电子技术基础数字部分第五版答案康华光Word格式.docx

1、解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期， T=10ms频率为周期的倒数， f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比， q=1ms/10ms*100%=10%1.2 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 42.（2）127 （4）2.718（2）（127）D=-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H 72（4）（2.718 ）D=（10.1011）B=（2.54）O=（2.B）H1.4 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421B

2、CD码：（1）43 （3）254.25（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASC码的表示： P28（1）+ （2）（3）you （4）43首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASC码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。解: （a） 为与非， （b） 为同或非，即异或4由已知函数的与非 - 与非表达式画出逻辑图OLV=0.1V, ILV=1.5V, 因此有 :（1） =0 ViILV=1.5V, 属于逻辑门 0（2） 1.5V=ViILV, 属于逻辑门 0（3） 0.1ViILV=1.5V, 属于逻辑门 0（4） 由于 CMOS管的栅极电流非常小

3、, 通常小于 1uA,在 10k 电阻上产生的压降小于 10mV即高阻13.1.12 （a）AL1.1.3vmA. 4441.1.4vmA.2 ）由真值表画卡诺图输入输出BCL=C_LC=第六章 习题答案1.1.5 已知某时序电路的状态表如表题 61，6 所示，输人为 A，试画出它的状态图。如果电路的初始状态在 b，输人信号 A 依次是 0、1、0、1、1、1、1，试求其相应的输出。 根据表题 6。16 所示的状态表， 可直接画出与其对应的状态图， 如图题解 61。6（a）所示。当从初态 b 开始，依次输人 0、1、0、1、1、1、1 信号时，该时序电路将按图题解 6，16（b）所示的顺序改变

4、状态，因而其相应的输出为 1、0、1、0、1、0、1。1.3 试分析图题 6。21（a）所示时序电路，画出其状态表和状态图。设电路的初始状态为 0，试画出在图题 621（b）所示波形作用下， Q和 z 的波形图。状态方程和输出方程：1.1.6 分析图题 62。4 所示电路，写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程，画出状态表和状态图。激励方程状态方程1.1.7 分析图题 62。1.1.8 分析图题 62。1.1.9 分析图题 62。1.1.10 分析图题 62。1.1.11 分析图题 62。1.1.12 分析图题 62。（1）状态表，激励表（2）用卡诺图化简得激励方程（3）画出电路图（4）检查

5、自启动能力。当计数器进入无效状态 110 时，在 CP脉冲作用下，电路的状态将按采用 8K 8 位的 sRAM构成 16K 16 位的存储器系统，必须同时进行字扩展和位扩展。用 2 片 8K 8 位的芯片，通过位扩展构成 8K 16 位系统，此时需要增加 8 根数据线。要将8K 16 位扩展成 16K 16 位的存储器系统，还必须进行字扩展。因此还需 2 片 8K 8 位的芯片通过同样的位扩展，构成 8K 16 位的存储系统，再与另一个 8K 16 位存储系统进行字扩展，从而实现 16K 16 位的存储器系统，此时还需增加 1 根地址线。系统共需要 4 片 8 位的 SRAM芯片。用增加的地址线 A13 控制片选使能 CE便可实现字扩展，两片相同地址的 sRAM可构成 16位数据线。其逻辑图如图题解 7。25 所示。其中（ 0）和（ 1）、（2）和（ 3）分别构成两个 16 位存储系统；非门将 A13 反相，并将 A13 和/A13 分别连接到两组 8K 16 的片选使能端 CE上，实现字扩展。