电子技术基础数字部分第五版答案康华光Word格式.docx
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解:
因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms
频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ
占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%
1.2数制
1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于42.
(2)127(4)2.718
(2)(127)D=-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H72
(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H
1.4二进制代码
1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:
(1)43(3)254.25
(43)D=(01000011)BCD
1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:
P28
(1)+
(2)@(3)you(4)43
首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制
数表示。
解:
(a)为与非,(b)为同或非,即异或
4>
由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图
OLV=0.1V,ILV=1.5V,因此有:
(1)=0<
ViILV=1.5V,属于逻辑门0
(2)<
1.5V=ViILV,属于逻辑门0
(3)<
0.1<
ViILV=1.5V,属于逻辑门0
(4)由于CMOS管的栅极电流非常小,通常小于1uA,在10kΩ电阻上产生的压降小于10mV即
高阻
1
3.1.12(a)
A
L
1.1.3vmA..
≈444Ω
1.1.4vmA..
2)由真值表画卡诺图
输入
输出
B
C
L=C
__
LC=
第六章习题答案
1.1.5已知某时序电路的状态表如表题6.1,6所示,输人为A,试画出它的状态图。
如果
电路的初始状态在b,输人信号A依次是0、1、0、1、1、1、1,试求其相应的输出。
根据表题6。
1.6所示的状态表,可直接画出与其对应的状态图,如图题解6.1。
6(a)
所示。
当从初态b开始,依次输人0、1、0、1、1、1、1信号时,该时序电路将按图题解6,
1.6(b)所示的顺序改变状态,因而其相应的输出为1、0、1、0、1、0、1。
1.3试分析图题6。
2.1(a)所示时序电路,画出其状态表和状态图。
设电路的初始状态
为0,试画出在图题6.2.1(b)所示波形作用下,Q和z的波形图。
状态方程和输出方程:
1.1.6分析图题6.2。
4所示电路,写出它的激励方程组、状态方程组和输出方程,画出状
态表和状态图。
激励方程
状态方程
1.1.7分析图题6.2。
1.1.8分析图题6.2。
1.1.9分析图题6.2。
1.1.10分析图题6.2。
1.1.11分析图题6.2。
1.1.12分析图题6.2。
(1)状态表,激励表
(2)用卡诺图化简得激励方程
(3)画出电路图
(4)检查自启动能力。
当计数器进入无效状态110时,在CP脉冲作用下,电路的状态将按
采用8K×
8位的sRAM构成16K×
16位的存储器系统,必须同时进行字扩展和位扩展。
用2片8K×
8位的芯片,通过位扩展构成8K×
16位系统,此时需要增加8根数据线。
要将
8K×
16位扩展成16K×
16位的存储器系统,还必须进行字扩展。
因此还需2片8K×
8位的
芯片通过同样的位扩展,构成8K×
16位的存储系统,再与另一个8K×
16位存储系统进行
字扩展,从而实现16K×
16位的存储器系统,此时还需增加1根地址线。
系统共需要4片
8位的SRAM芯片。
用增加的地址线A13控制片选使能CE便可实现字扩展,两片相同地址的sRAM可构成16
位数据线。
其逻辑图如图题解7。
2.5所示。
其中(0)和
(1)、
(2)和(3)分别构成两个
16位存储系统;
非门将A13反相,并将A13和/A13分别连接到两组8K×
16的片选使
能端CE上,实现字扩展。