1、设计电路的原则 限制MOS功率管的最大反向峰值电压 减小RCD电路的损耗。上述两者，是相互矛盾的，取折中的办法。二：设计RCD吸收电路的过程在设计之前，电路的频率、主变压器、输出电路的参数、MOS功率管全部确定。 计算在最大输入交流电压时，输出的最大直流电压VDCVDC=1.4*VAC 单位： 次级电压反射到初级的等效电压（）=（+）*/:二极管的正向最大电压降，单位：:输出的电压值，考虑精度波动范围,单位：:初级匝数:次级匝数 功率管的源栅极之间的最大耐压值的余量值（）=%*单位： 吸收回路的电压（）（）-（）-（）*%单位：三：试验调整 上述电压值是理论值，通过试验调整，使得实际值和理论值
2、相吻合 （） （）若实际测量值小于倍的话，说明选取的功率管的值太小 功率管的（）若实际测量值大于倍的话，说明选取的功率管的值太大 （） （）说明吸收回路会影响开关电源的效率 （）是有（）和（）组成的 时间常数是有开关电源的频率确定，一般选择20个周期。 选择RC:任意选取瓷片电容和电阻，一般为电阻几十K电阻几百K的电阻，电容选择几nF几十nF不等。任意选择R、C的值，通入交流电压，调节调压器，根据先低压后高压、先轻载后重载的原则，试验过程中观察V（RCD）的值，务必V（RCD）的值小于理论值，调节调压器时，当等于理论值时，停止试验，把R值变小，重新调整。合适的RC标准：当高压、重负载时，V（RCD）实际测量值等于理论值。 R的功率应根据V（RCD）的最大值所得，一般计算值的2倍。、 RCD吸收回路的R值越小，开关电源的效率越低；R值越大，MOS功率管有可能被击穿。
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