND我们一般跑模拟导航持续运行12H，安卓我们一般运行MP4-1080P持续老化12H，老化后需要评估休眠唤醒是否正常；

8.高低温老化：

环境（60度，-10度）

基于高低温下DDR运行稳定性或存在一定的影响，DDR替代需要进行高低温老化，我们PND一般运行模拟导航、安卓因为运行模导不太方便，就运行MP4各持续老化12H。

从多年的经验来看，FLASH对于温度要求没有这么敏感。

输出精度

√

记录电源芯片所有可能的输出电压最大值、最小值，进行计算

纹波及噪声

如图2所示，测试时，在输入端磁片电容两侧焊接两“牛角”引线，示波器探头去掉负端夹子，将示波器探针和负端金属环直接贴在磁片电容的两“牛角”上。

开关频率

测试纹波的同时，记录相应的纹波频率，即为开关频率

电压调整率

1）设置可调电子负载，使电源满载输出；

2）调节电源芯片输入端可调电源的电压，使输入电压为下限值，记录对应的输出电压U1；

3）增大输入电压到额定值，记录对应的输出电压U0；

4）调节输入电压为上限值，记录对应的输出电压U2；

5〕按下式计算：

电压调整率={（U-U0）/U0}×

100％

式中：

U为U1和U2中相对U0变化较大的值；

负载调整率

1）输入电压为额定值，输出电流取最小值，记录最小负载量的输出电压U1；

2）调节负载为50%满载，记录对应的输出电压U0；

3）调节负载为满载，记录对应的输出电压U2；

4）负载调整率按以下公式计算：

负载调整率={（U-U0）/U0}×

电源效率

电源效率随负载大小变化，如图3所示。

25℃、80%负载情况下电源效率测试方法如下：

1）调节电子负载，保证输出电流为80%满载情况；

此时对应的输出电压记为U0，电流记为I0；

2）调节输入端可调电源，保证给电源芯片提供额定输入电压U1，并记录此时可调电源的输出电流，记为I1；

3）电源效率按以下公式计算：

电源效率={（U0×

I0）/（U1×

I1）}×

输出最大功率

该参数与环境温度有关，如图4所示。

该测试可借助高温环境实验进行

空载对应芯片功耗

电源输出端为空载时，记录此时对应可调电源对应的电压、对应电流，分别记为U、I，则：

空载功耗=U×

I；

隔离电压

只针对隔离DC/DC

隔离电阻

芯片最大温升

（结温）

如果手册给出芯片结-壳之间热阻系数θJC：

1）将温度传感器或点温计贴于待测电源芯片壳体表面；

2）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；

3）待电源芯片工作稳定后，读出对应芯片壳体表面温度，记为T0；

4）则芯片结温=T0+P0×

θJC;

如果手册给出的是芯片结-环境之间的热阻系数θJA：

1）调节电子负载，保证满载输出，假定此时对应的输出功率为P0；

2）记录测试现场对应环境温度，记为T0;

3）则芯片结温=T0+P0×

θJA

比较计算所得芯片结温（T1）与该电源芯片所允许最大结温（T2），设公司要求的此类电源温度降额为T3，则验证T2-T1>

T3?

工作环境温度

借助高、低温实验进行，观察在高温、低温环境下，电源对应的输出是否满足相应精度要求

存储环境温度

借助环境实验进行，在进行存储之后，电源对应的输出是否满足相应精度要求

图2电源纹波测试

图3电源效率曲线

图4输出功率曲线

——以下无正文